[发明专利]基片清洁方法在审
| 申请号： | 202110367937.2 | 申请日： | 2021-04-06 |
| 公开（公告）号： | CN113113291A | 公开（公告）日： | 2021-07-13 |
| 发明（设计）人： | 周俊;孙鹏;杨道虹 | 申请（专利权）人： | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/56 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 曹廷廷 |
| 地址： | 430205 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 清洁 方法 | ||
1.一种基片清洁方法，其特征在于，包括：
获得半导体基片，所述半导体基片的待清洁面包括多晶硅暴露面；
在所述半导体基片上形成保护层，所述保护层至少覆盖所述多晶硅暴露面；以及，
对覆盖有所述保护层的半导体基片执行湿法清洗，所述湿法清洗采用的清洗液含有强氧化剂。
2.如权利要求1所述的基片清洁方法，其特征在于，所述多晶硅暴露面区域的多晶硅为掺杂多晶硅。
3.如权利要求1所述的基片清洁方法，其特征在于，所述保护层为氧化硅。
4.如权利要求1所述的基片清洁方法，其特征在于，所述强氧化剂包括高锰酸钾、浓硫酸、浓硝酸、稀硝酸、二氧化锰、三氯化铁和双氧水中的至少一种。
5.如权利要求1所述的基片清洁方法，其特征在于，所述清洗液为SC1清洗液。
6.如权利要求1所述的基片清洁方法，其特征在于，在执行所述湿法清洗之前，所述保护层覆盖所述半导体基片的整个待清洁面。
7.如权利要求1所述的基片清洁方法，其特征在于，所述保护层的厚度大于等于
8.如权利要求1所述的基片清洁方法，其特征在于，所述保护层采用快速热氧化、湿法氧化及原位蒸汽生成中的至少一种形成。
9.如权利要求1至8任一项所述的基片清洁方法，其特征在于，在所述湿法清洗完成后，所述基片清洁方法还包括：
去除所述半导体基片上剩余的保护层。
10.如权利要求9所述的基片清洁方法，其特征在于，去除所述剩余的保护层采用湿法蚀刻或者干法蚀刻。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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