[发明专利]用于晶圆键合的电学测试结构及其形成方法在审
| 申请号： | 201911165890.0 | 申请日： | 2019-11-25 |
| 公开（公告）号： | CN112838073A | 公开（公告）日： | 2021-05-25 |
| 发明（设计）人： | 张智侃;李杰;杨瑞坤 | 申请（专利权）人： | 格科微电子（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544;H01L21/66 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 晶圆键合 电学 测试 结构 及其 形成 方法 | ||
1.一种用于晶圆键合的电学测试结构，其特征在于，
所述晶圆包括正面相对彼此键合的第一晶圆和第二晶圆；
所述电学测试结构包括位于第一晶圆正面的第一测试焊盘，以及位于第一晶圆背面的表面焊盘，所述第一测试焊盘与表面焊盘电学连通。
2.如权利要求1所述的用于晶圆键合的电学测试结构，其特征在于，所述第一测试焊盘为堆叠焊盘。
3.如权利要求1所述的用于晶圆键合的电学测试结构，其特征在于，所述第一测试焊盘通过硅通孔与表面焊盘电学连通。
4.如权利要求1所述的用于晶圆键合的电学测试结构，其特征在于，进一步包括位于第二晶圆正面的第二测试焊盘，所述第二测试焊盘与第一测试焊盘电学连通。
5.如权利要求4所述的用于晶圆键合的电学测试结构，其特征在于，所述第二测试焊盘通过接触孔与第一测试焊盘电学连通。
6.一种用于晶圆键合的电学测试结构的形成方法，其特征在于，包括：
提供第一晶圆，在所述第一晶圆正面形成第一测试焊盘；
提供第二晶圆；
将所述第一晶圆与第二晶圆正面相对彼此键合，在减薄后的第一晶圆背面形成表面焊盘，将所述第一测试焊盘与表面焊盘电学连通。
7.如权利要求6所述的用于晶圆键合的电学测试结构的形成方法，其特征在于，所述第一测试焊盘为堆叠焊盘。
8.如权利要求6所述的用于晶圆键合的电学测试结构的形成方法，其特征在于，所述第一测试焊盘通过硅通孔与表面焊盘电学连通。
9.如权利要求6所述的用于晶圆键合的电学测试结构的形成方法，其特征在于，键合前在所述第二晶圆正面形成第二测试焊盘，键合后第二测试焊盘与第一测试焊盘电学连通。
10.如权利要求9所述的用于晶圆键合的电学测试结构的形成方法，其特征在于，所述第二测试焊盘通过接触孔与第一测试焊盘电学连通。
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