[发明专利]一种C-SiC溅射靶材的形貌组分检测方法

说明书

本发明涉及一种C‑SiC溅射靶材的形貌组分检测方法，所述形貌组分检测方法包括对C‑SiC溅射靶材依次进行抛光和喷金，之后进行SEM及EDS检测。本发明提供的检测方法，通过对检测前样品的合理预处理如抛光和喷金，可以准确的观察到靶材的微观结构，获得准确的EDS结果，EDS计数率可达10000以上。

技术领域

本发明涉及形貌组分检测领域，具体涉及一种C-SiC溅射靶材的形貌组分检测方法。

背景技术

SiC陶瓷因具有高强度、高硬度、抗腐蚀、耐高温和低密度而被广泛用于高温和某些苛刻的环境中，尤其在航空航天飞行器需要承受极高温度的特殊部位具有很大的潜力。

CN102795871A公开了以低分子液态聚碳硅烷为先驱体，碳纤维预制件为骨架，采用脉冲式加热的化学液气相沉积工艺快速制备C/SiC陶瓷基复合材料。其采用脉冲式的加热方式，可以有效改善化学液气相沉积工艺中先驱体的渗透过程，使得制备的C/SiC陶瓷基复合材料密度分布均匀且致密度高；其制备得到的C/SiC陶瓷基复合材料的方法具有生产周期短、原料利用率高、生产成本低等优点。

CN110436930A公开了一种高性能纳米SiC陶瓷及其制备方法和应用，所述SiC陶瓷是在氮气气氛下，将聚碳硅烷先升温至200-400℃并保温，然后再升温至600-1400℃裂解后，将裂解产物球磨、造粒后，在保护气氛下，加压10-100MPa，升温至1700-2200℃进行放电等离子烧结制得。所述纳米SiC陶瓷的硬度为30-40GPa，抗弯强度为800-1200MPa，在1200℃下的高温强度为1000-1300MPa。本发明采用放电等离子烧结前驱体裂解后的非晶SiC，本发明的纳米SiC陶瓷致密度高于95-99％，SiC晶粒小于30-100nm，可应用在防弹装甲或核应用领域中。

CN110550964A公开了一种AlN晶须增强层状多孔SiC陶瓷及其制备方法，属于多孔陶瓷技术领域。所述的AlN晶须增强层状多孔SiC陶瓷采用平行排列的SiC基陶瓷层作为基体，SiC基陶瓷层间存在层状贯通孔，大量AlN晶须端部粘附在SiC基陶瓷层表面并向层状贯通孔中伸出。这些AlN晶须相互交叉在层状贯通孔中形成三维网状结构，从而能够提高层状多孔SiC陶瓷的比表面积，并可以实现对SiC基陶瓷层的有效支撑，增加层状多孔SiC陶瓷的强度。其公开的技术方案中AlN晶须增强层状多孔SiC陶瓷的比表面积和压缩强度明显增加，能显著提高层状多孔SiC陶瓷的使用价值。

在陶瓷的制备过程中，原始材料及其制品的显微形貌、孔隙大小、晶界和团聚程度等将显著影响其最后的性能。

C-SiC是一种新型的陶瓷溅射靶材，分析其微观形貌、成分组成有助于改进靶材的性能、解释靶材在溅射时出现的问题。因此获得高质量的SEM照片及EDS元素分析至关重要。

最接近的方法为降低扫描电镜的电压及电流进行检测。然而降低电镜的电压及电流以降低荷电效应，但这样会导致EDS检测时计数率较低，无法获得可信的元素成分结果；喷金时间过短则导电性依旧不好，喷金时间过长则镀膜较厚，覆盖表面形貌细节。

发明内容

鉴于现有技术中存在的问题，本发明的目的在于提供一种C-SiC溅射靶材的形貌组分检测方法，可以准确的观察到靶材的微观结构，获得准确的EDS结果，EDS计数率可达10000以上。

为达此目的，本发明采用以下技术方案：

本发明提供了一种C-SiC溅射靶材的形貌组分检测方法，所述检测方法包括对C-SiC溅射靶材依次进行抛光和喷金，之后进行SEM及EDS检测。

本发明提供的检测方法，通过对检测前样品的合理预处理(抛光和喷金)，可以准确的观察到靶材的微观结构，获得准确的EDS结果，EDS计数率可达10000以上。

作为本发明优选的技术方案，所述抛光指利用砂纸或抛光机对C-SiC溅射靶材表面进行抛光处理。