[实用新型]转移装置以及转移系统有效
| 申请号： | 202021373472.9 | 申请日： | 2020-07-13 |
| 公开（公告）号： | CN212182295U | 公开（公告）日： | 2020-12-18 |
| 发明（设计）人： | 李欣曈;洪温振 | 申请（专利权）人： | 重庆康佳光电技术研究院有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683;H01L21/677;H01L27/15 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 霍文娟 |
| 地址： | 402760 重庆市璧*** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 转移 装置 以及 系统 | ||
1.一种转移装置，其特征在于，包括：
基板，具有凹槽；
热膨胀部，位于所述凹槽内，所述热膨胀部的与所述凹槽的底部接触的表面为第一表面，所述热膨胀部的与所述第一表面相对的表面为第二表面，在所述热膨胀部被加热至预定温度时，所述热膨胀部膨胀，且膨胀后的所述膨胀部的第二表面高于所述凹槽两侧的所述基板的表面。
2.如权利要求1所述的转移装置，其特征在于，所述热膨胀部的材料的膨胀系数大于所述基板的材料的热膨胀系数。
3.如权利要求1所述的转移装置，其特征在于，所述凹槽有多个，且多个所述凹槽依次间隔分布，所述热膨胀部一一对应地位于所述凹槽内。
4.如权利要求1所述的转移装置，其特征在于，在对所述热膨胀部加热之前，所述热膨胀部的第二表面与所述凹槽两侧的所述基板的表面平齐。
5.如权利要求1所述的转移装置，其特征在于，所述热膨胀部与所述凹槽的侧壁之间具有间隔。
6.如权利要求1所述的转移装置，其特征在于，所述热膨胀部的材料的热膨胀系数与所述基板的材料的热膨胀系数的差值大于10。
7.如权利要求1所述的转移装置，其特征在于，所述基板为玻璃基板，所述热膨胀部的材料包括铝。
8.如权利要求1至7中任一项所述的转移装置，其特征在于，所述转移装置还包括：
第一粘结胶层，位于所述基板的表面上以及所述热膨胀部的表面上。
9.如权利要求8所述的转移装置，其特征在于，所述第一粘结胶层为热解胶层。
10.一种转移系统，其特征在于，包括：
权利要求1至9中任一项所述的转移装置；
转移设备，所述转移装置与所述转移设备配合以转移芯片；
加热设备，用于至少对所述转移装置的热膨胀部进行加热。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
