[发明专利]被加工物的加工方法有效
申请号: | 202010030425.2 | 申请日: | 2020-01-13 |
公开(公告)号: | CN111438580B | 公开(公告)日: | 2023-09-19 |
发明(设计)人: | 广泽俊一郎;三谷修三;松冈祐哉 | 申请(专利权)人: | 株式会社迪思科 |
主分类号: | B24B7/22 | 分类号: | B24B7/22;B24B27/00;B24B57/02;B24B41/00;B24B55/06 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 乔婉;于靖帅 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 加工 方法 | ||
提供被加工物的加工方法,效率良好。被加工物的加工方法在对板状的被加工物进行加工时使用,包含如下步骤:保护部件粘贴步骤,在被加工物的正面侧粘贴保护部件;保持步骤,按照被加工物的背面侧露出的方式隔着保护部件利用卡盘工作台的保持面对被加工物的正面侧进行保持;磨削步骤,一边从磨削水提供用喷嘴向卡盘工作台所保持的被加工物的背面侧提供磨削水一边使固定有包含磨粒的磨削磨具的磨削磨轮旋转而使磨削磨具与被加工物的背面侧接触,将被加工物的背面侧磨削而使被加工物变薄;和处理步骤,在磨削步骤之后,在停止从磨削水提供用喷嘴提供磨削水的状态下使磨削磨轮旋转而使磨削磨具与被加工物的背面侧接触,对被加工物或磨削磨具进行处理。
技术领域
本发明涉及在对板状的被加工物进行加工时所使用的被加工物的加工方法。
背景技术
近年来,为了实现小型轻量的器件芯片,通过磨削将以半导体晶片为代表的板状的被加工物加工得较薄的机会增加。在该磨削中,一边利用磨具对被加工物进行破碎一边进行加工,因此被加工物的被磨削面侧容易保持破碎的状态而残留。
在被加工物的被磨削面侧保持破碎的状态下,被加工物的抗弯强度也会降低。因此,在对被加工物进行磨削之后,利用CMP(Chemical Mechanical Polishing,化学机械研磨)等方法对被加工物的被磨削面侧进行研磨,消除破碎的状态(例如参照专利文献1)。
专利文献1:日本特开2011-101913号公报
但是,当在对被加工物进行了磨削之后进行CMP那样的研磨时,虽然能够提高被加工物的抗弯强度,但是加工所需的费用会大幅增加。因此,期望一种效率良好的新的被加工物的加工方法,能够不大幅增加费用而对被加工物进行加工。
发明内容
本发明是鉴于该点而完成的,其目的在于提供效率良好的新的被加工物的加工方法。
根据本发明的一个方式,提供被加工物的加工方法,在对板状的被加工物进行加工时使用,其中,该被加工物的加工方法包含如下的步骤:保护部件粘贴步骤,在该被加工物的正面侧粘贴保护部件;保持步骤,按照该被加工物的与该正面侧相反的一侧的背面侧露出的方式隔着该保护部件而利用卡盘工作台的保持面对该被加工物的该正面侧进行保持;磨削步骤,一边从磨削水提供用喷嘴向该卡盘工作台所保持的该被加工物的该背面侧提供磨削水一边使固定有包含磨粒的磨削磨具的磨削磨轮旋转而使该磨削磨具与该被加工物的该背面侧接触,从而对该被加工物的该背面侧进行磨削而使该被加工物变薄;以及处理步骤,在该磨削步骤之后,在停止从该磨削水提供用喷嘴提供该磨削水的状态下,使该磨削磨轮旋转而使该磨削磨具与该被加工物的该背面侧接触,从而对该被加工物或该磨削磨具进行处理。
在本发明的一个方式中,在该处理步骤中,能够提高该被加工物的该背面侧的平坦性。另外,在本发明的一个方式中,在该处理步骤中,能够使该磨削磨具的性能恢复。
另外,在本发明的一个方式中,优选该被加工物的加工方法还包含如下的粗磨削步骤:在该磨削步骤之前,使用包含比该磨削磨具所含的该磨粒大的磨粒的粗磨削用的磨削磨具对该被加工物的该背面侧进行磨削。
在本发明的一个方式的被加工物的加工方法中,在一边提供磨削水一边对被加工物的背面侧进行磨削的磨削步骤之后,进行在停止提供磨削水的状态下使磨削磨具与被加工物的背面侧接触的处理步骤。在处理步骤中,在停止提供磨削水的状态下使磨削磨具与被加工物的背面侧接触,因此以与磨削步骤不同的条件对被加工物或磨削磨具进行处理。
例如在该处理步骤中,与磨削步骤相比,能够提高被加工物的背面侧的平坦性。另外,例如在该处理步骤中,能够使因磨削步骤而降低的磨削磨具的性能恢复。这样,在本发明的一个方式的被加工物的加工方法中,仅通过停止提供磨削水而使磨削磨具与被加工物的背面侧接触便能够实现与被加工物的磨削不同的处理,因此能够高效地对被加工物进行加工。
附图说明
图1是示意性示出磨削装置(加工装置)的结构例的立体图。
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