[实用新型]一种高性能SMP转接器结构

权利要求书

1.一种高性能SMP转接器结构，其特征在于：包括外壳体（1），设置在射频转接器的最外部；

内导体（2），同心设置在外壳体（1）内部，外壳体（1）设有用于安装内导体的中心通孔（4），内导体（2）与中心通孔（4）之间的间隙按照阻抗匹配设计，内导体（2）与外壳体（1）之间形成空气介质段；

绝缘支撑介质（3），内导体（2）的端部穿过绝缘支撑介质（3）后被固定在外壳体（1）内部。

2.根据权利要求1所述的一种高性能SMP转接器结构，其特征在于：所述内导体（2）包括位于中部的中间段（5）以及位于两端的连接段（6），中间段（5）与连接段（6）之间设置有用于与绝缘支撑介质（3）配合连接的环形卡槽（7）。

3.根据权利要求2所述的一种高性能SMP转接器结构，其特征在于：所述连接段（6）采用中空设计，沿内导体（2）的长度方向，连接段（6）的圆周方向等间隔开设若干条形槽（8）。

4.根据权利要求2所述的一种高性能SMP转接器结构，其特征在于：所述中心通孔（4）的内径与内导体的中间段（5）的直径比例关系为2.3:1。

5.根据权利要求2所述的一种高性能SMP转接器结构，其特征在于：所述绝缘支撑介质（3）的数量为两个，沿内导体（2）的长度方向对称设置，绝缘支撑介质（3）设有与内导体（2）的端部配合连接的安装孔（9）。

6.根据权利要求5所述的一种高性能SMP转接器结构，其特征在于：所述安装孔（9）采用截面为凸型结构设计，安装孔（9）直径较小的一端与环形卡槽（7）位置相对应，安装孔直径较小一端沿内导体的长度方向与环形卡槽间隙配合，沿垂直于内导体长度方向与环形卡槽之间过盈配合。

7.根据权利要求6所述的一种高性能SMP转接器结构，其特征在于：所述绝缘支撑介质（3）在安装孔直径较小一端所在的端面上设置基于电磁仿真设计的环形凹槽（10）。

8.根据权利要求1所述的一种高性能SMP转接器结构，其特征在于：所述外壳体（1）的两端采用SMP标准结构（11）。