[实用新型]一种高亮度LED

权利要求书

1.一种高亮度LED，包括衬底，其特征在于，所述衬底上依次生长有缓冲层、轻掺杂和重掺杂氮化物交替层、MQW有源层、p型半导体层，所述轻掺杂和重掺杂氮化物交替层上表面的裸露部分设有n电极，所述p型半导体层上设有p电极；所述轻掺杂和重掺杂氮化物交替层为轻掺杂氮化物层和重掺杂氮化物层分别通过电化学腐蚀形成的交替堆叠的低孔洞率多孔氮化物层与高孔洞率多孔氮化物层。

2.根据权利要求1所述的一种高亮度LED，其特征在于，所述低孔洞率多孔氮化物层与高孔洞率多孔氮化物层交替堆叠形成反射结构，交替结构的对数大于等于1。

3.根据权利要求1所述的一种高亮度LED，其特征在于，所述衬底为蓝宝石、硅、碳化硅或玻璃；所述缓冲层的材料为AlN、GaN、AlGaN中的一种。

4.根据权利要求1所述的一种高亮度LED，其特征在于，所述n电极和p电极均为金属电极，选自Ti、Al、Ni、Au、Cr金属之一或者任意组合。

5.根据权利要求1所述的一种高亮度LED，其特征在于，所述MQW有源层为InGaN、AlGaN、AlGaInN或GaN。

6.根据权利要求1所述的一种高亮度LED，其特征在于，所述轻掺杂氮化物层和重掺杂氮化物层的氮化物指的是GaN、InGaN、AlGaN、AlInN或AlInGaN。