[发明专利]阵列基板及其制备方法、显示面板

说明书

本发明提供一种阵列基板及其制备方法、显示面板，该阵列基板包括衬底和设置于衬底上的低温多晶硅薄膜晶体管。其中，低温多晶硅薄膜晶体管包括第一有源层，第一有源层包括层叠设置的多晶硅层和非晶硅层。本发明通过将低温多晶硅薄膜晶体管的有源层设置为多晶硅层和非晶硅层的双层结构，因此无需传统的低温多晶硅薄膜晶体管制程中对有源层进行离子掺杂，可以减少光罩使用数量，从而精简制程，降低成本。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，具体涉及一种阵列基板及其制备方法、显示面板。

背景技术

在显示器件中，薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)一般是用作开关元件来控制像素的作业，或是用作驱动元件来驱动像素。基于低温多晶硅(Low TemperaturePoly-Silicon，LTPS)薄膜晶体管的显示面板在高端手机、平板电脑上已获得广泛应用，但LTPS显示面板中的阵列基板的制造过程非常复杂，现有技术需要使用光罩对低温多晶硅半导体层(有源层)进行离子重掺杂和离子轻掺杂，从而使光罩使用数量增加，导致制程复杂、成本较高。

因此，现有技术存在缺陷，急需解决。

发明内容

本发明提供一种阵列基板及其制备方法、显示面板，能够解决传统的低温多晶硅薄膜晶体管制程中需要使用光罩对有源层进行离子掺杂，从而增加光罩使用数量，导致制程复杂，成本较高的问题。

为解决上述问题，本发明提供的技术方案如下：

本发明实施例提供一种阵列基板，包括：

衬底；

低温多晶硅薄膜晶体管，设置于所述衬底上；

其中，所述低温多晶硅薄膜晶体管包括第一有源层，所述第一有源层包括层叠设置的多晶硅层和非晶硅层。

可选的，在本发明的一些实施例中，所述非晶硅层位于所述多晶硅层远离所述衬底的一侧。

可选的，在本发明的一些实施例中，所述阵列基板还包括氧化物薄膜晶体管，所述氧化物薄膜晶体管设置于所述衬底上，并与所述低温多晶硅薄膜晶体管相间隔，其中，所述氧化物薄膜晶体管和所述低温多晶硅薄膜晶体管均为底栅结构。

可选的，在本发明的一些实施例中，所述低温多晶硅薄膜晶体管还包括：

第一栅极，位于所述第一有源层靠近所述衬底的一侧；

第一源极和第一漏极，位于所述第一有源层远离所述衬底的一侧，且分别与所述第一有源层的非沟道区接触；

所述氧化物薄膜晶体管包括：

第二栅极，与所述第一栅极同层设置；

第二有源层，位于所述第二栅极远离所述衬底的一侧，且与所述第一有源层同层设置；

第二源极和第二漏极，位于所述第二有源层远离所述衬底的一侧，且与所述第一源极和所述第一漏极同层设置，所述第二源极和所述第二漏极分别与所述第二有源层的非沟道区接触。

可选的，在本发明的一些实施例中，所述低温多晶硅薄膜晶体管还包括离子层，所述离子层对应位于所述第一有源层远离所述衬底一侧的非沟道区上，所述第一源极和所述第一漏极位于所述离子层上，且所述第一源极和所述第一漏极分别通过所述离子层与所述第一有源层的非沟道区接触；

所述氧化物薄膜晶体管还包括刻蚀阻挡层，所述刻蚀阻挡层位于所述第二有源层远离所述衬底的一侧，所述第二源极和所述第二漏极位于所述刻蚀阻挡层上，并且所述刻蚀阻挡层上包括贯穿所述刻蚀阻挡层的过孔，所述过孔露出所述第二有源层的非沟道区，所述第二源极和所述第二漏极分别通过所述过孔与所述第二有源层的非沟道区接触。