[发明专利]一种薄膜机械分离装置有效
申请号: | 202010108081.2 | 申请日: | 2020-02-21 |
公开(公告)号: | CN113299576B | 公开(公告)日: | 2022-11-22 |
发明(设计)人: | 李洋洋;张秀全;李真宇;薛海蛟;张涛 | 申请(专利权)人: | 济南晶正电子科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/683 |
代理公司: | 北京弘权知识产权代理有限公司 11363 | 代理人: | 逯长明;许伟群 |
地址: | 250100 山东省济南市高新区港*** | 国省代码: | 山东;37 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 薄膜 机械 分离 装置 | ||
1.一种薄膜机械分离装置,其特征在于,用于在薄膜剥离热处理过程中,在离子注入层内气泡数量达到预设数量时,剥离薄膜基片;
所述装置包括:工作面(1)、直线拉伸组件(2)、与所述直线拉伸组件(2)连接的活动块(3)以及烘干箱体(4),所述工作面(1)、直线拉伸组件(2)和所述活动块(3)均位于所述烘干箱体(4)内;
所述直线拉伸组件(2)带动所述活动块(3)在垂直于所述工作面(1)方向直线运动;
所述活动块(3)的底端安装有第一吸附件(31);
所述工作面(1)上安装有第二吸附件(11),所述第二吸附件(11)与所述第一吸附件(31)相对设置,所述第二吸附件(11)与所述第一吸附件(31)的吸附方向相反。
2.根据权利要求1所述的装置,其特征在于,所述活动块(3)包括与所述直线拉伸组件(2)长度方向垂直的第一连接块(32)和与所述第一连接块(32)垂直连接的第二连接块(33);
所述第一吸附件(31)安装于所述第二连接块(33)的底端,所述第一吸附件(31)的吸附方向与所述直线拉伸组件(2)的运动方向平行。
3.根据权利要求2所述的装置,其特征在于,所述第二连接块(33)的内部为空腔结构,所述第二连接块(33)上还安装有旋转组件,所述旋转组件位于所述第二连接块(33)的腔体内,所述旋转组件与所述第一吸附件(31)固定连接,所述旋转组件可带动所述第一吸附件(31)以所述第一吸附件(31)的中心轴为转动轴转动。
4.根据权利要求3所述的装置,其特征在于,所述旋转组件包括旋转轴(331)、轴承(332)、第一联轴器(333);
所述第一联轴器(333)的一端与所述旋转轴(331)第一连接端连接,所述第一联轴器(333)的另一端与旋转伺服电机(334)的电机轴连接,使所述旋转轴(331)的转动中心与所述旋转伺服电机(334)的电机轴的转动中心在同一条直线上;
所述轴承(332)套接于所述旋转轴(331)外侧;
所述旋转轴(331)第二连接端与第一吸附件(31)固定连接。
5.根据权利要求4所述的装置,其特征在于,所述第二连接块(33)的腔体内设有轴承座(335),所述轴承座(335)环向设于所述旋转轴(331)的外侧;
所述轴承(332)置于所述轴承座(335)内。
6.根据权利要求2所述的装置,其特征在于,所述直线拉伸组件(2)包括固定块(21),所述固定块(21)的其中一端与所述工作面(1)固定连接;
所述固定块(21)内部为空腔结构,所述固定块(21)的腔体内设有拉伸机构;
所述第一连接块(32)与所述拉伸机构连接。
7.根据权利要求6所述的装置,其特征在于,所述拉伸机构包括滚珠丝杠(211)、第二轴联器(212)、固定螺母(213)和与所述滚珠丝杠(211)配合连接的丝杠螺母(214);
所述第二轴联器(212)的一端与所述滚珠丝杠(211)连接,所述第二轴联器(212)的另一端与直线行走伺服电机(215)的电机轴连接;
所述固定螺母(213)套接于所述滚珠丝杠(211)外侧,并与所述固定块(21)固定连接;
所述第一连接块(32)与所述丝杠螺母(214)固定连接,所述丝杠螺母(214)带动所述第一连接块(32)在垂直于所述工作面(1)方向直线运动。
8.根据权利要求1所述的装置,其特征在于,所述第一吸附件(31)和所述第二吸附件(11)均采用抽真空的方式;其中,所述第一吸附件(31)包括第一真空吸盘和与所述第一真空吸盘配合的抽真空装置;所述第二吸附件(11)包括第二真空吸盘和与所述第二真空吸盘配合的抽真空装置。
9.根据权利要求8所述的装置,其特征在于,所述第一真空吸盘包括多个第一子真空吸盘(311),所述多个第一子真空吸盘(311)呈阵列排布或呈同心环状排布,所述第二真空吸盘包括多个第二子真空吸盘,所述第二子真空吸盘与所述第一子真空吸盘(311)对应排布。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于济南晶正电子科技有限公司,未经济南晶正电子科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202010108081.2/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:铝基覆铜板丝印绝缘胶及丝印方法
- 下一篇:铝基覆铜板的层压方法
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造