[发明专利]一种掩模版缺陷修复方法及装置在审
申请号: | 202010079423.2 | 申请日: | 2020-02-04 |
公开(公告)号: | CN111399335A | 公开(公告)日: | 2020-07-10 |
发明(设计)人: | 吴睿轩;韦亚一;董立松 | 申请(专利权)人: | 中国科学院微电子研究所 |
主分类号: | G03F1/72 | 分类号: | G03F1/72;G06N3/12 |
代理公司: | 北京知迪知识产权代理有限公司 11628 | 代理人: | 周娟 |
地址: | 100029 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 模版 缺陷 修复 方法 装置 | ||
本发明公开一种掩模版缺陷修复方法及装置,涉及光刻技术领域,以快速准确的修复各种图形的掩模版的缺陷,使得掩模版缺陷的修复方式具有普适性。所述掩模版缺陷修复方法包括:接收掩模版的几何结构信息;根据所述掩模版的几何结构信息对掩模版图形进行分段编码,获得图形分段编码;所述图形分段编码包括至少一种图形特征分段编码;采用遗传算法对所述图形分段编码进行优化,获得图形分段编码的优化结果;根据所述图形分段编码的优化结果修复所述掩模版图形的缺陷。所述装置应用于上述技术方案所提的掩模版缺陷修复方法。本发明提供的掩模版缺陷修复方法用于修复掩模版缺陷。
技术领域
本发明涉及光刻技术领域,尤其涉及一种掩模版缺陷修复方法及装置。
背景技术
极紫外光刻(Extreme Ultraviolet Lithography,缩写EUVL或EUV)是一种以波长为10nm-14nm的极紫外光作为光源的光刻技术,被认为是最具发展前景的下一代光刻技术。
在EUV光刻机中采用全反射微缩投影光学系统将极紫外光投射到掩模版上,以使得掩模版图形转移至待光刻的硅片形成的膜层上。当掩模版存在缺陷时,EUV光刻机利用13.5nm的曝光波长对膜层进行曝光,导致掩模版所存在的缺陷随着图形转移到图案化膜层中,进而极大地影响曝光后所形成的图形化膜层的关键尺寸。
现有技术中,可采用掩模图形调节方法对简单图形的掩模版进行补偿,但是无法对复杂图形案的掩模版进行快速优化。
发明内容
本发明的目的在于提供一种掩模版缺陷修复方法及装置,以快速准确的修复各种图形的掩模版的缺陷,使得掩模版缺陷的修复方式具有普适性。
为了实现上述目的,本发明提供一种掩模版缺陷修复方法。该掩模版缺陷修复方法包括:
接收掩模版的几何结构信息;
根据所述掩模版的几何结构信息对掩模版图形进行分段编码,获得图形分段编码;所述图形分段编码包括至少一种图形特征分段编码;
采用遗传算法对所述图形分段编码进行优化,获得图形分段编码的优化结果;
根据所述图形分段编码的优化结果修复所述掩模版图形的缺陷。
与现有技术相比,本发明提供的掩模版缺陷修复方法中,根据掩模版的几何结构信息对掩模版图形进行分段编码,获得图形分段编码,然后采用遗传算法对图形分段编码进行快速优化。而由于图形分段编码和掩模版图形一一对应,因此,当采用遗传算法对图形分段编码进行快速优化,获得图形分段编码的优化结果后,利用图形分段编码的优化结果可以快速修复掩模版图形的缺陷。而且,由于图形分段编码包括至少一种图形特征分段编码,使得根据掩模版的几何结构信息对掩模版的图形进行分段编码时,实质是将掩模版图形的轮廓线按照特征种类分段,然后针对其中至少一种特征的各个分段进行编码,使得利用遗传算法对图形分段编码进行快速优化时,并不需要分析掩模版的缺陷结构,因此,本发明提供的掩模版缺陷修复方法可以修复各种复杂度的掩模版缺陷,具有较高的普适性和可移植性。
本发明还提供一种掩模版缺陷修复装置。所述掩模版缺陷修复装置包括:
通信单元,用于接收掩模版的几何结构信息;
处理单元,用于根据所述掩模版的几何结构信息对掩模版图形进行分段编码,获得图形分段编码;所述图形分段编码包括至少一种图形特征分段编码;采用遗传算法对所述图形分段编码进行优化,获得图形分段编码的优化结果;根据所述图形分段编码的优化结果修复所述掩模版图形的缺陷。
与现有技术相比,本发明提供的掩模版缺陷调节装置的有益效果与上述掩模版缺陷调节方法的有益效果相同,在此不做赘述。
本发明还提供一种终端设备。该终端设备包括处理器以及与处理器耦合的通信接口。所述处理器用于运行计算机程序或指令,执行上述技术方案所述掩模版缺陷修复方法。
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