[发明专利]MOS器件闪烁噪声模型及提取方法

权利要求书

1.一种MOS器件闪烁噪声模型，其特征在于，所述MOS器件闪烁噪声模型为：

LINTNOI＝lintnoi0*f(w)

其中，K_B为玻尔兹曼常数，T为温度，q为电子的电荷常量，μ_eff为有效迁移率，I_ds为器件电流，C_oxe为栅电容，L_eff为有效沟道长度，W_eff为有效沟道宽度，A_bulk为衬底电荷效应的参数，f为闪烁噪声频率，ef为闪烁噪声频率的指数，NOIA、NOIB及NOIC为闪烁噪声拟合参数，N₀为源端的电荷密度，N_l为漏端的电荷密度，N^*＝K_BT(C_oxe+C_d+CIT)/q²，C_d为耗尽电容，CIT为界面陷阱电容，△L_clm为沟道长度调制参数，LINTNO为与MOS器件长度相关的修正函数，f(w)为与MOS器件宽度相关的修正函数，Wstd为器件的基准宽度，scale为器件尺寸的缩减因子，W为器件的实际宽度，lintnoi0为与MOS器件长度相关的修正系数，lintnoi-ww为与MOS器件宽度相关的修正系数。

2.一种如权利要求1所述的MOS器件闪烁噪声模型的提取方法，其特征在于，包括：

S1、设计不同尺寸的MOS器件结构，并根据各个MOS器件的尺寸将所有MOS器件划分为第一MOS器件和第二MOS器件，所述第一MOS器件的宽度大于阈值，所述第二MOS器件的宽度小于所述阈值；

S2、测量不同尺寸的MOS器件的闪烁噪声数据；

S3、建立基本的闪烁噪声模型；

S4、对所述第一MOS器件的闪烁噪声特性进行曲线拟合，若拟合不好，则进入S5，如拟合好，则进入S6；

S5、修改与MOS器件长度相关的常数，并进入S4；

S6、建立引入与器件宽度相关的修正函数的闪烁噪声模型；

S7、对所述第二MOS器件的闪烁噪声特性进行曲线拟合，若拟合不好，则进入S8，如拟合好，则进入S9；

S8、修改与MOS器件宽度相关的修正函数中的修正系数，并进入S7；

S9、根据S7得到第二MOS器件的闪烁噪声模型，并对所述第二MOS器件的闪烁噪声模型进行验证。

3.如权利要求2所述的MOS器件闪烁噪声模型的提取方法，其特征在于，所述步骤S1中，设计不同尺寸的MOS器件结构时，各个MOS器件的长度和宽度同时减小。

4.如权利要求2所述的MOS器件闪烁噪声模型的提取方法，其特征在于，所述步骤S3中，建立基本的闪烁噪声模型：

其中，LINTNOI为与MOS器件长度相关的修正常数。

5.如权利要求2所述的MOS器件闪烁噪声模型的提取方法，其特征在于，所述步骤S4中，若测量的闪烁噪声数据与根据基本的闪烁噪声模型得到的闪烁噪声数据相差大于或等于30％，则认为拟合不好；若测量的闪烁噪声数据与根据基本的闪烁噪声模型得到的闪烁噪声数据相差小于30％，则认为拟合好。

6.如权利要求5所述的MOS器件闪烁噪声模型的提取方法，其特征在于，根据基本的闪烁噪声模型得到的闪烁噪声数据为通过仿真根据基本的闪烁噪声模型得到的闪烁噪声数据。

7.如权利要求5所述的MOS器件闪烁噪声模型的提取方法，其特征在于，所述步骤S5具体包括：根据测量的闪烁噪声数据与根据基本的闪烁噪声模型得到的闪烁噪声数据的偏差量修改与MOS器件长度相关的常数。