[发明专利]用于高压栅驱动芯片的高精度宽电压范围过温保护电路

权利要求书

1.用于高压栅驱动芯片的高精度宽电压范围过温保护电路，其特征是，包括依次连接的钳位电路(1)、温度检测电路(2)、宽电压范围比较器电路(3)和输出整形电路(4)，所述温度检测电路(2)根据钳位电路(1)提供的偏置电压Vb得到第一温度检测输出信号Vin1和第二温度检测输出信号Vin2；所述宽电压范围比较器电路(3)将第一温度检测输出信号Vin1和第二温度检测输出信号Vin2进行比较，得到比较输出信号Vo1；所述输出整形电路(4)将比较输出信号Vo1进行处理得到温度保护输出信号OTLock，OTLock是一种数字逻辑信号，OTLock连接到钳位电路(1)用于控制偏置电压Vb的大小，OTLock同时还作为一个控制信号输出给高压栅驱动芯片中的其他电路模块。

2.根据权利要求1所述的用于高压栅驱动芯片的高精度宽电压范围过温保护电路，其特征是，当芯片温度正常时，温度保护输出信号OTLock为高电平，该高电平将控制钳位电路(1)产生一个偏置电压；当芯片温度异常时，温度保护输出信号OTLock改变为低电平逻辑信号，该低电平将控制钳位电路(1)产生另外一个偏置电压，进一步锁定为低电平信号。

3.根据权利要求1所述的用于高压栅驱动芯片的高精度宽电压范围过温保护电路，其特征是，所述钳位电路(1)包括：PMOS管M11、NMOS管M12、NMOS管M13、电阻R11、电阻R12和电阻R13；其中，PMOS管M11的源极连接电阻R11的上端，并同时连接到电源电压VCC；PMOS管M11的栅极连接NMOS管M12的栅极，并同时连接到温度保护输出信号OTLock；PMOS管M11的漏极连接NMOS管M12的漏极，并同时连接到NMOS管M13的栅极；NMOS管M12的源极连接电阻R13的下端和NMOS管M13的源极，并同时连接到地电压GND；NMOS管M13的漏极同时连接电阻R13的上端和电阻R12的下端；电阻R12的上端和电阻R11的下端相连，并作为钳位电路(1)的偏置电压Vb输出节点。

4.根据权利要求1所述的用于高压栅驱动芯片的高精度宽电压范围过温保护电路，其特征是，所述温度检测电路(2)包括：PMOS管M21、PMOS管M22、电阻R21、三极管Q1和三极管Q2；三极管Q1和三极管Q2基极相连，并连接到所述钳位电路(1)的偏置电压Vb输出节点；三极管Q1的发射极连接到PMOS管M21的栅极和漏极，其节点电压作为第一温度检测输出信号Vin1；三极管Q2的发射极连接到PMOS管M22的栅极和漏极，其节点电压作为第二温度检测输出信号Vin2；PMOS管M21源极和PMOS管M22源极相连，并连接到电源电压VCC；三极管Q2的集电极连接到电阻R21的上端；电阻R21的下端连接到三极管Q1的集电极，并连接到地电压GND；其中，PMOS管M21和PMOS管M22的宽长比相等，三极管Q1和三极管Q2的基极面积比为1：N，N为自然数。