[发明专利]一种显示面板、显示面板制程方法及显示装置有效
申请号: | 202110303910.7 | 申请日: | 2021-03-22 |
公开(公告)号: | CN113097259B | 公开(公告)日: | 2022-06-10 |
发明(设计)人: | 袁伟;周星宇 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 远明 |
地址: | 518132 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 显示 面板 方法 显示装置 | ||
本申请公开了一种显示面板、显示面板制程方法及显示装置。该显示面板中的像素定义层具有第一部分和第二部分,且第一部分和第二部分形成了台阶。第一部分和第二部分的像素定义层形成的开口大小不同,能够提升像素定义层开口的容纳能力,从而改善发光功能层中红色发光功能层和绿色发光功能层膜层较厚容易溢出发生混色的问题。此外,第二部分的开口较大,增大了像素的开口率,提升了显示效果,降低了制程成本。
技术领域
本申请涉及显示技术领域,具体涉及一种显示面板、显示面板制程方法及显示装置。
背景技术
喷墨印刷有机发光二极管(Ink-Jet Printing OrganicLight-Emitting Diode,IJP OLED)是一种新型显示技术,其拥有液晶显示器(Liquid Crystal Display,LCD)技术无法比拟的物理优势。IJP OLED具有主动发光、色彩真实、无限对比度、零延迟、透明显示、柔性显示、显示形态自由等特性,是可以替代液晶显示技术的下一代显示技术。IJP OLED显示技术由于不需要背光的支持,结构较LCD更为简单,显示产品可以做到更轻薄。而且,它的工作条件具备驱动电压低、能耗低、可与太阳能电池、集成电路等相匹配的一系列优点。此外,由于IJP OLED器件是全固态、非真空器件,具有抗震荡、耐低温等特性,因此应用范围十分广泛。
在对现有技术的研究和实践过程中,本申请的发明人发现,在大尺寸面板方向,为应对高分辨率8K显示的需求,IJP OLED结构也从底发射结构向顶发射结构转变,但目前发展的顶发射IJP OLED结构仍存在不少的问题。其中之一为打印的墨水浓度较低,需要打印较多的墨水才能达成有机层目标膜厚。但较多墨水通常容易与非目标光色的墨水发生桥连,导致显示面板混色。对此,通常的做法是增加像素定义层间距,但是这种方式会导致开口率降低,有效发光面积较小,对薄膜晶体管(Thin Film Transistor,TFT)和OLED器件性能要求随之提升。
发明内容
本申请提供一种显示面板、显示面板制程方法及显示装置,可以提升像素定义层储存发光功能层材料的能力,避免发光功能层材料溢流,降低喷墨打印混色风险。
本申请提供一种显示面板,包括:
阵列基板,所述阵列基板包括相对设置的第一面和第二面;
像素电极,所述像素电极设置在所述第一面上,所述像素电极包括红色子像素电极、绿色子像素电极以及蓝色子像素电极,所述红色子像素电极、所述绿色子像素电极以及所述蓝色子像素电极之间均具有间隙;
像素定义层,所述像素定义层对应设置在所述间隙中,所述像素定义层上设有开口,所述开口包括红色子像素开口、绿色子像素开口以及蓝色子像素开口,所述红色子像素开口、所述绿色子像素开口以及所述蓝色子像素开口对应所述红色子像素电极、所述绿色子像素电极以及所述蓝色子像素电极设置,形成所述红色子像素开口和所述绿色子像素开口的所述像素定义层具有第一部分和第二部分,所述第一部分与所述第二部分形成台阶,所述第二部分设置在所述第一部分远离所述第一面的一侧,所述第一部分的开口宽度小于所述第二部分的开口宽度;以及
发光功能层,所述发光功能层设置在所述像素定义层远离所述第一面的一侧,且位于所述开口中,所述发光功能层包括红色发光功能层、绿色发光功能层以及蓝色发光功能层,所述红色发光功能层、所述绿色发光功能层与所述蓝色发光功能层对应设置在所述红色子像素开口、所述绿色子像素开口以及所述蓝色子像素开口中。
可选的,在本申请的一些实施例中,形成所述蓝色子像素开口的所述像素定义层具有第一部分和第二部分,所述第一部分与所述第二部分形成台阶,所述第二部分设置在所述第一部分远离所述第一面的一侧,所述第一部分的开口宽度小于所述第二部分的开口宽度。
可选的,在本申请的一些实施例中,所述像素定义层靠近所述第一面的一侧具有亲液性,所述像素定义层远离所述第一面的一侧具有疏液性。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的