[发明专利]键盘结构、键盘组件、移动终端及键盘杀菌方法有效
申请号: | 202110307640.7 | 申请日: | 2021-03-23 |
公开(公告)号: | CN113031785B | 公开(公告)日: | 2022-12-20 |
发明(设计)人: | 张祐诚;李璟林;黄彥衡 | 申请(专利权)人: | 业成科技(成都)有限公司;业成光电(深圳)有限公司;业成光电(无锡)有限公司;英特盛科技股份有限公司 |
主分类号: | G06F3/02 | 分类号: | G06F3/02;A61L2/10;A61L2/26 |
代理公司: | 成都希盛知识产权代理有限公司 51226 | 代理人: | 杨冬梅;张行知 |
地址: | 611730 四川*** | 国省代码: | 四川;51 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 键盘 结构 组件 移动 终端 杀菌 方法 | ||
本申请涉及键盘结构、键盘组件、移动终端及键盘杀菌方法;所述键盘结构包括本体、设于本体上的面板、设于本体上的弹性件、设于弹性件上且穿过面板的键帽,还包括短波紫外发光二极管;键帽采用穿透紫外线材料制备;短波紫外发光二极管设于本体上,短波紫外发光二极管的照射范围穿过至少部分键帽。巧妙地将短波紫外发光二极管结合于键盘上,通过调整键帽的设计,有利于穿透紫外线且将紫外线导出至键盘表面以达杀菌目的,从而对键盘进行消毒杀菌,具有快速、彻底、不污染、操作简便、使用及维护费用低等优点;且能耗低,无论是自带电源还是外接电源均可使用,降低了肮脏键盘的使用风险,有效地保障了用户的使用安全。
技术领域
本申请涉及键盘消毒领域,特别是涉及键盘结构、键盘组件、移动终端及键盘杀菌方法。
背景技术
每天使用的键盘细菌量比马桶多了3倍,而且一般键盘很少有人会特别清理,所以会藏着超多可以伤害人体的细菌,因此有必要对键盘进行消毒杀菌。
根据波长的不同,传统的常见光波谱如图1所示,其包括X射线110、真空紫外线120、短波紫外线130、中波紫外线140、长波紫外线150、可见光160、红外线170等,其中,紫外线(ultraviolet,UV,亦称紫外光)尤其是波长位于200nm至280nm范围的短波紫外线(UV-C),对于为害人体的细菌、病毒或其它微生物,有极大的摧毁作用,一般照射1秒至2秒内就可达到灭菌的效果;且短波紫外线消毒法,具有快速、彻底、不污染、操作简便、使用及维护费用低等优点。
传统的键盘结构如图2所示,其包括本体210、设于所述本体210上的面板220、设于所述本体210上的弹性件240、设于所述弹性件240上且穿过所述面板220的键帽230;但是,尚未有短波紫外线作用于键盘的消毒杀菌见诸文献。
发明内容
基于此,有必要提供一种键盘结构、键盘组件、移动终端及键盘杀菌方法。
一种键盘结构,其包括本体、设于所述本体上的面板、设于所述本体上的弹性件、设于所述弹性件上且穿过所述面板的键帽,还包括短波紫外发光二极管;
至少部分所述键帽具有采用穿透紫外线材料制备的透射区;
所述短波紫外发光二极管设于所述本体上,所述短波紫外发光二极管的照射范围穿过至少部分所述键帽。
上述键盘结构,巧妙地将短波紫外发光二极管结合于键盘上,通过调整键帽的设计,有利于穿透紫外线且将紫外线导出至键盘表面以达杀菌目的,从而对键盘进行消毒杀菌,具有快速、彻底、不污染、操作简便、使用及维护费用低等优点;且能耗低,无论是自带电源还是外接电源均可使用,降低了肮脏键盘的使用风险,有效地保障了用户的使用安全。
在其中一个实施例中,部分或全部所述键帽采用穿透紫外线材料制备;及/或,所述短波紫外发光二极管设于所述键帽下方;及/或,所述短波紫外发光二极管设于所述键帽下方,且仅于下方设有所述短波紫外发光二极管的所述键帽具有采用穿透紫外线材料制备的透射区;及/或,所述键帽的透射区内部设有漫反射表面;及/或,所述键盘结构于所述键帽下方及所述短波紫外发光二极管上方设有导光体,所述导光体用于透射所述短波紫外发光二极管的出射光线;及/或,所述键帽外部设有光滑表面。
在其中一个实施例中,所述短波紫外发光二极管的数量及位置根据所述短波紫外发光二极管的照射范围而设置,以使全部所述键帽均被紫外线照射,或使所述面板及全部所述键帽均被紫外线照射;及/或,所述键盘结构的被紫外线照射范围所受到的照射强度大于40微瓦每平方厘米;及/或,所述短波紫外发光二极管的位置远离所述弹性件及所述本体上的金属部件或增厚位置。
在其中一个实施例中,所述面板亦采用穿透紫外线材料制备,且所述短波紫外发光二极管设于所述面板下方及/或所述键帽下方。
在其中一个实施例中,所述穿透紫外线材料包括紫外线带通片及石英。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于业成科技(成都)有限公司;业成光电(深圳)有限公司;业成光电(无锡)有限公司;英特盛科技股份有限公司,未经业成科技(成都)有限公司;业成光电(深圳)有限公司;业成光电(无锡)有限公司;英特盛科技股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202110307640.7/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。