[发明专利]一种金属剥离机晶圆浸泡装置

说明书

本发明提供了一种金属剥离机晶圆浸泡装置，属于半导体元件制造技术领域，用于使用在有机溶剂类型的金属剥离机的浸泡工艺中，所述浸泡装置包括用于夹持待浸泡晶圆的浸泡机构、用于控制浸泡机构倾斜的倾斜机构和用于控制浸泡机构升降的垂直升降机构。该浸泡装置通过机械连轴传动，浸泡过程可上升下降，同时倾斜，充分发挥浸泡效果。同时因为晶圆水平放置，浸泡可以单片取放，较少药水挥发及腐蚀周边设备，晶圆浸泡过程中能控制晃动，增加去胶能力，同步机构倾斜能够使光刻胶及金属剥离时不堆积在晶圆上，提升产品品质；同时，单个晶圆治具可夹持不同尺寸晶圆，且可单片取放浸泡，降低生产成本，提升机台效率。

技术领域

本发明属于半导体元件制造技术领域，具体涉及一种金属剥离机晶圆浸泡装置。

背景技术

金属剥离工艺是指在基片表面涂上一层光刻胶，在不需要金属的区域通过前烘、曝光、显影形成掩膜图形；在基片表面溅射或蒸镀的方法镀上金属膜，最后浸泡剥离液或丙酮溶液，将光刻溶胶溶解除去，光刻胶表面其上的金属也跟其一起脱落，从而留下所需的金属图形。在近年的半导体原件制造产业中，金属剥离或光刻胶去除工艺提出可通过先浸泡，将金属下的光刻胶泡软或溶解，再使用药水高压喷淋将金属和光刻胶剥离去除。这样一方面可以节省药水，另一方面使用更低的压力将金属及光刻胶去除。这种工艺受到业界追捧。使用药水为N-甲基吡咯烷酮等有机溶剂。

现有的金属剥离机光刻胶中的浸泡主要由两种方式来实现的：单片喷淋和槽式浸泡。单片喷淋通过高压向高速旋转的晶圆上喷洒液体，利用药水的溶解性及液体的压力来将光刻胶或金属去除。因药水与光刻胶接触时间有限，往往需要很大的压力才能将其去除，过大的压力会导致正常的金属线路剥离或图案被破坏掉。相比较单片喷淋而言，槽式浸泡中主要通过浸泡将光刻胶泡软，很多浸泡槽工艺中容易在晶圆表面堆积光刻胶或金属碎屑，导致取放晶圆时掉料或者倾斜。而且，浸泡工艺一般均为整个花篮开始或终止浸泡，取放花篮的过程中因开口较大，药水溢出挥发容易导致周边设备腐蚀或者结晶影响清洁度，而且无法实现单片晶圆取放，且单一花篮晶圆尺寸单一，更换作业晶圆尺寸后，需拆卸浸泡治具，治具周边环境N-甲基吡咯烷酮等有机溶剂药水污染环境，且有危害，不利于人体健康。

因此，需提供金属剥离机晶圆浸泡装置以解决上述问题。

发明内容

为了解决上述问题，本发明的目的在于提出一种金属剥离机晶圆浸泡装置，在浸泡过程中可保持晶圆倾斜再通过上下晃动装置使晶圆晃动，增加去胶能力。同时晶圆倾斜能去除堆叠在晶圆上方的光刻胶及金属脱落。

为了实现上述目的，本发明提供了如下技术方案，一种金属剥离机晶圆浸泡装置，用于使用在有机溶剂类型的金属剥离机的浸泡工艺中，所述浸泡装置包括用于夹持待浸泡晶圆的浸泡机构、用于控制浸泡机构倾斜的倾斜机构和用于控制浸泡机构升降的垂直升降机构，其中，

所述浸泡机构包括浸泡腔以及用于夹持待浸泡晶圆置入浸泡腔的浸泡治具，所述浸泡治具内设有用于固定晶圆的晶圆夹持块，所述晶圆夹持块上设有多个用于固定晶圆的凹槽。

本发明所提供的金属剥离机晶圆浸泡装置，还具有这样的特征，所述浸泡机构还包括与待浸泡晶圆尺寸弧度相同的挡轴支架以及安装在挡轴支架上的挡轴。

本发明所提供的金属剥离机晶圆浸泡装置，还具有这样的特征，多个所述凹槽均匀排布，

多个所述凹槽分为不同组，不同组凹槽上下排布，不同组凹槽尺寸不同以配合不同尺寸的待浸泡晶圆，

每组凹槽对应2个挡轴和2个挡轴支架。

本发明所提供的金属剥离机晶圆浸泡装置，还具有这样的特征，所述浸泡机构还包括夹具支架和夹具轴。

本发明所提供的金属剥离机晶圆浸泡装置，还具有这样的特征，所述垂直升降机构包括用于与浸泡机构连接的连接子机构以及用于控制升降的升降子机构，