[发明专利]基片清洁方法

说明书

本发明涉及一种基片清洁方法。所述基片清洁方法中，待清洁的半导体基片具有多晶硅暴露面，在所述半导体基片上形成保护层，所述保护层至少覆盖所述多晶硅暴露面，接着对覆盖有所述保护层的半导体基片执行湿法清洗，所述湿法清洗采用的清洗液含有强氧化剂。在湿法清洗过程中，由于设置了保护层，可以降低清洗液中的强氧化剂氧化多晶硅导致多晶硅暴露面产生凹坑缺陷的风险，使多晶硅表面在含强氧化剂的清洗液清洗后仍然能够保持完整性。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种基片清洁方法。

背景技术

清洗是半导体元器件制造过程中的必要步骤，根据清洗表面不同，会采用不同成分的清洗液，如硫酸清洗液、SC1清洗液、SC2清洗液等。

SC1清洗液是半导体前端工艺晶圆清洗的主要化学试剂，SC1清洗液是氨水、双氧水以及水的混合物，清洗过程反应温度例如为25摄氏度，主要通过氧化和电性排斥机制来去除晶圆表面的微粒杂质以及聚合物，提升成品率。SC2清洗液是盐酸、双氧水和水的混合物，SC2清洗液的清洗机理是提供一个低PH值的环境，使得碱性的金属离子及金属氢化物能溶于SC2清洗液，因此SC2清洗液主要用来清除晶圆上的金属离子。

研究发现，在采用如SC1清洗液等含有双氧水这类强氧化剂的清洗液清洗多晶硅表面(尤其是掺杂多晶硅表面)时，在去除表面颗粒缺陷的同时容易给多晶硅表面引入新的缺陷，具体表现为在经过诸如SC1清洗液清洗后，多晶硅的部分区域被氧化甚至蚀刻去除，形成凹坑，称为凹坑缺陷(Pits defect)。凹坑缺陷可能发生在半导体基片上进行的其它工艺(如离子注入、热氧化、去胶等)之前或之后的清洗中，在这些清洗过程中，对于暴露的多晶硅表面，含强氧化剂的清洗液容易与多晶硅发生氧化反应，被氧化的多晶硅部分在碱性环境或者在后续的刻蚀工艺中被去除，则在多晶硅表面形成凹坑缺陷。

发明内容

为了避免清洗后多晶硅出现凹坑缺陷，使多晶硅表面在含强氧化剂的清洗液清洗后仍然能够保持完整性，本发明提供一种基片清洁方法。

本发明提供的基片清洁方法，包括：

获得半导体基片，所述半导体基片的待清洁面包括多晶硅暴露面；

在所述半导体基片上形成保护层，所述保护层至少覆盖所述多晶硅暴露面；以及，

对覆盖有所述保护层的半导体基片执行湿法清洗，所述湿法清洗采用的清洗液含有强氧化剂。

可选的，所述多晶硅暴露面区域的多晶硅为掺杂多晶硅。

可选的，所述保护层为氧化硅。

可选的，所述强氧化剂包括高锰酸钾、浓硫酸、浓硝酸、稀硝酸、二氧化锰、三氯化铁和双氧水中的至少一种。

可选的，所述清洗液为SC1清洗液。

可选的，在执行所述湿法清洗之前，所述保护层覆盖所述半导体基片的整个待清洁面。

可选的，所述保护层的厚度大于等于

可选的，所述保护层采用快速热氧化、湿法氧化及原位蒸汽生成中的至少一种形成。

可选的，在所述湿法清洗完成后，所述基片清洁方法还包括：

去除所述半导体基片上剩余的保护层。

可选的，去除所述剩余的保护层采用湿法蚀刻或者干法蚀刻。

本发明的基片清洁方法中，在执行湿法清洗前，先在半导体基片上形成保护层，所述保护层至少覆盖所述多晶硅暴露面，在湿法清洗过程中，由于设置了保护层，可以降低清洗液中的强氧化剂氧化多晶硅导致多晶硅不完整(指不平整或存在缺失)的风险，也可以降低多晶硅暴露面产生凹坑缺陷的风险，使多晶硅表面在含强氧化剂的清洗液清洗后仍然能够保持完整性。

附图说明