[发明专利]静电保护电路及静电保护网络

权利要求书

1.一种芯片的静电保护网络，其特征在于，所述芯片包括两个第一焊盘、两个第二焊盘，分别记为第一焊盘P1、第一焊盘P2、第二焊盘P1、第二焊盘P2；

所述第一焊盘P1与所述第二焊盘P1之间具有第一静电保护电路；

所述第一焊盘P2与所述第二焊盘P2之间具有第二静电保护电路；

所述第一焊盘P1与所述第一焊盘P2之间具有第三静电保护电路；

所述第二焊盘P1与所述第二焊盘P2之间具有第四静电保护电路；

所述第一焊盘P1与第一内部电路的第一端之间具有第一储能元件，所述第一储能元件为电感；

所述第二焊盘P1与第一内部电路的第二端之间具有第二储能元件，所述第二储能元件为电感；

所述第一焊盘P2与第二内部电路的第一端之间具有第三储能元件，所述第三储能元件为电感；

所述第二焊盘P2与第二内部电路的第二端之间具有第四储能元件，所述第四储能元件为电感；

所述第一静电保护电路和所述第二静电保护电路的结构相同；在所述第一焊盘与第二焊盘之间还设置内部电路，所述内部电路具有第一端和第二端，所述第一静电保护电路包括：

监测单元，用于监测所述第一焊盘P1上由静电电荷引起的静电脉冲；

泄放晶体管，用于在监测到所述静电脉冲后导通，以泄放所述静电电荷；

储能元件，其第一端连接所述第一焊盘P1，其第二端连接所述内部电路的第一端，用于储存部分的所述静电电荷，所述储能元件包括电感。

2.根据权利要求1所述的芯片的静电保护网络，其特征在于，所述监测单元包括：

监测电阻，其第一端接所述第一焊盘P1；

监测电容，其第一端与所述监测电阻的第二端连接，其第二端接所述第二焊盘P1。

3.根据权利要求2所述的芯片的静电保护网络，其特征在于，所述第一静电保护电路还包括：

驱动单元，其输入端与所述监测单元的输出端连接，其输出端与所述泄放晶体管的控制端连接。

4.根据权利要求1所述的芯片的静电保护网络，其特征在于，所述监测单元包括：

监测电容，其第一端接所述第一焊盘P1；

监测电阻，其第一端与所述监测电容的第二端连接，其第二端接所述第二焊盘P1。

5.根据权利要求1所述的芯片的静电保护网络，其特征在于，所述储能元件包括顶层金属线，所述顶层金属线的第一端与所述第一焊盘P1相连，所述顶层金属线的第二端与所述内部电路的第一端相连。

6.根据权利要求5所述的芯片的静电保护网络，其特征在于，所述顶层金属线包括第一段、第二段、第三段；所述第一段与所述第二段连接，且所述第一段与所述第二段连接处的夹角小于180度；所述第二段与所述第三段连接，且所述第二段与所述第三段连接处的夹角小于180度。

7.根据权利要求6所述的芯片的静电保护网络，其特征在于，所述第二段在衬底上的投影形状包括U型、V型、C型、Ω型、凹形或者凸型。

8.根据权利要求6所述的芯片的静电保护网络，其特征在于，所述第二段构成非闭合线圈，所述非闭合线圈的两端分别与所述第一段、所述第三段连接。

9.根据权利要求5所述的芯片的静电保护网络，其特征在于，所述储能元件还包括次顶层金属线和通孔，所述顶层金属线通过所述通孔与所述次顶层金属线连接，所述顶层金属线、所述通孔和所述次顶层金属线构成环形线圈。

10.根据权利要求1所述的芯片的静电保护网络，其特征在于，所述第一焊盘P1在衬底上的投影与所述泄放晶体管的漏极区在所述衬底上的投影部分重叠。

11.根据权利要求10所述的芯片的静电保护网络，其特征在于，记所述第一焊盘P1在所述衬底上的投影为第一投影，记所述漏极区在所述衬底上的投影为第二投影，所述第一投影位于所述第二投影内。