[发明专利]一种在高压线性电压转换器中的串联式补偿电路有效

专利信息
申请号: 202110004328.0 申请日: 2021-01-04
公开(公告)号: CN112783257B 公开(公告)日: 2022-03-25
发明(设计)人: 庄文贤;余岱原;邱伟茗 申请(专利权)人: 深圳市南方硅谷半导体股份有限公司
主分类号: G05F3/26 分类号: G05F3/26
代理公司: 深圳砾智知识产权代理事务所(普通合伙) 44722 代理人: 翁治林
地址: 518000 广东省深圳市南山区招商街*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 高压 线性 电压 转换器 中的 串联式 补偿 电路
【权利要求书】:

1.一种在高压线性电压转换器中的串联式补偿电路,其特征在于,包括n+1个串联的高压补偿电容M1、高压传输晶体管M2、第一高压开关晶体管M3以及第二高压开关晶体管M4,所述第一高压开关晶体管M3、高压补偿电容M1、第二高压开关晶体管M4依次串联,所述高压传输晶体管M2与所述高压补偿电容M1并联,在每两个串联的所述高压补偿电容M1之间均接入一可调电压Vc(i),其中,i∈[1,n],n为大于0的自然数;

在多个所述高压补偿电容M1依次串联的结构中,每两个相互串联的所述高压补偿电容M1之间,其中一个所述高压补偿电容M1的栅极与另一所述高压补偿电容M1的漏极与源级均连接,连接处接入一所述可调电压Vc(i),其中,i∈[1,n],n为大于0的自然数;串联在首位所述高压补偿电容M1,其漏极与源级均与所述高压传输晶体管M2的栅极、第一高压开关晶体管M3的漏极连接,串联在末尾的所述高压补偿电容M1,其栅极与所述高压传输晶体管M2的漏极、第二高压开关晶体管M4的漏极均连接;

所述高压传输晶体管M2的源级、第一高压开关晶体管M3的源级均连接一输入电压(Vin);所述第二高压开关晶体管M4的源级接地;所述第一高压开关晶体管M3的栅极连接第一偏置电压(Ven),第二高压开关晶体管M4的栅极连接第二偏置电压(Venb);

所述可调电压Vc(i)的电压值按照如下公式计算:可调电压Vc(i)的电压值灵敏度D=Vin/(n+1);可调电压Vc(i)的电压值Vi=Vi-1-D;其中,可调电压Vc(1)的电压值V1=Vin-D,Vin为所述输入电压(Vin)的电压值。

2.根据权利要求1所述的串联式补偿电路,其特征在于,所述高压补偿电容M1为P-MOS晶体管。

3.根据权利要求1所述的串联式补偿电路,其特征在于,所述第一高压开关晶体管M3、第二高压开关晶体管M4分别为P-MOS晶体管、N-MOS晶体管。

4.根据权利要求1所述的串联式补偿电路,其特征在于,所述高压传输晶体管M2为P-MOS晶体管。

5.根据权利要求1所述的串联式补偿电路,其特征在于,还包括一误差放大器以及与所述误差放大器匹配的反馈电路;

所述反馈电路包括串联的第一反馈电阻R1、第二反馈电阻R2;

所述误差放大器的正极连接于所述第一反馈电阻R1及第二反馈电阻R2之间,其负极连接所述输入电压(Vin),其输出端(Vo)与所述第一高压开关晶体管M3的漏极、所述高压传输晶体管M2的栅极均相连;

所述第一反馈电阻R1的另一端与所述高压传输晶体管M2的漏极连接;

所述第二反馈电阻R2的另一端连接至地。

6.根据权利要求5所述的串联式补偿电路,其特征在于,还包括一负载电容C;所述负载电容C一极板连接在所述第一反馈电阻R1与所述第二高压开关晶体管M4的漏极之间,其另一极板连接至地。

7.根据权利要求6所述的串联式补偿电路,其特征在于,在所述第二高压开关晶体管M4与负载电容C之间还设有一输出端,所述输出端连接负载,并为所述负载提供稳定的电流源。

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