[发明专利]多个带电粒子束的装置

说明书

本公开的实施例涉及多个带电粒子束的装置。提出了一种具有尺寸、取向和入射角可变的总FOV的新多束装置。新装置提供了加速样本观察和使得更多样本可观察的更大灵活性。更具体地，作为在半导体制造工业中检查和/或审查晶片/掩模上的缺陷的产量管理工具，新装置提供了实现高吞吐量和检测更多种类的缺陷的更多可能性。

本申请是国际提交日为2017年1月27日(优先权日2016年1月27日)、于2018年9月进入中国国家阶段、中国国家申请号为201780019776.X、发明名称为“多个带电粒子束的装置”的发明专利申请的分案申请。

优先权声明

本申请要求Ren等人于2016年1月27日提交的题为“Apparatus of PluralCharged-Particle Beams”的美国临时申请No.62/287,626的优先权的权益，其整体公开内容通过引用并入本文。

相关申请的交叉引用

本申请涉及Ren等人于2016年3月9日提交的题为“Apparatus of PluralCharged-Particle Beams”的美国申请No.15/065,342，其整体公开内容通过引用并入本文。

本申请涉及Ren等人于2016年3月23日提交的题为“Apparatus of PluralCharged-Particle Beams”的美国申请No.15/078,369，其整体公开内容通过引用并入本文。

本申请涉及Liu等人于2016年5月10日提交的题为“Apparatus of PluralCharged-Particle Beams”的美国申请No.15/150,858，其整体公开内容通过引用并入本文。

本申请涉及Li等人于2016年7月19日提交的题为“Apparatus of PluralCharged-Particle Beams”的美国申请No.15/213,781，其整体公开内容通过引用并入本文。

本申请涉及Ren等人于2016年7月21日提交的题为“Apparatus of PluralCharged-Particle Beams”的美国申请No.15/216,258，其整体公开内容通过引用并入本文。

本申请涉及Ren等人于2016年11月30日提交的题为“Apparatus of PluralCharged-Particle Beams”的美国申请No.15/365,145，其整体公开内容通过引用并入本文。

技术领域

本发明涉及具有多个带电粒子束的装置。更具体地，其涉及采用多个带电粒子束来同时获取在样本表面上的观察区内的多个扫描区域的图像的装置。因此，该装置可以用于在半导体制造工业中以高分辨率和高吞吐量检查和/或审查晶片/掩模上的缺陷。

背景技术

以下描述和示例不因在本背景部分中对它们的提及而被承认是现有技术。

为了制造半导体IC芯片，图案缺陷和/或不想要的粒子(残留物)在制造工艺期间不可避免地出现在晶片/掩模的表面上，这在很大程度上减少了产量。因此，产量管理工具被用于检查和/或审查缺陷和粒子。为了满足关于IC芯片的性能的越来越先进的要求，具有越来越小的临界特征尺寸的图案已经被采用。因此，具有光束的传统产量管理工具归因于衍射效应而逐渐变得不能胜任，并且具有电子束的产量管理工具越来越多地被采用。相较于光子束，电子束具有更短的波长并且因此可能提供优良的空间分辨率。当前，具有电子束的产量管理工具采用具有单个电子束的扫描电子显微镜(SEM)的原理，并且如众所周知的，它们的吞吐量不能胜任大批量生产。尽管增大束电流可以改善吞吐量，但是优良的空间分辨率将因随着束电流增大的库仑效应而从根本上恶化。