[发明专利]电路仿真方法及设备

说明书

本公开提供了一种电路仿真方法及设备，涉及半导体技术领域，应用于待仿真电路，该待仿真电路中包括第一电源总线、第二电源总线、连接至第一电源总线的第一负载及连接至第二电源总线的第二负载；第一电源总线通过开关连接至第二电源总线，第二电源总线连接外部电源；上述方法包括：根据待仿真电路的设计数据库，获取待仿真电路对应的网表与SPF文件，该SPF文件中包括上述第一电源总线对应的参数、第二电源总线对应的参数、第一负载的器件参数、第二负载的器件参数以及开关的器件参数；基于上述网表与标准寄生参数格式文件，对待仿真电路进行仿真；根据仿真结果，确定第一电源总线和第二电源总线的性能是否满足待仿真电路的性能需求。

技术领域

本公开涉及半导体技术领域，尤其涉及一种电路仿真方法及设备。

背景技术

集成电路的设计流程通常包括电路设计、前仿真、版图设计和后仿真等。其中，后仿真指的是在版图设计完成以后，结合电路的寄生参数和各种电路单元之间的连线情况来进行仿真，并基于仿真结果对电路进行分析，以确保电路符合设计要求。

目前，随着存储芯片的时钟频率越来越高、面积越来越小，如何准确评估电源总线(Power Bus)的性能，使电源总线能够满足存储芯片的性能需求，是目前亟需解决的技术问题。

发明内容

本公开提供了一种电路仿真方法及设备，可以准确评估电源总线的性能，使电源总线能够满足待仿真电路的性能需求。

第一方面，本公开实施例提供了一种电路仿真方法，应用于待仿真电路，所述待仿真电路中包括第一电源总线、第二电源总线、连接至所述第一电源总线的至少一个第一负载及连接至所述第二电源总线的至少一个第二负载；所述第一电源总线通过开关连接至所述第二电源总线，所述第二电源总线连接外部电源；所述方法包括：

根据所述待仿真电路的设计数据库，获取所述待仿真电路对应的网表与标准寄生参数格式文件，所述标准寄生参数格式文件中包括所述第一电源总线对应的参数、所述第二电源总线对应的参数、所有所述第一负载的器件参数、所有所述第二负载的器件参数以及所述开关的器件参数；

基于所述网表与所述标准寄生参数格式文件，对所述待仿真电路进行仿真；

根据所述待仿真电路的仿真结果，确定所述第一电源总线和所述第二电源总线的性能是否满足所述待仿真电路的性能需求。

在一些可行的实施方式中，所述第一电源总线对应的参数包括所述第一电源总线对应的自身电阻和/或寄生电容；所述第二电源总线对应的参数包括所述第二电源总线对应的自身电阻和/或寄生电容。

在一些可行的实施方式中，所述第一电源总线包括第一子电源总线，所述第二电源总线包括第二子电源总线，所述外部电源包括第一电源，所述开关包括至少一个第一晶体管；

每一所述第一晶体管的第一极与所述第二子电源总线连接，第二极与所述第一子电源总线连接，栅极接收所述待仿真电路中的第一驱动信号；

其中，所述开关的器件参数包括所有所述第一晶体管的特征尺寸参数。

在一些可行的实施方式中，所述第一电源总线还包括第三子电源总线，所述第二电源总线还包括第四子电源总线，所述外部电源还包括第二电源，所述开关还包括至少一个第二晶体管；

每一所述第二晶体管的第一极与所述第四子电源总线连接，第二极与所述第三子电源总线连接，栅极接收所述待仿真电路中的第二驱动信号；

其中，所述开关的器件参数还包括所有所述第二晶体管的特征尺寸参数。

在一些可行的实施方式中，所述待仿真电路中还包括至少一个与所述第二电源总线连接的焊盘；

所述标准寄生参数格式文件中还包括所有所述焊盘与所述第二电源总线的连接处的输入电压信息。