[发明专利]一种LED阵列扩张检测装置及扩张方法在审
申请号: | 202010198082.0 | 申请日: | 2020-03-19 |
公开(公告)号: | CN113496907A | 公开(公告)日: | 2021-10-12 |
发明(设计)人: | 江仁杰;钟光韦;伍凯义;杨然翔;沈佳辉 | 申请(专利权)人: | 重庆康佳光电技术研究院有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66;H01L27/15;H01L23/544;H01L33/48;G09F9/33 |
代理公司: | 深圳鼎合诚知识产权代理有限公司 44281 | 代理人: | 李发兵 |
地址: | 402760 重庆市璧*** | 国省代码: | 重庆;50 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 led 阵列 扩张 检测 装置 方法 | ||
本发明涉及LED显示器制造领域,具体一种LED阵列检测装置,其包括:承载膜,呈阵列排布的LED芯片粘附于所述承载膜上;拉伸设备,设置于所述承载膜的边缘,用于拉伸所述承载膜;金属薄片设置于LED阵列中同一行或列相邻的LED芯片侧面,相邻所述LED芯片相对应的侧面设置的两片所述金属薄片为一对;电压施加器,用于向相邻金属薄片施加电压;电容检测单元,分别连接成对的金属薄片,用于检测相邻金属薄片间的电容值;控制器,与所述电容检测器电连接,用于根据所述电容值计算对应LED芯片间距,LED芯片间距达到阈值时向拉伸设备发出拉伸或停止拉伸的信号。该装置可以准确测量LED芯片之间的间距。
技术领域
本发明涉及LED显示器制造技术领域,尤其涉及一种LED阵列扩张检测装置及检测方法。
背景技术
Micro-LED显示器具有良好的稳定性、寿命以及运行温度上的优势,同时也承继了LED低功耗、色彩饱和度、反应速度快、对比度强等优点,具有极大的应用前景。在现有Micro-LED显示器的制作过程中,其均需要将LED芯片从各自的生长基板转移到显示器的显示背板上;当将LED芯片转移到不同尺寸的显示背板上时,由于LED芯片原本排列的间距与所要应用的显示背板的尺寸间距不同,因而需要将LED芯片的原始排列间距进行调整,以适用具体使用需求。将LED芯片逐个转移到显示背板上也是一种实现方式,随着LED技术的日新月异,用于LED显示屏的LED芯片的尺寸越来越小,LED芯片中LED芯粒的间距也越来越小。LED芯片中LED芯粒的转移难度大大提高,如何提供一种简单快捷的LED芯粒的分选转移方法,是LED领域一个亟待解决的问题。
发明内容
基于以上问题,本发明设计LED阵列检测装置,其能精确方便的检测扩晶过程中LED芯片的间距,其具体结构如下。
一种LED阵列检测装置,其包括:
承载膜,呈阵列排布的LED芯片粘附于所述承载膜上,所述承载膜具有可延伸性;
拉伸设备,设置于所述承载膜的边缘,用于拉伸所述承载膜;
金属薄片,设置于同一行或列相邻的LED芯片侧面,所述相邻的LED芯片相对应的侧面设置的两片金属薄片为一对;
电压施加器,分别连接成对的所述金属薄片,用于向成对的所述金属薄片施加电压;
电容检测单元,分别连接所述成对的所述金属薄片,用于检测每对所述金属薄片间的电容值;
控制器,与所述电容检测单元电连接,用于根据所述电容值计算对应LED芯片间距,在所述LED芯片间距达到阈值的情况下,向所述拉伸设备发出拉伸或停止拉伸的信号。
进一步的,所述控制器,具体根据以下公式计算对应LED芯片间距,
其中,真空介电常数ε0=1;k为静电力常量;S为成对的所述金属薄片正对面积;L为两金属薄片间距。
进一步的,所述承载膜上设置有多个穿孔,所述穿孔设置于相邻4个所述LED芯片顶点连线的交汇处。
进一步的,所述金属薄片通过光刻胶、热敏胶或光敏胶粘附于所述LED芯片的侧面。
进一步的,所述电容检测单元为电容检测器或电容检测电路。
本发明还包括一种LED阵列扩张方法,包括如下步骤:
S10将多个LED芯片呈阵列式粘附于承载膜上,所述承载膜具有延伸性,在LED阵列中同一行或列中至少两个相邻的LED芯片侧面设置有金属薄片,所述金属薄片通过胶粘附于所述LED芯片上,相邻所述LED芯片相对应的侧面设置的两片所述金属薄片为一对,每对所述金属薄片上连接有与一控制器相连接的电压施加器及电容检测单元;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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