[发明专利]一种薄膜型负温度系数传感器及其制备方法

权利要求书

1.一种薄膜型负温度系数传感器，其特征在于，包括：陶瓷基片、薄膜热敏电阻、第一电极和第二电极；

所述第一电极和所述第二电极均设置在所述陶瓷基片的表面；

所述薄膜热敏电阻设置在所述陶瓷基片的表面，且位于所述第一电极与所述第二电极之间。

2.根据权利要求1所述的薄膜型负温度系数传感器，其特征在于，所述薄膜热敏电阻由锰、钴、镍、铜和铁中一种或多种氧化物制备而成；

所述薄膜热敏电阻厚度为1μm-2μm。

3.根据权利要求1所述的薄膜型负温度系数传感器，其特征在于，所述第一电极和所述第二电极均为金电极；

所述第一电极与所述第二电极之间的间距为10μm-100μm。

4.根据权利要求1所述的薄膜型负温度系数传感器，其特征在于，还包括保护层；

所述保护层设置在所述薄膜热敏电阻表面；

所述保护层的材料为二氧化硅；

所述保护层的厚度为5μm-20μm。

5.根据权利要求1所述的薄膜型负温度系数传感器，其特征在于，所述薄膜热敏电阻材料的分子式为Mn_1.5CoNi_0.5O₄。

6.权利要求1至5任意一项所述的薄膜型负温度系数传感器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

采用射频磁控溅射工艺在陶瓷基片上制备薄膜热敏电阻，然后采用直流控溅射工艺在所述薄膜热敏电阻的陶瓷基片上制备第一电极和第二电极，得到薄膜型负温度系数传感器。

7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，得到所述薄膜型负温度系数传感器前，还包括：采用物理气相沉积或化学气相沉积方法在所述热敏电阻的表面制备保护层。

8.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述射频磁控溅射工艺使用的靶材为Mn_1.5CoNi_0.5O₄靶材。

9.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，所述Mn_1.5CoNi_0.5O₄靶材的由以方法制得：

将含锰氧化物、含钴氧化物和含镍氧化物混合球磨，得到混合粉体；

将所述混合粉体进行第一次烧结，加入粘结剂压制成型后进行第二次烧结，得到Mn_1.5CoNi_0.5O₄靶材。

10.根据权利要求9所述的制备方法，其特征在于，所述第一次烧结具体为：在空气气氛下，以3～10℃/分钟的升温速率升温至1000～1300℃，保温2～5h；

所述第二次烧结具体为：在空气气氛下，以2～8℃/分钟的升温速率升温至600～1000℃，保温1～5h。