[发明专利]金属电极的制备方法、金属电极及显示面板

说明书

本申请公开了一种金属电极的制备方法、金属电极及显示面板，所述金属电极的制备方法包括：在基板上方形成第一光刻胶层；对第一光刻胶层图案化处理以使所述基板部分暴露；在所述第一光刻胶层以及暴露的所述基板上方沉积第一金属层；剥离所述第一光刻胶层以及所述第一光刻胶层表面覆盖的所述第一金属层。能够解决制备金属电极过程中所存在的蚀刻不干净的技术问题。

技术领域

本申请涉及显示技术领域，尤其涉及一种金属电极的制备方法、金属电极及显示面板。

背景技术

在制备薄膜晶体管的金属电极时，需要利用蚀刻工艺，无论是干法蚀刻还是湿法蚀刻，制备金属电极过程中都存在蚀刻不干净的技术问题。

发明内容

本申请的主要目的在于提供一种金属电极的制备方法、金属电极及显示面板，旨在解决金属电极的制备过程中存在的蚀刻不干净的技术问题。

为实现上述目的，本申请提供一种金属电极的制备方法，所述金属电极的制备方法包括：

在基板上方形成第一光刻胶层；

对第一光刻胶层图案化处理以使所述基板部分暴露；

在所述第一光刻胶层以及暴露的所述基板上方沉积第一金属层；

剥离所述第一光刻胶层以及所述第一光刻胶层表面覆盖的所述第一金属层。

可选地，所述对第一光刻胶层图案化处理以使所述基板部分暴露的步骤包括：

采用紫外光透过光罩照射所述第一光刻胶层，所述光罩包括透光区域和非透光区域；

对所述第一光刻胶层显影处理，以使所述基板部分暴露。

可选地，所述剥离所述第一光刻胶层以及所述第一光刻胶层表面覆盖的所述第一金属层的步骤之后，还包括：

在所述第一金属层上方依次形成绝缘层、有源层以及欧姆接触层；

在所述欧姆接触层上方形成第二光刻胶层，并对所述第二光刻胶层进行图案化处理以使所述欧姆接触层部分暴露；

在所述第二光刻胶层以及暴露的所述欧姆接触层上方沉积第二金属层；

剥离所述第二光刻胶层以及所述第二光刻胶层上方的所述第二金属层。

可选地，所述在所述第一金属电极上方形成绝缘层、有源层以及欧姆接触层的步骤包括：

在所述第一金属层上方形成所述绝缘层；

在所述绝缘层上方形成所述有源层；

在所述有源层上方形成所述欧姆接触层。

可选地，所述有源层以及所述欧姆接触层的材料为非晶硅。

可选地，所述在基板上方形成第一光刻胶层的步骤之前，还包括：

对所述基板进行清洗。

可选地，所述第一光刻胶层的厚度大于或等于第一厚度，且所述第一光刻胶层的厚度小于或等于第二厚度，所述第一厚度为所述第一金属层的厚度的两倍，所述第二厚度为所述第一金属层的厚度的三倍。

可选地，所述第一光刻胶层的倾斜角度大于或等于60度，所述倾斜角度为所述第一光刻胶层的侧壁与水平面的角度。

此外，为实现上述目的，本申请还提供一种金属电极，所述金属电极根据上述任一项金属电极的制备方法制备得到。

此外，为实现上述目的，本申请还提供一种显示面板，所述显示面板包括根据上述根据任一项金属电极的制备方法制备得到的金属电极。