[发明专利]芴基热活化延迟荧光材料及其制备方法和应用有效
申请号: | 202110551410.5 | 申请日: | 2021-05-20 |
公开(公告)号: | CN113214229B | 公开(公告)日: | 2022-08-30 |
发明(设计)人: | 解令海;郑孝军;冯全友;周涛;王宏健;钱越 | 申请(专利权)人: | 南京邮电大学 |
主分类号: | C07D403/10 | 分类号: | C07D403/10;C07D403/14;C09K11/06;H01L51/54 |
代理公司: | 南京苏科专利代理有限责任公司 32102 | 代理人: | 姚姣阳 |
地址: | 210023 *** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 芴基热 活化 延迟 荧光 材料 及其 制备 方法 应用 | ||
1.一种芴基热活化延迟荧光材料,其特征在于:所述芴基热活化延迟荧光材料的化学结构通式为:
式中为电子受体单元,所述为以下结构中的任意一种:
式中为烷芳基芴单元,所述为以下结构中的任意一种:
2.根据权利要求1所述的芴基热活化延迟荧光材料,其特征在于:所述芴基热活化延迟荧光材料为以下三种结构:
3.一种用于制备权利要求1或2中的芴基热活化延迟荧光材料的方法,其特征在于:所述芴基热活化延迟荧光材料为L型、U1型和U2型,制备L型、U1型和U2型芴基热活化延迟荧光材料的反应路线通式为:
其中,所述为以下结构中的任意一种:
所述为以下结构中的任意一种:
4.一种有机电致发光器件,其特征在于:包括自下而上层叠设置的ITO层、空穴注入层、发光层、电子传输层、电子注入层及阴极层,所述发光层为权利要求1或2所述的芴基热活化延迟荧光材料。
5.根据权利要求4所述的有机电致发光器件,其特征在于:所述ITO层为ITO玻璃基板,所述空穴注入层为PEDOT:PSS,所述电子传输层为TmPyPb,所述电子注入层为LiF,所述阴极层为Al。
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