[发明专利]集成探针的毫米波单片集成电路模块及其制备方法在审

专利信息
申请号: 202011553640.7 申请日: 2020-12-24
公开(公告)号: CN112670260A 公开(公告)日: 2021-04-16
发明(设计)人: 张洋阳;张志国;刘育青;安国雨;郭黛翡;冯雪琳 申请(专利权)人: 北京国联万众半导体科技有限公司
主分类号: H01L23/49 分类号: H01L23/49;H01L21/60
代理公司: 河北冀华知识产权代理有限公司 13151 代理人: 王占华
地址: 101300 北京市顺义*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 集成 探针 毫米波 单片 集成电路 模块 及其 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种集成探针的毫米波单片集成电路模块,其特征在于:包括衬底(1),所述衬底(1)上形成有毫米波单片集成电路(2)和探针(3),所述探针(3)分别与所述毫米波单片集成电路(2)的输入端和输出端连接。

2.如权利要求1所述的集成探针的毫米波单片集成电路模块,其特征在于:探针(3)使用纯金属金制作。

3.如权利要求1所述的集成探针的毫米波单片集成电路模块,其特征在于:,所述探针(3)为E面探针,采用溅射或电镀的方式制作完成。

4.一种集成探针的毫米波单片集成电路模块的制备方法,其特征在于包括如下步骤:

在衬底(1)上制作毫米波单片集成电路(2);

在衬底(1)上制作探针(3),使探针(3)直接与所述毫米波单片集成电路(2)的输入端和输出端连接;

采用背面分片的方式去掉延伸到毫米波单片集成电路(2)外侧且位于探针(3)以外的衬底(1),形成所述毫米波单片集成电路模块。

5.如权利要求4所述的集成探针的毫米波单片集成电路模块的制备方法,其特征在于:伸出单片之外的探针部分的衬底(1)与毫米波单片集成电路(2)的衬底(1)厚度相同或不同。

6.如权利要求4所述的集成探针的毫米波单片集成电路模块的制备方法,其特征在于:背面分片采用先减薄至50微米左右的厚度,然后再采用干法刻蚀或者湿法刻蚀的方式对探针部分的衬底进行刻蚀至设计的目标厚度。

7.如权利要求4所述的集成探针的毫米波单片集成电路模块的制备方法,其特征在于:所述方法还包括根据毫米波单片集成电路的工作频率,确定标准的矩形波导尺寸。

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