[发明专利]一种对于粉末压结类靶材焊接面的镀镍方法

权利要求书

1.一种对于粉末压结类靶材焊接面的镀镍方法，其特征在于，所述镀镍方法包括：

将表面处理后的粉末压结类靶材放入物理气相沉积炉内，对粉末压结类靶材焊接面先采用钛靶进行PVD轰击处理，再采用镍靶进行PVD镀膜处理，得到带有镍膜的粉末压结类靶材。

2.根据权利要求1所述的镀镍方法，其特征在于，所述表面处理包括采用清洗液进行擦拭清洗；

优选地，所述清洗液包括纯度≥98wt％的乙醇和/或纯度≥95wt％的异丙醇。

3.根据权利要求1或2所述的镀镍方法，其特征在于，在所述表面处理之后，在将所述粉末压结类靶材放入物理气相沉积炉之前，对所述粉末压结类靶材依次进行包裹处理、减震处理。

4.根据权利要求3所述的镀镍方法，其特征在于，所述包裹处理包括采用石墨纸对粉末压结类靶材的非焊接面进行包裹；

优选地，所述减震处理包括在所述粉末压结类靶材的溅射面上设置硅胶垫。

5.根据权利要求1～4任一项所述的镀镍方法，其特征在于，在将所述粉末压结类靶材放入物理气相沉积炉之后，在所述轰击处理之前，进行抽真空与预热；

优选地，所述抽真空的目标真空度为1×10^-4～1×10^-3Pa；

优选地，所述预热的目标温度为80～120℃；

优选地，所述预热的保温时间为1～1.5h。

6.根据权利要求1～5任一项所述的镀镍方法，其特征在于，所述PVD轰击处理的温度为100～140℃；

优选地，所述PVD轰击处理的时间为120～180s；

优选地，所述PVD轰击处理的真空度为1.5×10^-1～2.5×10^-1Pa；

优选地，所述PVD轰击处理的功率为8000～12000kW·h。

7.根据权利要求1～6任一项所述的镀镍方法，其特征在于，所述PVD镀膜处理的温度为120～180℃；

优选地，所述PVD镀膜处理的真空度为3×10^-1～4×10^-1Pa；

优选地，所述PVD镀膜处理的功率为2400～3600kW·h；

优选地，所述PVD镀膜处理的时间为3～5h；

优选地，所述PVD镀膜处理的中间气体为氩气。

8.根据权利要求1～7任一项所述的镀镍方法，其特征在于，所述镍膜的厚度为5～8μm。

9.根据权利要求1～8任一项所述的镀镍方法，其特征在于，在所述PVD镀膜处理之后，关闭所述物理气相沉积炉，待1～3h后取出所述带有镍膜的粉末压结类靶材，通过空冷降至室温。

10.根据权利要求1～9任一项所述的镀镍方法，其特征在于，所述镀镍方法包括如下步骤：

(1)对粉末压结类靶材采用清洗液进行擦拭清洗以完成表面处理，所述清洗液包括纯度≥98wt％的乙醇和/或纯度≥95wt％的异丙醇，随后对所述粉末压结类靶材依次进行包裹处理、减震处理，所述包裹处理包括采用石墨纸对粉末压结类靶材的非焊接面进行包裹，所述减震处理包括在所述粉末压结类靶材的溅射面上设置硅胶垫；

(2)将步骤(1)处理后的粉末压结类靶材放入物理气相沉积炉内进行抽真空与预热，所述抽真空的目标真空度为1×10^-4～1×10^-3Pa，所述预热的目标温度为80～120℃，所述预热的保温时间为1～1.5h；

(3)对步骤(2)处理后的粉末压结类靶材焊接面先采用钛靶进行PVD轰击处理，再采用镍靶进行PVD镀膜处理；控制所述PVD轰击处理的温度为100～140℃，时间为120～180s，真空度为1.5×10^-1～2.5×10^-1Pa，功率为8000～12000kW·h；控制所述PVD镀膜处理的温度为120～180℃，真空度为3×10^-1～4×10^-1Pa，功率为2400～3600kW·h，时间为3～5h，中间气体为氩气；

(4)在步骤(3)所述PVD镀膜处理之后，关闭所述物理气相沉积炉，待1～3h后取出所述带有镍膜的粉末压结类靶材，通过空冷降至室温，得到带有厚度为5～8μm镍膜的粉末压结类靶材。