[发明专利]一种声音探测器件及其制备方法

权利要求书

1.一种声音探测器件，其特征在于，包括：

衬底基板；

突触晶体管，位于所述衬底基板的一侧；所述突触晶体管包括栅极、源极和漏极、位于所述栅极与所述源极和漏极之间的电荷存储层、位于所述电荷存储层与所述栅极之间的绝缘层、以及位于所述电荷存储层与源极和漏极之间的沟道层，且所述源极和所述漏极分别与所述沟道层电连接；

纳米摩擦发电机，位于所述衬底基板的一侧；所述纳米摩擦发电机包括相对设置的正摩擦层和负摩擦层；所述正摩擦层与所述栅极电连接；所述纳米摩擦发电机用于在声波的驱动下，控制所述正摩擦层与所述负摩擦层接触或分离；

其中，所述电荷存储层包括电荷俘获层和隧穿层；

所述电荷俘获层用于在所述栅极产生偏压时，向所述隧穿层提供载流子；

所述隧穿层用于积累所述载流子，并将所述载流子存储至所述沟道层。

2.根据权利要求1所述的声音探测器件，其特征在于，所述隧穿层包括第一隧穿层和第二隧穿层；

所述电荷俘获层设置于所述第一隧穿层和第二隧穿层之间。

3.根据权利要求1所述的声音探测器件，其特征在于，所述电荷俘获层包括二维钛化碳氮材料；所述隧穿层包括氧化钛材料。

4.根据权利要求1所述的声音探测器件，其特征在于，所述正摩擦层与所述栅极同层设置且为一体结构。

5.根据权利要求1所述的声音探测器件，其特征在于，所述纳米摩擦发电机还包括负摩擦电极；

所述负摩擦电极与所述负摩擦层接触且位于所述负摩擦层背离所述正摩擦层的一侧。

6.根据权利要求1所述的声音探测器件，其特征在于，所述栅极、所述正摩擦层、所述源极和所述漏极的材料均包括ITO材料。

7.一种声音探测器件的制备方法，用于制备权利要求1～6任一项所述的声音探测器件，其特征在于，包括：

提供衬底基板；

在所述衬底基板上分别形成突触晶体管和纳米摩擦发电机；

其中，所述突触晶体管包括栅极、源极和漏极、位于所述栅极与所述源极和漏极之间的电荷存储层、位于所述电荷存储层与所述栅极之间的绝缘层、以及位于所述电荷存储层与源极和漏极之间的沟道层，且所述源极和所述漏极分别与所述沟道层电连接；所述纳米摩擦发电机包括相对设置的正摩擦层和负摩擦层；所述正摩擦层与所述栅极电连接；所述纳米摩擦发电机用于在声波的驱动下，控制所述正摩擦层与所述负摩擦层接触或分离；

其中，所述电荷存储层包括电荷俘获层和隧穿层；

所述电荷俘获层用于在所述栅极产生偏压时，向所述隧穿层提供载流子；

所述隧穿层用于积累所述载流子，并将所述载流子存储至所述沟道层。

8.根据权利要求7所述的声音探测器件的制备方法，其特征在于，在所述衬底基板上形成突触晶体管，包括：

在所述衬底基板一侧形成栅极层，并对所述栅极层进行图案化，以形成所述栅极；

在所述衬底基板的一侧形成覆盖所述栅极层的所述绝缘层；

在所述绝缘层背离所述衬底基板的一侧旋涂所述电荷存储层的前驱体溶液，以形成所述电荷存储层；

在所述电荷存储层背离所述衬底基板的一侧旋涂所述沟道层的前驱体溶液，以形成所述沟道层；

在所述沟道层背离所述衬底基板的一侧旋涂所述源极和所述漏极的前驱体溶液，以形成所述源极和所述漏极。

9.根据权利要求7所述的声音探测器件的制备方法，其特征在于，所述纳米摩擦发电机还包括负摩擦电极；

在所述衬底基板上形成纳米摩擦发电机，包括：

提供一负摩擦层；

在所述负摩擦层的一侧旋涂所述负摩擦电极的前驱体溶液，以形成所述负摩擦电极；

在所述衬底基板的一侧形成与所述栅极电连接的所述正摩擦层；

将所述负摩擦层背离所述负摩擦电极的一侧放置于所述衬底基板形成有正摩擦层的一侧。