[实用新型]晶圆及半导体器件

说明书

本公开是关于一种晶圆及半导体器件，所述晶圆包括晶圆本体和止裂硅通孔，所述晶圆本体上设置有用于切割的切割道；止裂硅通孔设于所述切割道的侧部，所述止裂硅通孔内填充有保护材料。通过在切割道两侧设置填充有保护材料的止裂硅通孔，在进行晶圆切割时，防止切割应力对晶粒区造成破坏，通过止裂硅通孔能够有效地减小切割道的宽度，有利于切割道的微缩，提高晶圆的有效利用率。

技术领域

本公开涉及半导体技术领域，具体而言，涉及一种晶圆及半导体器件。

背景技术

随着技术的发展和进步，集成电路芯片的集成度越来越高，单层芯片已无法满足使用需求，多层堆叠式芯片的应用越来越广泛，堆叠式芯片通过多层堆叠的晶圆切割得到。

多层堆叠的晶圆包括晶粒区和切割区，在切割切割区时，由于切割应力等的影响可能导致晶粒区损坏，为了保证在切割时不损坏晶粒区，通常会设置较大面积的切割区，切割区面积过大导致晶圆的有效利用率降低进而导致芯片成本升高。

需要说明的是，在上述背景技术部分公开的信息仅用于加强对本公开的背景的理解，因此可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。

发明内容

本公开的目的在于提供一种晶圆及半导体器件，进而至少在一定程度上克服由于相关技术中晶圆切割区面积较大，导致的晶圆有效利用率低的问题。

根据本公开的第一方面，提供一种晶圆，所述晶圆包括：

晶圆本体，所述晶圆本体上设置有用于切割的切割道；

止裂硅通孔，设于所述切割道的侧部，所述止裂硅通孔内填充有保护材料。

根据本公开的一实施方式，所述止裂硅通孔形成于所述切割道延伸方向的两侧。

根据本公开的一实施方式，所述止裂硅通孔包括连续分布的硅通孔或者离散分布的硅通孔。

根据本公开的一实施方式，所述切割道的一侧形成有多行止裂硅通孔。

根据本公开的一实施方式，所述止裂硅通孔的宽度为2微米-20微米，所述止裂硅通孔的深度为15微米-150微米。

根据本公开的一实施方式，所述保护材料包括：铜、钨、铝、钽、钛、氮化钽、氮化钛、氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、碳化硅、碳氮化硅、聚酰亚胺和正硅酸乙酯中的一种或多种。

根据本公开的一实施方式，所述止裂硅通孔中设置有气隙孔。

根据本公开的第二方面，提供一种半导体器件，所述半导体器件包括多层上所述的晶圆，多层所述晶圆堆叠设置。

本公开提供的晶圆，通过在切割道两侧设置填充有保护材料的止裂硅通孔，在进行晶圆切割时，防止切割应力对晶粒区造成破坏，通过止裂硅通孔能够有效地减小切割道的宽度，有利于切割道的微缩，提高晶圆的有效利用率。

应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的，并不能限制本公开。

附图说明

此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分，示出了符合本公开的实施例，并与说明书一起用于解释本公开的原理。显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本公开的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本公开示例性实施方式提供的第一种晶圆制作方法的流程图。

图2为本公开示例性实施方式提供的第二种晶圆制作方法的流程图。

图3为本公开示例性实施方式提供的第三种晶圆制作方法的流程图。

图4为本公开示例性实施方式提供的一种晶圆的俯视示意图。