[发明专利]一种清洗装置及清洗方法有效
申请号: | 202010147104.0 | 申请日: | 2020-03-05 |
公开(公告)号: | CN111341697B | 公开(公告)日: | 2023-10-17 |
发明(设计)人: | 王虎 | 申请(专利权)人: | TCL华星光电技术有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/02;H01L21/027;B08B3/08;B08B7/00 |
代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 吕姝娟 |
地址: | 518132 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 清洗 装置 方法 | ||
本发明提供了一种清洗装置及清洗方法。清洗装置用于传送并清洗表面带有金属膜的基板,包括有机颗粒去除单元、气相还原单元、药液中和单元、无机颗粒去除单元以及风刀除水单元。所述气相还原单元的入口与所述有机颗粒去除单元的出口连接,用于通过填充还原性气体并利用气相还原方法还原所述金属膜表面的金属氧化物。本发明通过增加气相还原单元在还原性气体的作用下去除金属膜表面的金属氧化物,避免电极材料的金属膜在黄光清洗后在其表面产生的金属氧化物,使器件电学性能良好,保证了基板亮度均匀。
技术领域
本发明涉及清洗领域,尤其涉及一种清洗装置及清洗方法。
背景技术
面板显示行业中,常规的阵列制程黄光(Photo)清洗段包括:有机颗粒去除单元(EUV)、药液单元、毛刷单元(Brush)、二流体清洗单元(AAJET)、水洗单元和风刀除水单元。
随着大尺寸及高分辨率的薄膜晶体管液晶显示器市场需求的增加,采用低电阻率的铜(Cu)取代铝(Al)作为电极材料来避免电阻电容(RC)延迟风险已成为行业的普遍做法。与Al制程相比,由于Cu易被氧化,Cu制程基板在进行常规的黄光清洗后,表面会被氧化,使器件电学性能受到影响,严重地,在整个基板上会有很多点状和纹状亮度不均匀(Mura)现象,导致产品品质不良。
面板显示行业,由于在常规黄光段清洗方法会造成电极材料的金属膜被氧化腐蚀而导致品质不良。
发明内容
本发明提供一种新的清洗装置及清洗方法,通过增加气相还原单元可有效避免电极材料的金属膜在黄光清洗后在其表面产生的金属氧化物,使器件电学性能良好,保证了基板亮度均匀。
为了实现以上目的,本发明提供了一种清洗装置,用于传送并清洗表面带有金属膜的基板,包括有机颗粒去除单元、气相还原单元、药液中和单元、无机颗粒去除单元以及风刀除水单元。具体的讲,在清洗时表面带有金属膜的基板进入所述有机颗粒去除单元,经过紫外线照射去除所述金属膜上的粒子;所述气相还原单元的入口与所述有机颗粒去除单元的出口连接,用于通过填充还原性气体并利用气相还原方法还原所述金属膜表面的金属氧化物;所述药液中和单元的入口与所述气相还原单元的出口连接,用于喷淋药液中和附着于所述金属膜表面的酸性物质或碱性物质;所述无机颗粒去除单元的入口与所述药液清洗单元的出口连接,用于去除所述金属膜表面的无机粒子;所述风刀除水单元的入口与所述无机颗粒去除单元的出口连接,用于除去所述金属膜表面上含杂质的清洗液。
进一步地,所述金属膜的材料包括铜。
进一步地,所述气相还原方法包括高温高压还原法或真空等离子还原法。
进一步地,所述无机颗粒去除单元包括毛刷单元、二流体清洗单元以及水洗单元。具体的讲,所述毛刷单元的入口与所述药液中和单元的出口连接,用于去除所述金属膜表面的大颗粒和小颗粒的无机粒子;所述二流体清洗单元的入口与所述毛刷单元的出口连接,用于去除所述金属膜表面的小颗粒粒子;所述水洗单元的入口与所述毛刷单元的出口连接,用于再次清洗所述金属膜表面上的无机粒子。
本发明还提供了一种清洗方法,包括以下步骤:
设置清洗装置步骤,设置一清洗装置,用于传送并清洗表面带有金属膜的基板,包括依次首尾相接的有机颗粒去除单元、气相还原单元、药液中和单元、无机颗粒去除单元以及风刀除水单元;
有机颗粒去除步骤:在所述有机颗粒去除单元内通过紫外线照射去除所述金属膜上的有机粒子;
还原金属氧化物步骤:在所述气相还原单元内通过填充还原性气体还原所述金属膜表面的金属氧化物;
中和步骤:在所述药液中和单元内喷淋药液中和附着于所述金属膜表面的酸性物质或碱性物质;
无机颗粒去除步骤:在无机颗粒去除单元内去除所述金属膜表面的无机粒子;以及
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造