[发明专利]一种快速剔除Flash不稳定块的方法、系统、装置及存储介质有效
申请号: | 202110307834.7 | 申请日: | 2021-03-23 |
公开(公告)号: | CN113050888B | 公开(公告)日: | 2022-11-01 |
发明(设计)人: | 张驰;张辉;胡来胜;张如宏;陈向兵 | 申请(专利权)人: | 深圳三地一芯电子有限责任公司 |
主分类号: | G06F3/06 | 分类号: | G06F3/06;G11C29/42 |
代理公司: | 北京维正专利代理有限公司 11508 | 代理人: | 吴珊 |
地址: | 518000 广东省深圳市龙岗区坂田街*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 快速 剔除 flash 不稳定 方法 系统 装置 存储 介质 | ||
本申请涉及一种快速剔除Flash不稳定块的方法、系统、装置及存储介质,涉及Flash不稳定块剔除的技术领域,其中方法包括获取坏块位置,根据坏块位置分析地址线上所有的块是否不稳定;获取分析结果,并剔除该地址线上所有的块。本申请具有通过对坏块位置的分析,来分析这根地址线上的块是否不稳定,得到结果并全部剔除这根地址线上所有的块的效果。
技术领域
本申请涉及Flash不稳定块剔除的技术领域,尤其是涉及一种快速剔除Flash不稳定块的方法、系统、装置及存储介质。
背景技术
NAND Flash存储器是Flash存储器的一种,其内部采用非线性宏单元模式,为固态大容量内存的实现提供了廉价有效的解决方案。NAND Flash存储器具有容量较大,改写速度快等优点,适用于大量数据的存储。因NAND Flash的硬件机制,NAND Flash在出厂及使用过程中会出现坏块;为避免坏块读写操作和保护数据不丢失,应对坏块进行有效分析和管
相关技术可参考申请公开号为CN110597458A的中国发明专利,其提供一种NANDFLASH的坏块处理方法,首先进行NAND FLASH出厂坏块检查,之后对坏块进行处理,若NANDFLASH写入数据失败,则备份此块已有数据至缓存块中,然后擦除此块;若CC校验失败或读写数据对比不一致,则备份此块已有数据至缓存块中,擦除此块。
针对上述中的相关技术,发明人认为存在有以下缺陷:Flash的有部分块扫描标记点或者ECC对比的时候都是好的,逻辑读写就是坏的,或者有时好有时坏,这种块就属于不稳定块。现有的读原厂坏块信息或者ECC对比检测坏块并不能完全的检查出这些不稳定块,一旦这种不稳定的块用起来就会导致用户数据出错,对数据安全有很大影响。
发明内容
为了排除一些扫描不出来的不稳定块,本申请提供一种快速剔除Flash不稳定块的方法、系统、装置及存储介质。
第一方面,本申请提供一种快速剔除Flash不稳定块的方法,采用如下的技术方案:
一种快速剔除Flash不稳定块的方法,包括:
获取坏块位置,根据坏块位置分析地址线上所有的块是否不稳定;
获取分析结果,并剔除该地址线上所有的块。
通过采用上述技术方案,通过对坏块位置的分析,来分析这根地址线上的块是否不稳定,得到结果并全部剔除这根地址线上所有的块,从而快速剔除一些扫描不出来的不稳定块,达到保障数据安全的效果。
可选的,所述获取坏块位置,根据坏块位置分析地址线上所有的块是否不稳定的步骤包括:
统计每个BANK中坏块的数量;
根据坏块的数量,计算坏块比例;
根据坏块比例,与预设的标准比例对比,并判断是否超过预设的标准比例;
若判断为是,则进行分析。
可选的,所述统计每个BANK中坏块的数量的步骤之后,包括:获取坏块的数量,根据坏块的数量形成坏块列表。
通过采用上述技术方案,方便对坏块的存放。
可选的,所述若判断为是,则进行分析的步骤包括:
获取坏块列表和预先设置的地址线参数;
统计每个地址线上坏块的比例;
将达到预设条件的地址线标坏,形成分析结果。
可选的,所述获取坏块列表和预先设置的参数的步骤包括:所述地址线参数包括地址线高位比例和地址线低位比例两个参数。
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