[发明专利]晶圆几何参数以及晶圆上掩膜层的厚度的测量方法

权利要求书

1.一种晶圆厚度的测量方法，其特征在于，包括：

利用气浮卡盘将晶圆悬浮在所述气浮卡盘的顶部表面上方预定距离D处,D≥0；

利用激光器和位置传感器测量所述晶圆的正面上第一位置点的位置信息，以得到位置传感器读数Vx，所述晶圆的正面为所述晶圆远离所述气浮卡盘的表面；

利用电容传感器测量所述晶圆的背面上第二位置点的位置信息，以得到电容传感器读数CPn，所述第一位置点与所述第二位置点为所述晶圆中表征厚度的相对的两个位置点，所述晶圆的背面为所述晶圆靠近所述气浮卡盘的表面；

根据所述Vx和所述CPn获取所述晶圆的厚度T_晶圆，所述T_晶圆为所述晶圆上第一位置点与第二位置点之间的距离。

2.根据权利要求1所述的晶圆厚度的测量方法，其特征在于，所述根据所述Vx和所述CPn获取所述晶圆的厚度T_晶圆，包括：

确定公式T_晶圆＝T0+(CP0-CPn)+S*(Vx–V0)，其中，所述公式中的T0为第一标准晶圆的厚度，CP0为所述第一标准晶圆在基准预定距离处时的基准电容传感器读数，V0为所述第一标准晶圆在基准预定距离处时的基准位置传感器读数，S为横坐标为Vx，纵坐标为CPn与CP0的差值hx的关系图中直线的斜率；

将所述Vx和所述CPn代入所述公式计算得到所述晶圆的厚度T_晶圆。

3.根据权利要求2所述的晶圆厚度的测量方法，其特征在于，所述确定公式T_晶圆＝T0+(CP0-CPn)+S*(Vx–V0)，包括：

利用所述气浮卡盘将所述第一标准晶圆悬浮在所述气浮卡盘的顶部表面上方不同预定距离处；

利用所述位置传感器测量所述第一标准晶圆在所述不同预定距离处时所述第一标准晶圆的第一表面上第三位置点的位置信息，以得到位置传感器读数Vx，所述第一标准晶圆的第一表面为所述第一标准晶圆远离所述气浮卡盘的表面；

利用所述电容传感器测量所述第一标准晶圆在所述不同预定距离处时所述第一标准晶圆的第二表面上第四位置点的位置信息，以得到电容传感器读数CPn，其中，所述第一标准晶圆的第二表面为所述第一标准晶圆靠近所述气浮卡盘的表面，所述第四位置点与所述第三位置点为所述第一标准晶圆中表征厚度的相对的两个位置点，所述不同预定距离包括基准预定距离，所述第一标准晶圆处于所述基准预定距离时的基准电容传感器读数为CP0和基准位置传感器读数为V0；

构建横坐标为所述Vx，纵坐标为所述CPn与CP0的差值hx的关系图，以从所述关系图中的直线确定所述直线的斜率S；

根据T0、CP0以及S确定所述公式T_晶圆＝T0+(CP0-CPn)+S*(Vx–V0)。

4.根据权利要求1所述的晶圆厚度的测量方法，其特征在于，所述基准预定距离为利用所述气浮卡盘将所述第一标准晶圆真空吸到所述气浮卡盘上时，所述第一标准晶圆的第二表面与所述气浮卡盘的顶部表面之间的距离，或者，所述基准预定距离为利用所述气浮卡盘将所述第一标准晶圆悬浮在气浮卡盘的顶部表面上方任意位置时，所述第一标准晶圆的第二表面与所述气浮卡盘的顶部表面之间的距离。

5.一种晶圆翘曲度的测量方法，其特征在于，包括：

利用至少一个倾斜台多次调整气浮卡盘的倾斜角度以形成多个倾斜后的所述晶圆且所述多个倾斜后的晶圆满足干涉仪测量的斜率要求，所述至少一个倾斜台位于所述气浮卡盘的下方；

根据如权利要求1-4中任一项所述的晶圆厚度的测量方法测量多个倾斜后的晶圆上多个位置点处对应的厚度；

将所述多个位置点处对应的厚度结合以形成二维或三维的所述晶圆的图像；

利用所述二维或三维的晶圆的图像获取所述晶圆的翘曲度。