[发明专利]一种强脉冲极紫外光源系统在审
申请号: | 202110303927.2 | 申请日: | 2021-03-22 |
公开(公告)号: | CN112859547A | 公开(公告)日: | 2021-05-28 |
发明(设计)人: | 芶富均;陈波;陈建军 | 申请(专利权)人: | 芶富均 |
主分类号: | G03F7/20 | 分类号: | G03F7/20;H05G2/00 |
代理公司: | 成都春夏知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 51317 | 代理人: | 夏琴 |
地址: | 550025 贵州省贵*** | 国省代码: | 贵州;52 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 脉冲 紫外 光源 系统 | ||
本发明公开了一种强脉冲极紫外光源系统,其等离子体源与真空腔室相连通,电极靶设置于真空腔室内腔下部,等离子体源与等离子体电源电连接,等离子体源具有进气口,等离子体源位于进气口下部区域具有放电区,放电区下部具有喷嘴,进气口通过放电区与喷嘴连通,喷嘴侧面连通有导气口,喷嘴底部具有喷口,真空腔室顶部具有顶部开口,喷口与顶部开口连通,喷嘴所在区域外侧套装有第一线圈,电极靶所在区域外侧套装有第二线圈,第一线圈和第二线圈通过线圈电源提供电源,真空腔室侧面具有引出口,真空腔室底部与真空泵连通,真空腔室与接地端电连接,解决现有技术中需要产生稳定高效的13.5nm光源的技术问题。
技术领域
本发明属于检测装置领域,尤其涉及一种强脉冲极紫外光源系统。
背景技术
光刻是芯片制造技术的主要环节之一,光刻机分为紫外光源(UV)、深紫外光源(DUV)、极紫外光源(EUV)。随着集成电路的发展,高度集成技术需求也逐渐提高,大部分电子元器件和存储单元趋于超小型化。采用极紫外光源(EUV)生产超小型芯片已最为核心的是新一代曝光技术。对于工业生产用EUV光刻机,其关键部件多层涂层镜、光收集器等,因其性能参数要求较高,如果不满足要求会影响到光学系统的工作效率。所以装机前要采用13.5nm光源对其检测评估,判断是否满足使用要求。这些器件使用过程中,会受到碳污染,影响到光学系统的工作效率,需对其进行清洗并重新检测。也需要采用13.5nm光源对其检测评估,所以如何开发一款高效稳定产生13.5nm光源的系统是本领域技术人员一直思考的难题。
发明内容
本发明的目的在于提供一种强脉冲极紫外光源系统,解决上述现有技术中需要产生稳定高效的13.5nm光源的技术问题。
本发明解决其技术问题所采用的技术方案是:
一种强脉冲极紫外光源系统,包括:等离子体源、真空腔室、电极靶、第一磁场线圈、第二磁场线圈、真空泵、等离子体电源和线圈电源,所述等离子体源与真空腔室相连通,所述电极靶设置于真空腔室内腔下部,所述等离子体源与等离子体电源电连接,所述等离子体源具有进气口,所述等离子体源位于进气口下部区域具有放电区,所述放电区下部具有喷嘴,所述进气口通过放电区与喷嘴连通,所述喷嘴侧面连通有导气口,所述喷嘴底部具有喷口,所述真空腔室顶部具有顶部开口,所述喷口与顶部开口连通,所述喷嘴所在区域外侧套装有第一线圈,所述电极靶所在区域外侧套装有第二线圈,所述第一线圈和第二线圈通过线圈电源提供电源,所述真空腔室侧面具有引出口,所述真空腔室底部与真空泵连通,所述真空腔室与接地端电连接。
本发明的一种强脉冲极紫外光源系统,所述电极靶与脉冲电源电连接,所述脉冲电源另一端与等离子体电源电连接。
本发明的一种强脉冲极紫外光源系统,所述等离子体源与真空腔室之间设置有第一绝缘垫,所述真空腔室的顶部开口内设置有第一绝缘套。
本发明的一种强脉冲极紫外光源系统,所述电极靶包括:靶头和导杆,所述靶头与导杆连接,所述导杆上具有连接孔,所述连接孔与脉冲电源连接。
本发明的一种强脉冲极紫外光源系统,所述导杆上具有安装板,所述安装板上具有若干安装孔,所述安装孔内穿设有连接螺钉与真空腔室连接。
本发明的一种强脉冲极紫外光源系统,所述靶头外侧设置有循环冷却水管,所述循环冷却水管沿着导杆延伸至真空腔室外部。
本发明的一种强脉冲极紫外光源系统,所述安装板与真空腔室之间设置有第二绝缘套,所述第二绝缘套的截面形状呈T字形结构。
本发明的一种强脉冲极紫外光源系统,所述连接螺钉外套装有第三绝缘套。
本发明的一种强脉冲极紫外光源系统,所述等离子体电源的正极输出端设置有反冲保护电路,所述反冲保护电路由单向二极管 和接触器组成。
本发明的一种强脉冲极紫外光源系统,所述电极靶上方设置有隔板,所述隔板与电极靶位置对应处设置有通过孔。
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