[发明专利]传感器及用于形成传感器的方法有效
申请号: | 201911036102.8 | 申请日: | 2019-10-29 |
公开(公告)号: | CN111115554B | 公开(公告)日: | 2023-08-11 |
发明(设计)人: | 郑钧文;赖飞龙;张贵松;蔡尚颖 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | B81B7/02 | 分类号: | B81B7/02;B81B7/00;B81C1/00 |
代理公司: | 南京正联知识产权代理有限公司 32243 | 代理人: | 顾伯兴 |
地址: | 中国台湾新竹科*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 传感器 用于 形成 方法 | ||
1.一种传感器,包括:
微机电系统衬底,设置在集成芯片之上,其中所述集成芯片界定第一空腔的下部部分及第二空腔的下部部分,且其中所述第一空腔具有与所述第二空腔的操作压力不同的第一操作压力;
顶盖衬底,设置在所述微机电系统衬底之上,其中所述顶盖衬底的第一对侧壁局部地界定所述第一空腔的上部部分,且所述顶盖衬底的第二对侧壁局部地界定所述第二空腔的上部部分;
传感器区域及虚设区域,设置在所述第一空腔中,其中所述传感器区域包括所述微机电系统衬底的能够移动的部分,且其中所述虚设区域包括所述微机电系统衬底的固定部分;以及
压力增强结构,设置在所述虚设区域中,其中所述压力增强结构是嵌式腔室,且其中所述第一空腔的所述下部部分与所述嵌式腔室通过所述集成芯片及所述微机电系统衬底分隔开且通过所述第一空腔的所述上部部分进行内连。
2.根据权利要求1所述的传感器,其中所述压力增强结构是吸气结构,所述吸气结构被配置成将所述第一空腔的压力从密封压力降低到所述第一操作压力,所述密封压力对应于使所述第一空腔及所述第二空腔二者均被密封的压力。
3.根据权利要求2所述的传感器,其中所述吸气结构设置在所述微机电系统衬底的所述固定部分的上表面上。
4.根据权利要求1所述的传感器,其中所述压力增强结构是除气结构,所述除气结构被配置成将所述第一空腔的压力从密封压力增加到所述第一操作压力,所述密封压力对应于使所述第一空腔及所述第二空腔二者均被密封的压力。
5.根据权利要求4所述的传感器,其中所述集成芯片包括:
内连结构,设置在芯片衬底上,且其中所述除气结构设置在所述内连结构中且接触所述微机电系统衬底的所述固定部分的下表面。
6.根据权利要求5所述的传感器,其中所述除气结构的侧壁局部地界定所述第一空腔的所述下部部分的侧壁。
7.根据权利要求1所述的传感器,其中所述嵌式腔室的上部部分由所述微机电系统衬底界定,且所述嵌式腔室的下部部分由所述集成芯片的钝化层界定。
8.根据权利要求7所述的传感器,其中所述嵌式腔室的所述下部部分的宽度大于所述嵌式腔室的所述上部部分的宽度。
9.根据权利要求8所述的传感器,其中所述嵌式腔室的所述上部部分具有半圆形轮廓。
10.根据权利要求9所述的传感器,其中所述传感器区域包括设置在所述第一对侧壁之间的所述微机电系统衬底的所有能够移动的部分。
11.一种传感器,包括:
内连结构,包括钝化层及于所述钝化层中的多个导电图案,所述内连结构设置在第一半导体衬底之上,其中所述钝化层的顶表面高于且暴露出所述导电图案的顶表面;
微机电系统衬底,所述微机电系统衬底的底表面与所述钝化层的所述顶表面直接接触,所述微机电系统衬底、所述钝化层与所述导电图案至少局部地界定第一密封空腔及第二密封空腔,其中所述微机电系统衬底具有第一能够移动的部分及第一固定部分以及第二能够移动的部分及第二固定部分,所述第一能够移动的部分及所述第一固定部分二者设置在所述第一密封空腔的侧壁之间,所述第二能够移动的部分及所述第二固定部分二者设置在所述第二密封空腔的侧壁之间;以及
第一压力增强结构,设置在所述第一固定部分中,其中所述第一压力增强结构被配置成将所述第一密封空腔的压力从密封压力改变成不同于所述密封压力的第一操作压力,所述密封压力对应于使所述第一密封空腔及所述第二密封空腔被密封的压力。
12.根据权利要求11所述的传感器,其中所述第二密封空腔具有与所述第一操作压力不同的第二操作压力。
13.根据权利要求12所述的传感器,其中所述第一操作压力大于所述第二操作压力。
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