[发明专利]一种花瓣状微-纳复合结构硅材料及其制备方法和应用有效
申请号: | 202110334345.0 | 申请日: | 2021-03-29 |
公开(公告)号: | CN113097462B | 公开(公告)日: | 2022-10-28 |
发明(设计)人: | 陈情泽;朱润良;何宏平;朱建喜;杜静 | 申请(专利权)人: | 中国科学院广州地球化学研究所 |
主分类号: | H01M4/36 | 分类号: | H01M4/36;H01M4/38;H01M10/052;B82Y30/00;B82Y40/00 |
代理公司: | 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人: | 黄燕 |
地址: | 510000 广*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 花瓣 复合 结构 材料 及其 制备 方法 应用 | ||
本发明公开了一种花瓣状微‑纳复合结构硅材料及其制备方法和应用,涉及锂电池材料技术领域。该制备方法包括:将硅源、水、碱和碳酸盐的第一混合物进行水热反应,反应结束后,干燥得到硅前驱体;将硅前驱体和金属还原剂的第二混合物进行还原反应,反应结束后,干燥得到花瓣状微‑纳复合结构硅材料;其中,硅源为二氧化硅和黏土矿物中的至少一种。该花瓣状微‑纳复合结构硅材料是由纳米硅组成的二次团聚体构成,微观呈现花瓣状形貌,具有多级孔结构。该材料兼具纳米硅和微米硅的特点,具有振实密度高、离子/电子传递路径短等优点,可应用于锂电子电池负极材料领域。
技术领域
本发明涉及锂电池材料技术领域,具体而言,涉及一种花瓣状微-纳复合结构硅材料及其制备方法和应用。
背景技术
电动汽车、移动电子设备、智能电网等众多行业产品/设备的快速发展,对锂离子电池提出了更高的要求,制备更高性能的锂离子电池面临巨大挑战。硅被认为是最有前景的锂离子电池负极材料,其理论比容量远优于商业石墨负极材料(4200vs 372mAh/g),且其放电电位接近金属锂(~0.2V)。但是,硅负极在充放电循环过程中会发生巨大的体积变化,产生的应力会使硅颗粒破裂、粉化,与集流体失去有效电接触,导致容量快速衰减;此外,硅剧烈的体积变化会促进固体电解质界面膜生成,消耗更多不可逆的锂离子。为了解决上述问题,当前主要有两种策略:(1)减少硅尺寸,如制备各种纳米结构(纳米颗粒、纳米线、纳米片、多孔结构等),进而有效地抑制循环过程中因为硅体积变化产生的机械应力,且缩短锂离子的扩散路径;(2)在硅表面引入导电保护层(如碳材料、导电聚合物、金属等),充当缓冲介质、抑制体积变化,且提升硅负极的传输性质。这些策略在一定程度上都能改善硅负极的电化学储锂性能。
然而,硅负极材料的实际应用还存在一些技术障碍。首先,纳米硅的振实密度远低于商用石墨,导致其体积能量密度较低。其次,硅纳米颗粒还可能产生一些健康和安全问题,比如人体吸入、爆炸风险等。另一方面,大尺寸(微米)硅负极材料可以提高锂电子电池体积能量密度。但是,微米硅在充放电过程中更易粉化,且具有较长的离子/电子传递路径,导致容量衰减快、倍率性能差。
鉴于此,特提出本发明。
发明内容
本发明的目的在于提供一种花瓣状微-纳复合结构硅材料的制备方法,该方法简单易行,无需额外引入模板剂(如碳材料),制备过程绿色可控,无需使用有毒危险试剂,容易扩大制备。
本发明的目的在于提供一种花瓣状微-纳复合结构硅材料,其具有花瓣状微米结构,具有振实密度高、离子/电子传递路径短等优点。
本发明的目的在于提供一种花瓣状微-纳复合结构硅材料在锂电子电池中的应用。
本发明的目的在于提供一种锂离子电极负极材料,其具有优异的电化学储锂性能。
本发明是这样实现的:
第一方面,本发明提供一种花瓣状微-纳复合结构硅材料的制备方法,其包括:
将硅源、水、碱和碳酸盐的第一混合物进行水热反应,反应结束后,干燥得到硅前驱体;
将所述硅前驱体和金属还原剂的第二混合物进行还原反应,反应结束后,干燥得到花瓣状微-纳复合结构硅材料;
其中,所述硅源为二氧化硅和黏土矿物中的至少一种。
第二方面,本发明提供一种花瓣状微-纳复合结构硅材料,其是采用如前述实施方式任一项所述的花瓣状微-纳复合结构硅材料的制备方法制备而成。
第三方面,本发明提供如前述实施方式所述的花瓣状微-纳复合结构硅材料在锂电子电池中的应用。
第四方面,本发明提供一种锂离子电极负极材料,其包括如前述实施方式所述的花瓣状微-纳复合结构硅材料。
本发明具有以下有益效果:
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院广州地球化学研究所,未经中国科学院广州地球化学研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202110334345.0/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:拍摄元件
- 下一篇:阵列基板及其制作方法