[发明专利]一种清洗装置及清洗方法有效
申请号: | 202010147104.0 | 申请日: | 2020-03-05 |
公开(公告)号: | CN111341697B | 公开(公告)日: | 2023-10-17 |
发明(设计)人: | 王虎 | 申请(专利权)人: | TCL华星光电技术有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/02;H01L21/027;B08B3/08;B08B7/00 |
代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 吕姝娟 |
地址: | 518132 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 清洗 装置 方法 | ||
1.一种清洗装置,用于传送并清洗表面带有金属膜的基板,其特征在于,包括:
有机颗粒去除单元,在清洗时表面带有金属膜的基板进入所述有机颗粒去除单元,经过紫外线照射去除所述金属膜上的粒子;
气相还原单元,其入口与所述有机颗粒去除单元的出口连接,用于通过填充还原性气体并利用气相还原方法还原所述金属膜表面的金属氧化物;
药液中和单元,其入口与所述气相还原单元的出口连接,用于喷淋药液中和附着于所述金属膜表面的酸性物质或碱性物质;
无机颗粒去除单元,其入口与所述药液清洗单元的出口连接,用于去除所述金属膜表面的无机粒子;以及
风刀除水单元,其入口与所述无机颗粒去除单元的出口连接,用于除去所述金属膜表面上含杂质的清洗液。
2.根据权利要求1所述的清洗装置,其特征在于,所述金属膜的材料包括铜。
3.根据权利要求1所述的清洗装置,其特征在于,所述气相还原方法包括高温高压还原法或真空等离子还原法。
4.根据权利要求1所述的清洗装置,其特征在于,所述无机颗粒去除单元包括:
毛刷单元,其入口与所述药液中和单元的出口连接,用于去除所述金属膜表面的大颗粒无机粒子;
二流体清洗单元,其入口与所述毛刷单元的出口连接,用于去除所述金属膜表面的小颗粒无机粒子;以及
水洗单元,其入口与所述毛刷单元的出口连接,用于再次清洗所述金属膜表面上的无机粒子。
5.一种清洗方法,其特征在于,包括以下步骤:
设置清洗装置步骤,设置一清洗装置,用于传送并清洗表面带有金属膜的基板,包括依次首尾相接的有机颗粒去除单元、气相还原单元、药液中和单元、无机颗粒去除单元以及风刀除水单元;
有机颗粒去除步骤:在所述有机颗粒去除单元内通过紫外线照射去除所述金属膜上的有机粒子;
还原金属氧化物步骤:在所述气相还原单元内填充还原性气体通过气相还原方法还原所述金属膜表面的金属氧化物;
中和步骤:在所述药液中和单元内喷淋药液中和附着于所述金属膜表面的酸性物质或碱性物质;
无机颗粒去除步骤:在无机颗粒去除单元内去除所述金属膜表面的无机粒子;以及
除水干燥步骤:在风刀除水单元内除去所述金属膜表面上含杂质的清洗液。
6.根据权利要求5所述的清洗方法,其特征在于:所述无机颗粒去除步骤还包括:
毛刷清理步骤,在所述毛刷单元内去除所述金属膜表面的大颗粒无机粒子;
二流体清洗步骤,在二流体清洗单元内去除所述金属膜表面的小颗粒无机粒子;以及
水洗步骤,在水洗单元内再次清洗所述金属膜表面上的无机粒子。
7.根据权利要求5所述的清洗方法,其特征在于,所述气相还原方法包括高温高压还原法或真空等离子还原法。
8.根据权利要求7所述的清洗方法,其特征在于,所述高温高压还原法包括如下步骤:
所述基板进入所述密封腔;
对所述密封腔进行第一次抽真空;
抽真空后在所述密封腔中充入还原性气体,所述基板在还原性气体的作用下进行还原反应;
对所述密封腔进行第二次抽真空;
对所述密封腔充入空气并处于常压状态;以及
所述基板离开所述密封腔。
9.根据权利要求7所述的清洗方法,其特征在于,所述真空等离子还原法包括如下步骤:
所述基板进入所述密封腔;
对所述密封腔进行抽真空;
抽真空后在所述密封腔中充入还原性气体,所述还原性气体在射频电源下形成等离子体,所述基板在所述等离子体的作用下进行还原反应;
对所述密封腔充入空气并处于常压状态;以及
所述基板离开所述密封腔。
10.根据权利要求5所述的清洗方法,其特征在于,所述还原性气体为H2、CO、H2S、NH3中的任一种。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造