[发明专利]振动器件以及电子设备有效

专利信息
申请号: 202010465657.0 申请日: 2020-05-28
公开(公告)号: CN112019164B 公开(公告)日: 2023-05-12
发明(设计)人: 镰仓知之;松泽勇介 申请(专利权)人: 精工爱普生株式会社
主分类号: H03B5/32 分类号: H03B5/32
代理公司: 北京三友知识产权代理有限公司 11127 代理人: 邓毅;黄纶伟
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 振动 器件 以及 电子设备
【说明书】:

振动器件以及电子设备。振动器件包含:硅基板,其具有贯通孔;第1端子,其配置于所述硅基板的第1面;第2端子,其配置于所述硅基板的与所述第1面相反侧的第2面;布线,其通过所述贯通孔,将所述第1端子和所述第2端子电连接;树脂层,其配置于所述布线与限定出所述贯通孔的内壁之间;二氧化硅层,其配置于所述树脂层与所述内壁之间;以及振动元件,其与所述第1端子接合。

技术领域

本发明涉及振动器件以及电子设备。

背景技术

作为振荡器,已知有使用石英振子等振动元件的振荡器,其广泛用作各种电子设备的基准频率源、振荡源。在振荡器等振动器件中,振动元件被收纳在具有气密性的腔室内。

例如,在专利文献1中公开了一种电子部件,在该电子部件中,作为使用石英振子的电子部件,将石英振子收纳在具有基底基板和盖基板的封装的腔室内,经由形成在贯通基底基板的贯通孔中的贯通电极,将石英振子与外部连接用电极连接。在贯通孔的内侧面隔着由SiO2膜构成的绝缘膜形成有电极膜。在贯通孔的内侧面形成的SiO2膜通过CVD法形成。

专利文献1:日本特开2017-126865号公报

与基底基板的正面以及反面相比,在贯通孔的内侧面形成的SiO2膜难以形成得较厚。因此,在基底基板与电极膜之间形成的寄生电容变大。

发明内容

本发明是为了解决上述课题的至少一部分而完成的,能够作为以下的方式或应用例来实现。

本应用例的振动器件包含:硅基板,其具有贯通孔;第1端子,其配置于所述硅基板的第1面;第2端子,其配置于所述硅基板的与所述第1面相反侧的第2面;布线,其通过所述贯通孔,将所述第1端子和所述第2端子电连接;树脂层,其配置于所述布线与限定出所述贯通孔的内壁之间;二氧化硅层,其配置于所述树脂层与所述内壁之间;以及振动元件,其与所述第1端子接合。

本应用例的电子设备包含所述振动器件、和根据来自所述振动器件的输出信号进行动作的运算电路。

附图说明

图1是示意性地示出第1实施方式的振动器件的分解立体图。

图2是示意性地示出第1实施方式的振动器件的俯视图。

图3是示意性地示出第1实施方式的振动器件的剖视图。

图4是示出电路部的电路结构的框图。

图5是示出振荡电路的电路图。

图6是示意性地示出第1实施方式的振动器件的制造工序的剖视图。

图7是示意性地示出第1实施方式的振动器件的制造工序的剖视图。

图8是示意性地示出第1实施方式的振动器件的制造工序的剖视图。

图9是示意性地示出第1实施方式的振动器件的制造工序的剖视图。

图10是示意性地示出第1实施方式的振动器件的制造工序的剖视图。

图11是示意性地示出第1实施方式的振动器件的制造工序的剖视图。

图12是示意性地示出第2实施方式的振动器件的俯视图。

图13是示意性地示出第3实施方式的振动器件的俯视图。

图14是示意性地示出第4实施方式的电子设备的立体图。

标号说明

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