[发明专利]一种Si-Sb-Sn相变存储材料及其制备方法

权利要求书

1.一种Si-Sb-Sn相变存储材料，其特征在于：所述Si-Sb-Sn相变存储材料的化学组成通式为Sn_x(Si₁₆Sb₈₄)_100-x，其中，0x10。

2.根据权利要求1所述的一种Si-Sb-Sn相变存储材料，其特征在于，所述Si-Sb-Sn相变存储材料的晶化温度为192～219℃，十年数据保持温度为112～144℃。

3.根据权利要求1所述的一种Si-Sb-Sn相变存储材料，其特征在于，所述Si-Sb-Sn相变存储材料在相变前后晶粒尺寸均＜20nm。

4.制备如权利要求1～3任一项所述的一种Si-Sb-Sn相变存储材料的方法，其特征在于：采用磁控溅射法制备所述Si-Sb-Sn相变存储材料。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，具体包括如下步骤：

(1)基底的准备：将Si片清洗烘干固定在基底上，再装入磁控溅射设备中；

(2)磁控溅射的准备：将Si靶安装在射频电源上，将Sb靶和Sn靶分别安装在直流电源上，将磁控溅射设备的镀膜腔室抽至高真空，使用高纯氩气作为溅射气体；所述高真空的真空度为4.0×10^-4Pa，所述高纯氩气为体积百分比≥99.999％的氩气；

(3)进行磁控溅射制备所述相变存储材料：在设定的功率条件下，首先在空基底处进行预溅射t₁时间，然后将基底调至安装Si片的位置进行溅射t₂时间，最后将基底调至空白靶位，停止溅射，即制得所述相变存储材料。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，步骤(1)中清洗采用超声清洗，共清洗3～5次，每次清洗的时间为5min；烘干温度为120℃，烘干时间为10min。

7.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，步骤(3)中磁控溅射的工艺参数为：氩气流量30～35sccm，溅射气压0.8～1Pa；Si靶溅射功率50W，Sb靶溅射功率20W，Sn靶的溅射功率8～12W。

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，t₁为5min，t₂为4min。