[实用新型]一种半导体圆晶清洗装置有效

专利信息
申请号: 202020290423.2 申请日: 2020-03-10
公开(公告)号: CN212093424U 公开(公告)日: 2020-12-08
发明(设计)人: 钟宇航;卢玲儿;袁红春;刘子义;陈慧妍 申请(专利权)人: 上海海洋大学
主分类号: B08B3/02 分类号: B08B3/02;B08B13/00;H01L21/67
代理公司: 上海唯智赢专利代理事务所(普通合伙) 31293 代理人: 韩松;吴瑾瑜
地址: 201306 上海市*** 国省代码: 上海;31
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 半导体 清洗 装置
【说明书】:

实用新型公开了一种半导体圆晶清洗装置,包括顶部开口的箱体,箱体的内壁上开设有两条以上均沿着箱体高度方向布置的条形槽;条形槽的顶部均布置有第一防水电机,第一防水电机的驱动轴与沿条形槽方向布置的丝杆的一端连接且两者共轴,丝杆的另一端与条形槽底部固定,丝杆外与螺母螺纹配合,通过螺母与布置在箱体中部的横板固定连接;横板靠近箱体顶部开口侧开有凹槽,凹槽内设有第二防水电机,第二防水电机与转盘连接,转盘上布置有放置盒,放置盒开有多条用于放置待清洗半导体圆晶的放置槽;箱体内布置有多个用于喷洒清洗液的喷头,箱体底面上开有出液口。本实用新型,清洗质量高,清洗效率高,同时其结构简单,成本低廉,极具应用前景。

技术领域

本实用新型属于半导体圆晶制造技术领域,涉及一种半导体圆晶清洗装置

背景技术

晶圆是制造半导体芯片的基本材料,半导体集成电路最主要的原料是硅,因此对应的就是硅晶圆。硅在自然界中以硅酸盐或二氧化硅的形式广泛存在于岩石、砂砾中,硅晶圆的制造可以归纳为三个基本步骤:硅提炼及提纯、单晶硅生长、晶圆成型。首先是硅提纯,提纯得到纯度约为98%的纯硅(冶金级硅),然而这对微电子器件来说不够纯,需要进行进一步提纯,得到纯度高达99.999999999%的多晶硅(电子级硅);然后进行单晶硅生长(最常用的方法为直拉法-CZ法),生长成了与籽晶内部晶格方向相同的单晶硅棒;最后硅晶棒再经过切段、滚磨、切片、倒角、抛光、激光刻、包装后,即成为集成电路工厂的基本原料——硅晶圆片,这就是“晶圆”。

由于晶圆表面附着大约2μm的Al2O3和甘油混合液保护层,在制作硅半导体集成电路前必须对晶圆进行化学刻蚀和表面清洗,而现有的晶圆清洗设备在清洗晶圆时,其清洗质量不高,清洗效率低下,成本较高,给晶圆生产带来不便。

因此,开发一种清洗质量高、清洗效率高且清洗成本低廉的半导体圆晶清洗装置极具现实意义。

实用新型内容

本实用新型的目的在于克服现有技术清洗质量不高、清洗效率低下且成本较高的缺陷,提供一种清洗质量高、清洗效率高且清洗成本低廉的半导体圆晶清洗装置。

为实现上述目的,本实用新型提供如下技术方案:

一种半导体圆晶清洗装置,包括顶部开口的箱体,箱体的内壁上开设有两条以上条形槽,所述条形槽均沿着箱体高度方向布置;

每条条形槽的顶部均布置有第一防水电机,所述第一防水电机的驱动轴与沿条形槽方向布置的丝杆的一端连接且两者共轴,丝杆的另一端与条形槽底部固定,丝杆外与螺母螺纹配合,通过螺母与布置在箱体中部的横板固定连接;

所述横板靠近箱体顶部开口侧开有凹槽,所述凹槽内设有第二防水电机,所述第二防水电机的驱动轴与转盘固定连接且转盘与第二防水电机的驱动轴共轴,所述转盘上布置有放置盒,所述放置盒开有多条用于放置待清洗半导体圆晶的放置槽;

所述箱体内的上部布置有多个用于喷洒清洗液的喷头,箱体的底面上开有出液口。

本实用新型的一种半导体圆晶清洗装置,设计合理,清洗装置能够驱动待清洗半导体圆晶在多个维度进行运动,不仅能够通过第一防水电机调整横板的高度即在高度上调整待清洗半导体圆晶的位置,还能通过第二防水电机驱动转盘旋转即调整待清洗半导体圆晶的水平位置,进而提高对半导体圆晶的清洗效果,其清洗质量高,清洗效率高,同时其结构简单,成本低廉,极具应用前景。

作为优选的技术方案:

如上所述的一种半导体圆晶清洗装置,所述箱体为圆柱形结构,所述条形槽均匀分布在箱体内壁上。本实用新型的箱体的具体结构并不仅限于此,本实用新型并未针对圆柱形结构进行展开设计,其他部件的设计与以下所述的长方体结构箱体内的部件基本相同。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海海洋大学,未经上海海洋大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202020290423.2/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top