[发明专利]测量金属完全蚀刻时间的方法及系统、存储介质在审
申请号: | 201911372267.2 | 申请日: | 2019-12-27 |
公开(公告)号: | CN111128781A | 公开(公告)日: | 2020-05-08 |
发明(设计)人: | 黎美楠 | 申请(专利权)人: | TCL华星光电技术有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66 |
代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 吕姝娟 |
地址: | 518132 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 测量 金属 完全 蚀刻 时间 方法 系统 存储 介质 | ||
1.一种测量金属完全蚀刻时间的方法,其特征在于,包括如下步骤:
数据库建立步骤,获取多次蚀刻金属层的蚀刻厚度以及与所述蚀刻厚度对应的蚀刻时间,存入数据库中;
采集步骤,从所述数据库中采集所述蚀刻厚度以及对应的蚀刻时间;
第一计算步骤,根据多次蚀刻金属层的所述蚀刻厚度以及对应的蚀刻时间,计算多次蚀刻金属层的蚀刻速度,并取平均值得到平均蚀刻速度;
第二计算步骤,根据公式:金属完全蚀刻时间=金属层的厚度/平均蚀刻速度,计算得出所述金属完全蚀刻时间。
2.根据权利要求1所述的测量金属完全蚀刻时间的方法,其特征在于,
在所述数据库建立步骤之前,还包括:
准备步骤,沉积所述金属层,制作3~4次;
黄光步骤,沉积一层光刻胶在所述金属层上,经过黄光制程,在金属层上曝光显影留下蚀刻图案;
蚀刻步骤,采用不同的蚀刻时间进行湿蚀刻;
移除步骤,移除剩余的光刻胶;
测量步骤,使用段差量测装置去量测不同蚀刻时间的蚀刻厚度。
3.根据权利要求1所述的测量金属完全蚀刻时间的方法,其特征在于,所述金属层的材料包括:铜、铝、银或钼。
4.根据权利要求1所述的测量金属完全蚀刻时间的方法,其特征在于,所述金属层的厚度为850nm~900nm。
5.根据权利要求2所述的测量金属完全蚀刻时间的方法,其特征在于,所述蚀刻时间包括:20s、40s、60s或80s。
6.根据权利要求2所述的测量金属完全蚀刻时间的方法,其特征在于,在所述移除步骤中,通过剥离液洗去所述蚀刻图案。
7.一种测量金属完全蚀刻时间的系统,其特征在于,包括一数据库以及
数据处理系统,
所述数据库用以存储多次蚀刻金属层的厚度以及该次蚀刻厚度所对应的蚀刻时间;
所述数据处理系统包括:
数据库建立单元,获取多次蚀刻金属层的蚀刻厚度以及与所述蚀刻厚度对应的蚀刻时间,存入数据库中;
采集单元,从所述数据库中采集所述蚀刻厚度以及对应的蚀刻时间;
第一计算单元,根据多次蚀刻金属层的所述蚀刻厚度以及对应的蚀刻时间,计算多次蚀刻金属层的蚀刻速度,并取平均值得到平均蚀刻速度;
第二计算单元,根据公式:金属完全蚀刻时间=金属层的厚度/平均蚀刻速度,计算得出所述金属完全蚀刻时间。
8.根据权利要求7所述的测量金属完全蚀刻时间的系统,其特征在于,还包括:
流水线控制系统,用以在基板上沉积金属层并通过黄光制程形成蚀刻图案,接着进行蚀刻,并发送蚀刻时间至所述数据库建立单元;
段差测量装置,用以测量蚀刻厚度并发送至所述数据库建立单元。
9.根据权利要求7所述的测量金属完全蚀刻时间的系统,其特征在于,还包括:
通信模块,用以将测量得到的金属完全蚀刻时间值发送至上位机中。
10.一种存储介质,该存储介质上存储有计算机程序,在处理器执行所述计算机程序时可实现权利要求1所述的方法。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造