[发明专利]静电卡盘装置及静电卡盘装置的制造方法在审
申请号: | 201980049649.3 | 申请日: | 2019-08-02 |
公开(公告)号: | CN112514046A | 公开(公告)日: | 2021-03-16 |
发明(设计)人: | 前田佳祐;尾崎雅树;塩尻昌幸;渡边刚志;前田进一;金原勇贵 | 申请(专利权)人: | 住友大阪水泥股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;H01L21/3065 |
代理公司: | 上海立群专利代理事务所(普通合伙) 31291 | 代理人: | 杨楷;毛立群 |
地址: | 日本国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 静电 卡盘 装置 制造 方法 | ||
1.一种静电卡盘装置,其具备:
载置台,设置有载置板状试样的载置面;
圆环状的聚焦环;及
冷却机构,冷却所述聚焦环,
所述载置台具有包围所述载置面的周围而设置的保持部,
在所述保持部设置包围所述载置面的周围的圆环状的槽部和向所述槽部的底面开口的贯穿孔,
在所述保持部中,所述槽部的宽度方向两侧的上表面为与所述聚焦环接触并保持所述聚焦环的保持面,
所述保持面由比所述槽部更靠内周侧的内周面和比所述槽部更靠外周侧的外周面构成,
所述保持面满足下述条件(i)及条件(ii),
(i)所述保持面为在厚度方向的截面中连接与所述保持面的最内周对应的第1点和与所述保持面的最外周对应的第2点的直线从所述与最内周对应的第1点向所述与最外周对应的第2点具有正的斜率的形状、或具有负的斜率的形状,并且满足0≤|在所述保持面的厚度方向的截面中,所述与最内周对应的第1点的高度-所述与最外周对应的第2点的高度|≤10μm;
(ii)所述内周面的泄漏面积及所述外周面的泄漏面积小于0.7mm2。
2.根据权利要求1所述的静电卡盘装置,其中,
所述保持面满足下述条件(iii),
(iii)在所述保持面的厚度方向的截面中,所述与最外周对应的第2点与由所述内周面和所述外周面获得的最小平方直线的最短距离<4μm。
3.根据权利要求1或2所述的静电卡盘装置,其中,
在所述槽部的底面设置有沿着所述保持部的厚度方向延伸的多个突起部,
在所述保持面的厚度方向的截面中,
以水平的基准面为基准时,所述突起部的上表面的高度为连接所述与最内周对应的第1点和所述与最外周对应的第2点的直线的高度以下。
4.一种静电卡盘装置的制造方法,其为制造权利要求1至3中任一项所述的静电卡盘装置的方法,所述静电卡盘装置的制造方法包括:
准备具有烧结体的临时载置台的工序,所述烧结体中设置有载置板状试样的载置面,且在所述载置面的周围设置有贯穿孔;
针对用于载置形成于所述载置面的周围的聚焦环的保持面,在形成所述保持面之前,确定所述保持面的宽度方向的长度的工序;
选择砂轮的旋转轴方向的长度比所述保持面的宽度方向的长度短的砂轮的工序;
磨削工序,使用所述砂轮,将所述烧结体的表面在所述载置面的周围磨削成圆环状,形成包围所述载置面的周围的临时保持面;及
下挖所述烧结体的临时保持面,形成包围所述载置面的周围的槽部,并形成具有所述槽部的保持面的工序。
5.根据权利要求4所述的静电卡盘装置的制造方法,其中,
在准备临时载置台的所述工序之前,进行所述确定宽度方向的长度的工序和所述选择砂轮的工序,
在所述确定宽度方向的长度的工序与所述选择砂轮的工序之间,包括如下工序:
准备多个不同圆周速度和多个不同宽度的砂轮,以每一种组合进行静电卡盘装置的制造和评价,获得满足条件(i)和条件(ii)的静电卡盘的制造的条件,
在所述选择砂轮的工序和所述磨削工序中使用所述条件。
6.根据权利要求1至3中任一项所述的静电卡盘装置,其中,
条件(iii)中所示的所述最短距离为0μm。
7.根据权利要求1至3及6中任一项所述的静电卡盘装置,其中,
条件(i)满足0.1μm≤|在所述保持面的厚度方向的截面中,所述与最内周对应的第1点的高度-所述与最外周对应的第2点的高度|≤10μm。
8.根据权利要求1至3、6及7中任一项所述的静电卡盘装置,其中,
所述内周面的泄漏面积及所述外周面的泄漏面积为0.6mm2以下。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造