[发明专利]一种超薄晶圆的划切方法

权利要求书

1.一种超薄晶圆的划切方法，其特征在于，包括以下步骤：

（1）将晶圆背面贴上胶膜，放入60℃～80℃烘箱中烘烤10～30min；

（2）取出烘烤后的晶圆并自然冷却至室温，随后将贴有胶膜的晶圆放置在划片机的陶瓷工作盘上，并开启真空；

（3）将划片刀安装在划片机主轴上并完成修刀和测高程序；

（4）使用主轴转速20000～40000r/min，进刀速度20～40mm/s的工艺参数对晶圆沿横向即CH1方向进行划切，步进间距为N*b，其中b表示晶粒宽度，N=2、3、4……；

（5）使用主轴转速20000～40000r/min，进刀速度40～80mm/s的工艺参数对晶圆沿纵向即CH2方向进行划切，步进间距为N*a，其中a表示晶粒长度，N=2、3、4……；

（6）使用主轴转速20000～40000r/min，进刀速度20～40mm/s的工艺参数对晶圆CH3方向进行划切，步进间距为（N-1）*b，其中b表示晶粒宽度，N=2、3、4……）；

（7）使用主轴转速20000～40000r/min，进刀速度40～80mm/s的工艺参数对晶圆CH4方向进行划切，步进间距为（N-1）*a，其中a表示晶粒长度，N=2、3、4……；

（8）重复执行步骤4）和步骤5），直至晶圆划切为芯粒目标尺寸a x b。

2.根据权利要求1所述的一种超薄晶圆的划切方法，其特征在于：所述步骤（1）中的胶膜采用蓝膜、白膜或UV膜。

3.根据权利要求1所述的一种超薄晶圆的划切方法，其特征在于：步骤（4）和步骤（5）切过程中使用冷却水对晶圆及划片刀进行冲洗。

4.根据权利要求1所述的一种超薄晶圆的划切方法，其特征在于：所述CH1与CH3相互平行，CH2与CH4相互平行。

5.根据权利要求1所述的一种超薄晶圆的划切方法，其特征在于：步骤（4）、（5）、（6）、（7）中进行划切时，划切深度为晶圆的实际厚度+0.03～0.04mm。