[发明专利]一种微型二极管显示承载基板及显示面板、显示装置有效
申请号: | 202110292215.5 | 申请日: | 2021-03-18 |
公开(公告)号: | CN113066813B | 公开(公告)日: | 2022-07-29 |
发明(设计)人: | 蔡雨 | 申请(专利权)人: | 武汉天马微电子有限公司 |
主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15;H01L21/67;H01L23/544 |
代理公司: | 北京汇思诚业知识产权代理有限公司 11444 | 代理人: | 高飞 |
地址: | 430205 湖北省武*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 微型 二极管 显示 承载 面板 显示装置 | ||
本申请实施例提供一种微型二极管显示承载基板,包括第一衬底、像素电路阵列层、第一键合层;像素电路阵列层位于第一衬底的一侧且包括多个像素电路;第一键合层位于像素电路阵列层远离第一衬底的一侧,第一键合层包括至少一个第一键合结构,第一键合结构与像素电路电连接;至少一个第一键合结构远离第一衬底的一侧设置有对位槽或者对位凸起;对位槽或者对位凸起用于在微型二极管绑定至承载基板时,配合微型二极管的电极进行对位操作。本申请实施例中第一键合结构的对位槽或者对位凸起可以与微型二极管中的电极形成嵌套结构,在第一键合结构与对应的微型二极管中的电极中的至少一者所设置的焊锡熔融实现键合时,解决了微型二极管绑定错位的问题。
【技术领域】
本申请涉及显示技术领域,尤其涉及一种微型二极管显示承载基板及显示面板、显示装置。
【背景技术】
作为新一代的显示技术,微型二极管(Micro Light-Emitting Diode,Micro-LED)显示面板具有亮度更高、发光效率更好、功耗更低的显著优势。区别于有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode,OLED)显示面板采用膜层沉积的制作方式,微型二极管显示面板中矩阵排布的发光元件的主要实现形式为软体印章转移技术。然而,现有技术中采用软体印章转移技术制备的微型二极管显示面板存在LED芯片与驱动电路电极对位偏移的问题。
【发明内容】
有鉴于此,本申请实施例提供了一种微型二极管显示承载基板、一种微型二极管显示面板及一种显示装置。
第一方面,本申请实施例提供一种微型二极管显示承载基板,包括第一衬底、像素电路阵列层、第一键合层;像素电路阵列层位于第一衬底的一侧且包括多个像素电路;第一键合层位于像素电路阵列层远离第一衬底的一侧,第一键合层包括至少一个第一键合结构,第一键合结构与像素电路电连接;至少一个第一键合结构远离第一衬底的一侧设置有对位槽或者对位凸起;对位槽或者对位凸起用于在微型二极管绑定至承载基板时,配合微型二极管的电极进行对位操作。
在第一方面的一种实现方式中,对位槽或者对位凸起在第一衬底上的投影为圆形、矩形、十字形中的任意一种。
在第一方面的一种实现方式中,在平行于第一衬底的截面内,对位槽的截面积为第一截面积,第一截面积在沿垂直于第一衬底且逐渐远离第一衬底的方向上逐渐增大;在平行于第一衬底的截面内,对位凸起的截面积为第二截面积,第二截面积在沿垂直于第一衬底且逐渐远离所述第一衬底的方向上逐渐减小。
在第一方面的一种实现方式中,多个第一键合结构中设置有对位槽;在平行于第一衬底的一个截面内,第一截面积在沿平行于第一衬底且逐渐远离第一衬底的中心位置的方向上逐渐增大。
在第一方面的一种实现方式中,多个第一键合结构中设置围墙结构且围墙结构围绕对位槽,围墙结构沿承载基板厚度方向的高度为第一高度;第一高度沿平行于第一衬底且逐渐远离第一衬底的中心位置的方向上逐渐增大。
在第一方面的一种实现方式中,相邻设置的两个第一键合结构之间的距离为第二距离,第二距离沿平行于第一衬底且逐渐远离第一衬底的中心位置的方向上逐渐增大。
第二方面,本申请实施例提供一种微型二极管显示面板,包括承载基板及微型二极管,微型二极管包括第一电极;承载基板包括第一衬底、像素电路阵列层及第一键合层,像素电路阵列层位于第一衬底的一侧且像素电路阵列层包括多个像素电路,第一键合层位于像素电路阵列层远离第一衬底的一侧;第一键合层包括第一键合结构,第一电极包括第二键合结构,且第一键合结构与像素电路电连接且第二键合结构与第一键合结构电连接;其中,至少一个第一键合结构中远离第一衬底的一侧设置有对位槽且至少一个第二键合结构中靠近第一衬底的一侧包括对位凸起,或者,至少一个第一键合结构中远离第一衬底的一侧包括对位凸起且至少一个第二键合结构中靠近第一衬底的一侧设置有对位槽;电连接的第一键合结构与第二键合结构中,对位凸起与对位槽对应,且在垂直于第一衬底的方向上,对位凸起至少部分位于对位槽内。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的