[发明专利]像素驱动电路及显示面板有效
申请号: | 202110361372.7 | 申请日: | 2021-04-02 |
公开(公告)号: | CN113112958B | 公开(公告)日: | 2022-04-26 |
发明(设计)人: | 杨波 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | G09G3/3225 | 分类号: | G09G3/3225;G09G3/3258 |
代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 远明 |
地址: | 518132 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 像素 驱动 电路 显示 面板 | ||
1.一种像素驱动电路,其特征在于,包括至少三个子像素驱动电路,至少三个所述子像素驱动电路通过感应信号线连接,所述感应信号线的信号输入端设置有电荷吸收模块;
所述电荷吸收模块包括相连接的电压比较单元和控制单元;
所述电压比较单元包括基准信号输入端、比较信号输入端以及第一输出端;
所述控制单元包括供电压输入端、控制信号输入端以及第二输出端;所述控制单元的第二输出端连接所述感应信号线以及所述电压比较单元的比较信号输入端;且所述电压比较单元的第一输出端连接所述控制单元的控制信号输入端。
2.根据权利要求1所述的像素驱动电路,其特征在于,所述控制单元包括第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管和电阻模块,所述第一薄膜晶体管的源极与所述控制单元的供电压输入端电性连接,所述第一薄膜晶体管的漏极与所述第二薄膜晶体管的源极电性连接,所述第一薄膜晶体管的漏极与所述第二薄膜晶体管的源极均与所述控制单元的第二输出端电性连接,所述第一薄膜晶体管的漏极通过所述电阻模块接地,所述第一薄膜晶体管的栅极和所述第二薄膜晶体管的栅极电性连接,且所述第一薄膜晶体管的栅极和所述第二薄膜晶体管的栅极均与所述控制单元的控制信号输入端电性连接。
3.根据权利要求2所述的像素驱动电路,其特征在于,所述电压比较单元的比较信号输入端用于获取所述感应信号线的检测电压的大小,所述电压比较单元的基准信号输入端用于通入基准电压;
当所述检测电压大于所述基准电压,所述电压比较单元的第一输出端输出低电压信号,所述第一薄膜晶体管关闭,所述第二薄膜晶体管导通,所述感应信号线通过所述电压比较单元的比较信号输入端、所述第二薄膜晶体管和所述电阻模块接地,将所述子像素驱动电路中反馈回来的串扰电荷接地,直至所述检测电压等于所述基准电压为止;
当所述检测电压等于所述基准电压,所述电压比较单元的第一输出端输出高电压信号,所述第二薄膜晶体管关闭,所述第一薄膜晶体管导通,所述控制单元的供电压输入端通过所述第一薄膜晶体管向所述控制单元的第二输出端输出参考电压。
4.根据权利要求2所述的像素驱动电路,其特征在于,所述第一薄膜晶体管为N型薄膜晶体管,所述第二薄膜晶体管为P型薄膜晶体管,所述电阻模块为电抗、电感或电阻中一种或一种以上组合结构。
5.根据权利要求3所述的像素驱动电路,其特征在于,所述基准电压为一恒定电压信号。
6.根据权利要求1所述的像素驱动电路,其特征在于,所述子像素驱动电路为3T1C像素电路,包括第三薄膜晶体管、第四薄膜晶体管、第五薄膜晶体管、存储电容Cst以及OLED器件,其中,所述第三薄膜晶体管的栅极与第一扫描线电性连接,所述第三薄膜晶体管的源极与数据信号电性连接,所述第三薄膜晶体管的漏极与第一节点电性连接;所述第四薄膜晶体管的栅极与所述第一节点电性连接,所述第四薄膜晶体管的源极与电源正电压电性连接,所述第四薄膜晶体管的漏极与第二节点和所述OLED器件电性连接;所述第五薄膜晶体管的栅极与第二扫描线电性连接,所述第五薄膜晶体管的源极与所述第二节点电性连接,所述第五薄膜晶体管的漏极通过所述感应信号线与所述控制单元的第二输出端电性连接;所述第一节点和所述第二节点之间设置有存储电容Cst。
7.根据权利要求6所述的像素驱动电路,其特征在于,所述子像素驱动电路还包括ADC模块和单刀双掷开关,所述第五薄膜晶体管的漏极与所述单刀双掷开关的固定端电性连接,所述ADC模块和所述感应信号线分别与所述单刀双掷开关的两侧动端电性连接,所述ADC模块用于获取所述第四薄膜晶体管的阙值电压。
8.根据权利要求7所述的像素驱动电路,其特征在于,在显示帧周期的显示时间内,所述单刀双掷开关与所述感应信号线电性连接,所述单刀双掷开关与所述ADC模块断开;在显示帧周期的非显示时间内或非显示帧周期内,所述单刀双掷开关与所述ADC模块电性连接,所述单刀双掷开关与所述感应信号线断开。
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