[实用新型]一种发光二极管

说明书

本实用新型属于半导体领域，尤其涉及一种发光二极管，至少包括衬底、第一导电型半导体层、发光层、第二导电型半导体层和电流扩展层，以及分别位于第一导电型半导体层表面的第一电极和位于电流扩展层表面的第二电极，其特征在于：所述电流扩展层包括依次层叠的第一电流扩展层和第二电流扩展层，所述第一电流扩展层表面由复数个相互独立且不连接的凸起周期性排列而成。本实用新型将传统的单一层的电流扩展层改进为由第一电流扩展层和第二电流扩展层组合的两层设计，并且图案化第一电流扩展层，促进电流扩展层的同时，还可以进一步提高发光二极管的抗静电能力。

技术领域

本发明属于半导体领域，尤其涉及具有双层电流扩展层以促进电流扩展、改善抗ESD能力的发光二极管。

背景技术

常规的发光二极管的结构包括衬底、外延层和电极，而为了促进电流在外延层中的扩展，通常在外延层表面沉积电流扩展层。当电流扩展层膜层较薄时，发光二极管的发光强度较高，但是发光均匀性较差，电流容易集中在电极附近，导致ESD抗静电击穿能力变差；然而当电流扩展层膜层较厚时，可以增加电流向水平方向扩散的比例，即可以提高发光强度分布的均匀性，提高ESD能力，但是发光强度较小。

因此，现有技术可以通过将电流扩展层进行粗化设计，常采用蚀刻法对电流扩展层粗化处理，来解决上述的问题。然而无论是干法蚀刻还是湿法蚀刻，均无法对粗化图形的厚度和形貌进行精确控制，因此需要设计另一种电流扩展层的结构解决上述的问题。

发明内容

因此，本实用新型提供一种发光二极管，既可以提高发光二极管的发光强度，又可以提高其ESD抗静电能力。具体技术方案如下：

一种发光二极管，至少包括衬底、第一导电型半导体层、发光层、第二导电型半导体层和电流扩展层，以及分别位于第一导电型半导体层表面的第一电极和位于电流扩展层表面的第二电极，其特征在于：所述电流扩展层包括依次层叠的第一电流扩展层和第二电流扩展层，所述第一电流扩展层表面由复数个相互独立且不连接的凸起周期性排列而成。

优选的，所述第二电流扩展层覆盖在第一电流扩展层表面，形成具有凹陷区和突出区的结构。

优选的，所述第二电流扩展层的凹陷区和突出区的厚度相同。

优选的，所述凸起的高度大于第二电流阻挡层的厚度。

优选的，所述凸起的高度范围为50~3000埃。

优选的，所述凸起的宽度范围为2~30微米。

优选的，相邻所述凸起的间距范围为2~20微米。

优选的，所述第二电流扩展层的厚度范围为 50~3000埃。

优选的，所述第二电流扩展层的厚度范围为50~600埃。

优选的，所述第一电流扩展层和第二电流扩展层的材料相同或者不同。

优选的，所述第一电流扩展层和第二电流扩展层均选自氧化铟锡层、氧化锌层、氧化锌铟锡层、氧化铟锌层、氧化锌锡层、氧化镓铟锡层、氧化镓铟层、氧化镓锌层、掺杂铝的氧化锌层或掺杂氟的氧化锡层中的一种或者几种的组合。

本实用新型将传统的单一层的电流扩展层改进为由第一电流扩展层和第二电流扩展层组合的两层设计，并且设计第一电流扩展层由复数个相互独立且不连接的凸起周期性排列而成，第二电流扩展层覆盖在第一电流扩展层表面形成具有凹陷区和突出区的结构，制作工艺简单，在促进电流扩展层的同时，还可以进一步提高发光二极管的抗静电能力。

附图说明

图1为发明之实施例一之发光二极管俯视结构示意图。

图2为发明之实施例一之发光二极管剖视结构示意图。

具体实施方式