[发明专利]产生电子束的装置无效

专利信息
申请号: 90103618.8 申请日: 1990-04-25
公开(公告)号: CN1025902C 公开(公告)日: 1994-09-07
发明(设计)人: 阿瑟·玛丽·尤金·霍伯列斯;尼古拉斯·兰伯特;杰拉达斯·格戈里厄斯·皮特勒斯·范戈康姆 申请(专利权)人: 菲利浦光灯制造公司
主分类号: H01J1/30 分类号: H01J1/30;H01J29/46
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 代理人: 张志醒,吴增勇
地址: 荷兰艾*** 国省代码: 暂无信息
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 产生 电子束 装置
【说明书】:

本发明涉及一种产生电子束的装置,该装置有一个备有电绝缘层的主表面,该电绝缘层至少有一个孔,电子束就在该孔中产生,还有沿电绝缘层上的孔的至少较大部分安置的门控电极。

本发明还涉及这种装置的支撑件和阴极射线管,以及带有这样的装置或支撑件的显示装置。

作为阴极射线管(显象管、摄象管)的补充,所述的这种类型的装置也适用于电子制版技术和电子显微镜。

已公开了的、因而被并入了参考资料的荷兰专利申请7905470(PHN9532)展示了一个由半导体装置构成的阴极射线管,即所谓的“冷阴极”。这个冷阴极的工作是基于从一个半导体基体的电子发射,在该半导体基体中PN结是反偏置的,这样就会有载流子的雪崩倍增。某些电子可以获得如此高的动能以至超过了电子逸出功的要求,随后这些电子就从半导体基体的主表面发射,由此提供了电子流。

上述装置的电子发射可以变得更容易,只要在半导体装置上提供所谓的加速电极或在位于主表面上的绝缘层提供门控电极,这些电极保留有一个孔(狭缝形的、环形的、圆形的、矩形的)在绝缘层上。为了在更大程度上使电子容易发射,如果愿意的话,就要在半导体表面提供降低逸出功这样的材料,例如铯。

这个所说的“冷阴极”可能有利于应用在薄的、平板型的显示装置,如同荷兰专利申请8700486(PHN12047)所述的那样,在该装置中若干电子束是在一排并列的半导体阴极中产生的,在该装置中一排相互联合的电子束是经历反射、加速和进一步的电子光学处理之后入射到荧光屏上的,并使一排像素按照预先提供的信息发光。对于通常的750微米的像素间距,例如电子光学系统发射表面放大倍数为30时,阴极的位置公差就得小于10微米。因为否则像素就可能互相重叠(假定所有发射表面在同一个平面上)。这样的公差对组装提出了苛刻的要求。

在荷兰专利申请8700486(PHN12047)所述的装置中,阴极主表面的延伸实际上平行于另一个电子束在其上运动的平面。高能量的正离子只能部分地到达半导体阴极的表面,这就预防了由于正离子的轰击而使它的效率急剧恶化。这一点可用一个电子光学系统把电子束偏转90°而实现,该系统特别包括一个电子镜。

要使这个电子镜满意地工作,这个电子束实际上必须是平行的。

由于门控电极通常具有加速电极的功能,它对所产生的电子束具有负透镜作用。要使电子束变成实际上平行,就要把另一个电极最好安置在离阴极尽可能近的距离上,这个电极就有使电子束变得实际上平行的正透镜功能。可以装配这种电极的最小距离约300微米(特别是,由于连接阴极的焊接丝的存在)。

从装配技术的观点看,这是个大问题。但是,由于在这个距离上须要加如此高的电压以便使第一个电极和镜电极分别具有透镜作用和镜子作用,结果正离子仍能在镜电极与阴极之间产生,以致阴极由于离子的轰击而效率受影响。

本发明的目的是要提供一种专门的产生电子束的装置,该装置能使发送的电子束成为高度平行的,并且对于电子源的定位偏差要求较现有装置明显放宽。

本发明的另一个目的是提供一个装置,在该装置中镜电极可以在如此低的电压下工作,因而基本上没有正离子在阴极与镜电极之间发生。

本发明是建立在这样认识的基础上的,即借助综合利用产生电子束的装置中的一部分电子光学系统而实现本发明的。

按照本发明的一种装置的特征在于,它至少有一个附加电极,至少从平面上看,它实际上完全在门控电极表面之外延伸。

在附加电极上加一个相对于发射表面为负的电压,而门控电极加有正电压,整个装置的工作就象一个正的电子透镜,该装置从离主表面非常近的距离上(50微米数量级)产生电子束,该电子束被引导到实际上与所说的发射表面垂直的方向上,而它并不成为或几乎不会成为电子束直径变化的原因。上面提到的30倍的放大倍数就这样在电子发射基体上部分地实现了。这就使在上面申请中提到的冷阴极的位置公差增加到约50微米,这从制造技术的观点看是容易控制的。在其它应用中采用一个按照本发明的装置,这样一个较简单的电子光学系统也可以满足了。

由于门控电极和加速电极可以在同一个掩膜制作步骤中做成,不同阴极的发射特性只会有小的差异,而大部分电子光学系统又是公用的,这就导致对于每一列像素基本上具有相同的电子束状态,当在一个半导体基体上用多个阴极时这就更显著。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于菲利浦光灯制造公司,未经菲利浦光灯制造公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/90103618.8/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

同类专利
  • 一种碳纳米管冷阴极及制备方法-202311024356.4
  • 黄芳亮;石波;赵亚全;许承渊;曾德海;赵立山 - 海宁精奕电子有限公司
  • 2023-08-15 - 2023-10-27 - H01J1/304
  • 本申请提供一种碳纳米管冷阴极及制备方法,其中,碳纳米管冷阴极包括基座和碳纳米管。基座包括上表面和下表面,基座的下表面设置有开口朝下的第一凹槽,第一凹槽向靠近基座上表面的方向延伸预定深度。碳纳米管形成在基座的上表面,其中,在形成碳纳米管时,第一凹槽用于中用于插入产生热量的加热子。本申请的技术方案中,碳纳米管直接形成在基座上,碳纳米管无需单独转移,且基座提供了局部加热制备碳纳米管的结构,加热区域小,能量利用效率高。
  • 一种可改善电子束聚焦性能的场发射冷阴极电子枪-202310692793.7
  • 姜芮芮;施金;吴钢雄;郁梅;梁图禄;刘畅;张佳琳 - 南通大学
  • 2023-06-12 - 2023-09-29 - H01J1/304
  • 本发明公开了一种可改善电子束聚焦性能的场发射冷阴极电子枪,属于真空电子器件技术领域。解决现有冷阴极电子枪难以聚束的缺陷,本发明的阴极包括阴极底座和冷阴极发射体,阴极底座开设凹槽,冷阴极发射体嵌入凹槽的内部,凹槽的内壁与冷阴极发射体的外壁贴合紧密,保证良好的电接触和增加结构的稳固性,调整冷阴极发射体的相对位置,改变电子枪内部的电场分布,阴极发射的电子束边缘的电子轨迹发散角明显减小,电子束聚焦性能极大提升;本发明场发射冷阴极电子枪应用于微波射频器件,不需要额外增加聚焦结构,在不影响器件射频性能的前提下有效改善射频激励电子枪的聚焦性能。
  • 基于多层薄膜的水平结构纳米空气沟道晶体管-202211455190.7
  • 陈飞良;李沫;张健;姜昊;杨帆;王佳超;马培胜;李晓旭 - 电子科技大学
  • 2022-11-21 - 2023-06-23 - H01J1/304
  • 本发明公开了一种基于多层薄膜的水平结构纳米空气沟道晶体管,属于晶体管技术领域。包括绝缘衬底,设置于其正面的多层薄膜阴极、阳极,阴极和阳极之间构成纳米空气沟道;多层薄膜阴极由导电薄膜和绝缘薄膜交错层叠构成;阳极由导电材料构成,或者由导电薄膜和绝缘薄膜交错层叠构成;多层薄膜阴极和多层薄膜阳极的一侧还设置有导电侧壁,用于各导电薄膜层之间实现电连接。本发明通过多层薄膜锐利边缘结构获得较大的场增强因子,并利用多层薄膜串联发射有效增大晶体管的场发射电流,同时由于垂直刻蚀或腐蚀工艺可以较为容易地实现90度侧壁,保持多层薄膜中每层发射结构的全同性,实现多层薄膜串联下同时发射电子以保持稳定的发射电流。
  • 一种磁偏转式阵列阴极-202310183155.2
  • 杨威;唐德东;龙建飞;杨乐 - 重庆科技学院
  • 2023-03-01 - 2023-06-06 - H01J1/304
  • 本发明公开了一种磁偏转式阵列阴极,包括:外壳、网格结构和偏转构件;所述网格结构和所述偏转构件安装于所述外壳内部;所述网格结构用于产生电子;所述偏转构件用于将所述电子偏转、加速。本发明通过使用片选电极,能够避免部分阴极本体与阳极之间短路后导致整个器件失效,从而提高阴极的可靠性和寿命。同时采用磁偏转方式将电子束引出也能减少阴极本体收到环境污染和外界离子等的轰击导致产品失效,增加了产品的可靠性。采用引出端增加栅极组件,可实现电子束的聚焦和能量增强,使得电子源可以应用在电流需求的场合。
  • 一种石墨烯基复合材料及其制备方法、应用-202211390497.3
  • 唐召军;唐声权;曾凡光;李晓华;赵雨莹;郭晓琴;陈雷明;卫萌 - 郑州航空工业管理学院
  • 2022-11-08 - 2023-02-03 - H01J1/304
  • 本发明适用于石墨烯材料技术领域,提供了一种石墨烯基复合材料的制备方法,包括以下步骤:提供硅纳米孔柱阵列;在硅纳米孔柱阵列上沉积催化剂镍纳米晶;以沉积有镍纳米晶的硅纳米孔柱阵列作为基底,以甲烷作为碳源,以氩气和氢气的混合气体作为载气,通过化学气相沉积法得到石墨烯基复合材料,所述复合材料中石墨烯平行基底生长。本发明通过在硅纳米孔柱阵列上沉积催化剂纳米级金属镍,生长平行于基底的石墨烯纳米片,克服垂直基底的结构不稳定,与石墨烯垂直基底的结构相比,在电子发射过程中极大的增强了发射稳定性,同时石墨烯的横向纳米尺度具有比较高的周长面积比,边沿发射点的数量较多,保证了材料的场发射密度。
  • 一种Spindt阴极电子源及其制备方法和应用-202210996108.5
  • 李兴辉;韩攀阳;姜琪;杜婷;蔡军;冯进军 - 中国电子科技集团公司第十二研究所
  • 2022-08-19 - 2022-12-23 - H01J1/304
  • 本发明公开一种Spindt阴极电子源及其制备方法和应用,该阴极电子源其结构中包含:从下到上依次设置的硅基底、绝缘层和栅极,所述硅基底、绝缘层和栅极透孔间形成绝缘层空腔;设置于硅基底上的位于绝缘层空腔中的发射尖锥,所述发射尖锥与栅极透孔相对应;以及,设置于硅基底上的包被层,所述包被层位于绝缘层空腔中且完全覆盖所述绝缘层空腔中暴露的硅基底;位于包被层与发射尖锥之间的、且包覆在发射尖锥下侧面的附带氧化层;所述发射尖锥的上侧面暴露于所述附带氧化层外。该阴极电子源结构杜绝了三结合点非期望电子发射,进而有效防止常见的沿络放电及其导致的空间电弧失效。
  • 一种低维结构电子源及其制备方法-202211122035.3
  • 方琦;郑克亮;夏斌;王积超;吴长征;谢毅 - 中国科学技术大学
  • 2022-09-15 - 2022-11-29 - H01J1/304
  • 本发明提供了一种低维结构电子源,由稀土硼化物纳米线、热源材料和难熔金属沉积层组成;所述热源材料由圆柱形区域、设置于所述圆柱形区域上部的宽度逐渐减小的宽度柱状区域和设置于所述宽度柱状区域上部的尖端区域;所述稀土硼化物纳米线设置于所述尖端区域顶端,所述难熔金属沉积层包覆所述尖端区域和部分所述稀土硼化物纳米线,以稳固所述稀土硼化物纳米线。本申请提供的低维结构电子源通过低功函数稀土硼化物纳米线的引入,而使得本申请提供的低维结构电子源在冷场发射的模式下,能够实现低能散、高亮度、高发射稳定性、高单色性以及长使用寿命等发射特性。
  • 一种电子源封装-202110058615.X
  • 刘磊;陆菲菲;田健;张杨星月 - 南京理工大学
  • 2021-01-16 - 2022-09-20 - H01J1/308
  • 本发明提供了一种电子源封装,包括基板、密封罩、电子源,其中基板内设置电源,密封罩设置于基板上且与基板形成密闭空间,电子源设置于密闭空间基板上;电子源包括衬底、纳米线束、电极环、抗反射层、保护层,其中衬底设置于基板上且接地,纳米线束设置于衬底上,电极环设置于纳米线束上方且与基板电源电连接,抗反射层设置于电极环上,保护层设置于抗反射层上。
  • LaB6-202011171802.0
  • 赵瑞山;黄美松;刘华;王志坚;马小波;樊玉川;傅臻;张闻扬 - 湖南稀土金属材料研究院
  • 2020-10-28 - 2022-09-13 - H01J1/304
  • 本发明公开了一种LaB6场发射阵列薄膜阴极的制备方法及应用。制备方法包括:采用LaB6和B粉作为原料,按配比混料得到混合粉末;将混合粉末装入石墨模具,采用分段式升温‑保温‑分段式降温及线性加压‑保压方式热压烧结,得到富硼LaB6靶材;利用所述富硼LaB6靶材作为溅射源采用直流磁控溅射技术在钼尖锥或硅尖锥阵列基体表面于Ar气氛下制备得到LaB6场发射阵列薄膜阴极。本发明可实现大面积、均匀、结构致密、结晶良好,且满足化学计量比的LaB6场发射阵列薄膜阴极的制备;作为场发射阵列薄膜阴极电子源应用时,具有功函低、开启电场小、功耗低等优点,可提高场发射阵列阴极的抗离子轰击能力及场致发射稳定性。
  • 一种高可靠性的蚊香型灯丝锁紧结构及其锁紧方法-202210446595.8
  • 张帆;郭志伟;高学林;贾子朝;成成;许文强 - 核工业理化工程研究院
  • 2022-04-26 - 2022-09-02 - H01J1/30
  • 本发明公开了一种高可靠性的蚊香型灯丝锁紧结构及其锁紧方法,所述锁紧结构包括一个支撑体、所述支撑体上设有预定位机构对所述蚊香型灯丝进行预定位,所述支撑体上还设有锁紧机构对所述蚊香型灯丝进行锁紧;所述锁紧机构包括两个锁紧部,每一个锁紧部锁紧一个蚊香型灯丝的支撑腿,每一个锁紧部包括锁紧螺钉、灯丝顶块以及一个设置在所述支撑体上的定位孔,所述定位孔包括相互连通的螺纹孔和矩形孔,所述螺纹孔供所述锁紧螺钉旋入,所述矩形孔供所述灯丝顶块插入,所述矩形孔与所述预定位机构相连通,所述锁紧螺钉旋入螺纹孔时通过顶紧灯丝顶块锁紧所述支撑腿。本发明提高了灯丝安装位置的可靠度,安装简单。
  • 采用等离子体阴极的电子束焊接系统-202080087292.0
  • J·努南;D·沃尔特斯 - 美国电子公司
  • 2020-10-16 - 2022-07-22 - H01J1/30
  • 在一实施例中,提供了一种包括电子枪、聚焦系统和壳体的系统。电子枪可以包括冷阴极电子源和提取电极。聚焦系统可以被配置成将从电子枪提取的电子束聚焦到焦点区域。壳体可以包括电子枪并且在电子束的方向上沿着壳体轴延伸。冷阴极源被配置成在高于电子束的焦点区域处的第二操作压强的第一操作压强下发射电子。
  • 一种引导自由电子透过固体的方法及固体结构-202110937648.1
  • 侯中宇;丁衡高;房茂波 - 上海交通大学
  • 2021-08-16 - 2022-07-19 - H01J1/304
  • 本发明公开一种引导自由电子透过固体的方法及结构。所述固体的外表面具有相对的第一界面和第二界面,第一界面和第二界面之间具有多个空腔结构;所述方法包括:控制固体的第一界面接触自由电子;向固体施加电场,使得聚集在空腔结构的至少部分自由电子从第二界面逸出。本发明能够使得能量范围更宽的自由电子透过,大大提高电子束技术的应用范围,解决传统电子束技术普遍存在的高能电子的韧致辐射等副产物问题。本发明所提出方法的实现结构利于通过微电子加工技术或激光技术、微纳增材制造技术加工实现,对集成度要求高的电子束系统应用适应性强。
  • 场发射阴极及其制备方法-201911258955.6
  • 洪序达;梁栋;郑海荣 - 深圳先进技术研究院
  • 2019-12-10 - 2022-07-05 - H01J1/304
  • 本发明提供了一种场发射阴极的制备方法,包括以下步骤:提供导电基板;配置六方氮化硼纳米片分散液,在所述导电基板上沉积所述六方氮化硼纳米片分散液,干燥后形成六方氮化硼纳米片薄膜,得到含有六方氮化硼纳米片薄膜的基板;提供阳极,以所述含有六方氮化硼纳米片薄膜的基板作为阴极,并将所述阴极接地处理;将所述阴极和所述阳极置于真空环境中,对所述阳极施加电压逐渐升高的正向电压,直至发生打火现象,得到六方氮化硼纳米片场发射阴极。
  • 一种电化学刻蚀装置及刻蚀方法-202210262674.3
  • 吴长征;谢毅 - 中国科学技术大学
  • 2022-03-17 - 2022-06-17 - H01J1/304
  • 本申请公开了一种电化学刻蚀装置及刻蚀方法,所述电化学刻蚀装置包括:刻蚀调节模块、控制电路模块和电化学池,所述刻蚀调节模块中设置有待制备的电子源器件,所述电子源器件的一端与所述控制电路模块连接,另一端浸没在所述电化学池内,所述电化学池的一端与所述控制电路模块连接;其中,所述控制电路模块用于对所述电子源器件和所述电化学池施加预设电压和电流,以使得浸没在所述电化学池内的电子源器件进行电解刻蚀,形成具有微凸起针尖的电子源器件。应用本发明提供的技术方案,通过电化学刻蚀法,将LaB6的材料特性和理想的电子束发射微观结构结合,可以形成具有微凸起针尖的LaB6电子源器件,提高电子源的发射性能。
  • 一种阈值电压可调的大电流场发射二极管及其加工方法-202111014381.5
  • 刘海涛;江佳;胡贝妮;宋凌辉;屈安登;王宇萧 - 重庆大学
  • 2021-08-31 - 2022-05-31 - H01J1/304
  • 本发明公开了一种阈值电压可调的大电流场发射二极管及其加工方法,包括能够相互靠近或远离的底部玻璃层和锥尖发射体,在所述底部玻璃层朝向所述锥尖发射体的端面上设有阴极电极、阳极电极和控制电极,所述阴极电极与所述锥尖发射体连接,所述底部玻璃层和所述锥尖发射体在所述控制电极的控制电压变大时相互靠近,并在所述控制电极的控制电压变小时相互远离。本方案通过对控制电极上的控制电压的大小进行调节,就可以达到增大或减小场发射二极管的阈值电压的目的,由此就实现了方便的对场发射二极管的阈值电压进行调节的目的,并由此提高了场发射二极管的通用性和使用范围。
  • 具几何结构的二维半导体及形成方法-201811167013.2
  • 杨东翰;韩羽唯;张锌权;陈奕彤;李奕贤 - 李奕贤
  • 2018-10-08 - 2022-04-26 - H01J1/304
  • 本发明公开了一种具几何结构的二维半导体的形成方法,其包含下列步骤:形成纳米层;将设置二维材料于一基板上;形成媒介层于二维材料上;自基板上转移媒介层与二维材料至该纳米层;去除媒介层,使该二维材料留在该纳米层的表面上。通过具几何结构的二维半导体的形成方法,利用纳米微结构来提升并控制二维材料在场发射效应及光子激发效率上。
  • 一种改性碳纳米锥功能化针尖及其制备方法-202111615186.8
  • 徐建勋;李超杰;陈子煊 - 广东粤港澳大湾区国家纳米科技创新研究院
  • 2021-12-27 - 2022-04-05 - H01J1/304
  • 本发明涉及金属材料功能化技术领域,尤其涉及一种改性碳纳米锥功能化针尖及其制备方法。本发明提供了一种改性碳纳米锥功能化针尖及其制备方法,使用尖端和尾部产生阶梯状破损的改性碳纳米锥作为功能化针尖修饰材料,改性后的碳纳米锥其圆钝的尖端被刻蚀为阶梯状尖端,尖端曲率降低,极大地提高了场增强效应;且改性后的碳纳米锥尖端表面洁净无杂质,可得到洁净且尖端结构完整的碳纳米锥针尖;此外,剥离后的尖端表面存在悬键,更有利于提高发射性能。
  • 场发射中和器-201910642704.1
  • 柳鹏;周段亮;张春海;潜力;王昱权;郭雪伟;马丽永;王福军;范守善 - 清华大学;鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
  • 2019-07-16 - 2022-03-22 - H01J1/304
  • 本发明提供一种场发射中和器,包括一底板以及至少一个阴极发射单元固定在该底板的表面,该阴极发射单元包括一基板,一壳体,一阴极发射体,一栅网,以及一屏蔽层,所述壳体位于该基板上,该阴极发射体固定在该壳体内部并与该栅网绝缘间隔设置,该栅网与该屏蔽层绝缘间隔设置,该壳体具有一开口,该栅网包括多个栅孔,该屏蔽层具有一通孔,该开口、栅孔和通孔贯穿设置,所述阴极发射体包括一阴极基底以及一石墨化的碳纳米管阵列,该阴极基底包括一基底主体以及一粘结剂层,该石墨化的碳纳米管阵列通过该粘结剂层固定在该基底主体上,且石墨化的碳纳米管阵列中的碳纳米管基本垂直于该基底主体。
  • 场发射中和器-201910642707.5
  • 柳鹏;周段亮;张春海;潜力;王昱权;郭雪伟;马丽永;王福军;范守善 - 清华大学;鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
  • 2019-07-16 - 2022-03-18 - H01J1/304
  • 本发明提供一种场发射中和器,包括一底板以及至少一个阴极发射单元固定在该底板上,该阴极发射单元包括一基板,一壳体,至少一阴极发射体,一栅网,以及一屏蔽层,该壳体位于所述基板上,所述至少一阴极发射体固定在壳体内部并与栅网绝缘间隔设置,该栅网与屏蔽层绝缘间隔设置,该壳体具有一开口,栅网包括多个栅孔,屏蔽层具有一通孔,该至少一阴极发射体发射的电子穿过开口、栅孔及通孔发射出去,该阴极发射体包括两个阴极电极片以及一石墨化的碳纳米管结构,该两个阴极电极片层叠设置并夹持石墨化的碳纳米管结构,使石墨化的碳纳米管结构分为第一部分和第二部分,第一部分夹持在两个阴极电极片之间,第二部分暴露在所述阴极电极片的外部。
  • 碳纳米管场发射电子源的限流保护结构及其制备方法-201811023394.7
  • 姚智伟;孙泳海 - 姚智伟
  • 2018-09-03 - 2022-03-15 - H01J1/304
  • 本发明提供了一种碳纳米管场发射电子源的限流保护结构,包括竖直方向上间隔一预设距离设置的阳极以及阴极基板,所述阳极位于阴极基板的上部;所述阴极基板的上表面由下至上依次连接有柱状半导体限流结构、顶层电极以及垂直排列独立碳纳米管发射体,所述柱状半导体限流结构和顶层电极的截面积相同。本发明的主要目的是通过使用半导体限流技术提高碳纳米管场发射阴极的使用寿命和可靠性。使得碳纳米管场发射阴极可以满足医用影像设备及军用雷达对高密度电子源阵列的性能和使用寿命的要求,以进一步推动X射线阵列和微波阵列的发展。
  • 碳纳米管场发射阴极及其制备方法-202111230057.7
  • 洪序达;贺思如;梁栋;郑海荣 - 深圳先进技术研究院;中国科学院深圳理工大学(筹)
  • 2021-10-21 - 2022-01-28 - H01J1/304
  • 本发明公开了一种碳纳米管场发射阴极,其包括:导电基底;形成在导电基底上的碳纳米管;结合在所述碳纳米管表面上的硫化钼纳米颗粒。所述碳纳米管场发射阴极的制备方法包括:提供碳纳米管并通过表面处理工艺使所述碳纳米管的表面具有羧酸基团;将所述碳纳米管以及钼源、硫源和表面活性剂溶解于溶剂中,超声分散后加热反应,获得表面结合有硫化钼纳米颗粒的碳纳米管;将所述碳纳米管置于球磨罐中,加入有机溶剂和球磨助剂,球磨获得碳纳米管浆料;将所述碳纳米管浆料通过丝网印刷工艺印刷于导电基底上;对所述导电基底加热固化并进行退火处理,制备获得所述碳纳米管场发射阴极。本发明提供的碳纳米管场发射阴极能够降低开启电场并提升发射稳定性。
  • 一种冷阴极及其制备方法-201811563149.5
  • 魏纬 - 上海联影医疗科技股份有限公司
  • 2018-12-20 - 2022-01-11 - H01J1/304
  • 本发明实施例公开了一种冷阴极及其制备方法,其中,该冷阴极包括:碳纳米管和阴极基底,其中,所述阴极基底包括沿第一方向间隔设置的第一区域和第二区域,所述第一区域用于制备所述碳纳米管;所述第二区域的高度大于所述第一区域的高度。本发明实施例的技术方案,解决了现有技术中碳纳米管与阴极基底之间的结合性较差的技术问题,实现了提高接触电阻减小、导热性能增强的技术效果,以及提高了碳纳米管场致发射的稳定性,延长使用寿命的技术效果。
专利分类
×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top