[发明专利]基于面曝光增材的石墨烯基场效应管气体传感器制造方法有效

专利信息
申请号: 202110267534.0 申请日: 2021-03-11
公开(公告)号: CN113176303B 公开(公告)日: 2022-07-12
发明(设计)人: 沈理达;柏德智;刘富玺;谢德巧;吕非;邱明波;田宗军 申请(专利权)人: 南京航空航天大学
主分类号: G01N27/12 分类号: G01N27/12;B82Y40/00;B82Y15/00
代理公司: 江苏圣典律师事务所 32237 代理人: 韩天宇
地址: 210016 江*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 基于 曝光 石墨 场效应 气体 传感器 制造 方法
【权利要求书】:

1.基于面曝光增材的石墨烯基场效应管气体传感器制造方法,其特征在于,包括以下步骤:

步骤1),运用计算机三维建模软件建立所要加工的场效应管气体传感器三维模型,保存为STL格式;

步骤2),将工作平台依次置于添加SiO2、N-Si、石墨烯、铜粉的光敏树脂液槽中,根据三维模型分别对应完成对场效应管气体传感器中背栅电极、栅氧层、石墨烯感应层、源极和漏极这四个部位的面曝光光固化成形;然后用YAG激光器对源极和漏极进行激光活化;

在切换光敏树脂液槽时,需要将工作平台先后转移至清洗槽、热风干燥槽中对已成形部分进行清洗干燥,防止不同的光敏树脂液之间相互污染;

步骤3),取出成形完成实体,用酒精擦拭并使其干燥,然后将其置于CuSO4电镀液中对源极和漏极进行电镀,直至镀层厚度达到1mm;

步骤4),将加工完成的石墨烯基场效应管气体传感器取出,进行表面处理。

2.根据权利 要求1所述的基于面曝光增材的石墨烯基场效应管气体传感器制造方法,其特征在于,步骤2)中采用半导体激光器进行激光活化,功率为800mW,外投射激光采用三倍频Nd:YAG激光器,功率2~7W,波长355nm。

3.根据权利 要求1所述的基于面曝光增材的石墨烯基场效应管气体传感器制造方法,其特征在于,步骤2)中清洗槽采用超声清洗,清洗时间10-15s;热风干燥槽采用热风烘干,温度为20-30℃。

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