[发明专利]光电转换元件、固体摄像装置和电子设备

权利要求书

1.一种光电转换元件，其包括：

相互面对的第一电极和第二电极；以及

光电转换层，所述光电转换层被设置在所述第一电极和所述第二电极之间，且还包括具有互不相同的母体骨架的第一有机半导体材料、第二有机半导体材料和第三有机半导体材料，

所述第一有机半导体材料是富勒烯或富勒烯衍生物，

所述第二有机半导体材料在单层膜形式下在可见光区域内的极大光吸收波长的线吸收系数高于所述第一有机半导体材料的单层膜和所述第三有机半导体材料的单层膜在可见光区域内的极大光吸收波长的线吸收系数，并且

所述第三有机半导体材料在单层膜形式下的空穴迁移率高于所述第二有机半导体材料的单层膜的空穴迁移率。

2.如权利要求1所述的光电转换元件，其中，所述第三有机半导体材料的HOMO能级是在所述第二有机半导体材料的HOMO能级以上的值。

3.如权利要求1所述的光电转换元件，其中，在所述光电转换层中，通过所述第二有机半导体材料的光吸收而产生的激子在选自所述第一有机半导体材料、所述第二有机半导体材料和所述第三有机半导体材料中的两个有机半导体材料之间的界面处被分离。

4.如权利要求1所述的光电转换元件，其中，所述光电转换层的极大吸收波长在450nm以上且650nm以下的范围内。

5.如权利要求1至4中任一项所述的光电转换元件，其中，所述第一有机半导体材料是富勒烯。

6.如权利要求5所述的光电转换元件，其中，所述第一有机半导体材料包括C60富勒烯。

7.如权利要求5所述的光电转换元件，其中，所述第一有机半导体材料包括C70富勒烯。

8.如权利要求5所述的光电转换元件，其中，所述第一有机半导体材料包括C60富勒烯和C70富勒烯。

9.一种固体摄像装置，其设置有多个像素，各所述像素包括一个或多个有机光电转换器，各所述有机光电转换器包括：

相互面对的第一电极和第二电极；以及

光电转换层，所述光电转换层被设置在所述第一电极和所述第二电极之间，且还包括具有互不相同的母体骨架的第一有机半导体材料、第二有机半导体材料和第三有机半导体材料，

所述第一有机半导体材料是富勒烯或富勒烯衍生物，

所述第二有机半导体材料在单层膜形式下在可见光区域内的极大光吸收波长的线吸收系数高于所述第一有机半导体材料的单层膜和所述第三有机半导体材料的单层膜在可见光区域内的极大光吸收波长的线吸收系数，并且

所述第三有机半导体材料在单层膜形式下的空穴迁移率高于所述第二有机半导体材料的单层膜的空穴迁移率。

10.一种电子设备，其包括：

光学透镜；

信号处理器；以及

固体摄像装置，其设置有多个像素，各所述像素包括一个或多个有机光电转换器，各所述有机光电转换器包括：

相互面对的第一电极和第二电极；以及

光电转换层，所述光电转换层被设置在所述第一电极和所述第二电极之间，且还包括具有互不相同的母体骨架的第一有机半导体材料、第二有机半导体材料和第三有机半导体材料，

所述第一有机半导体材料是富勒烯或富勒烯衍生物，

所述第二有机半导体材料在单层膜形式下在可见光区域内的极大光吸收波长的线吸收系数高于所述第一有机半导体材料的单层膜和所述第三有机半导体材料的单层膜在可见光区域内的极大光吸收波长的线吸收系数，并且

所述第三有机半导体材料在单层膜形式下的空穴迁移率高于所述第二有机半导体材料的单层膜的空穴迁移率。