[发明专利]存储器测试方法、装置、计算机设备以及存储介质有效

专利信息
申请号: 201910366150.7 申请日: 2019-05-05
公开(公告)号: CN110120242B 公开(公告)日: 2021-06-18
发明(设计)人: 魏园洲;邓志欢 申请(专利权)人: 珠海市杰理科技股份有限公司
主分类号: G11C29/12 分类号: G11C29/12;G11C29/14;G11C29/44
代理公司: 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 代理人: 黄晶晶;黄晓庆
地址: 519085 广东省珠海市吉*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 存储器 测试 方法 装置 计算机 设备 以及 存储 介质
【权利要求书】:

1.一种存储器测试方法,其特征在于,应用于存储器测试系统,用于对RAM进行测试,所述存储器测试系统包括相互连接的测试控制模块以及存储器内建自测电路,所述存储器内建自测电路与待测存储器连接,所述测试控制模块通过测试访问端口与所述存储器内建自测电路连接,所述存储器内建自测电路包括测试向量产生电路、内建自测控制电路、响应分析器;

所述存储器测试方法包括:

获取第一测试信号以及第二测试信号,所述第一测试信号用于对待测存储器中未存储数据的区域进行存储器内建自测测试,所述第二测试信号用于对待测存储器中存储数据的区域进行存储器内建自测测试;

通过所述测试控制模块输入第一测试信号至存储器内建自测电路,对所述未存有数据的区域进行第一内建自测测试,获取所述第一内建自测测试的测试结果;

当所述第一内建自测测试通过时,迁移所述存有数据的区域内数据至所述未存有数据的区域;

通过所述测试控制模块输入第二测试信号至存储器内建自测电路,对所述存有数据的区域进行第二内建自测测试,根据所述第二内建自测测试的结果获取所述待测存储器的测试结果;

所述通过所述测试控制模块输入第一测试信号至存储器内建自测电路,对所述未存有数据的区域进行第一内建自测测试包括:

通过所述测试控制模块以读写的方式还原所述第一测试信号,输入所述第一测试信号至测试向量产生电路,控制所述测试向量产生电路生成对应测试向量,所述测试向量产生电路用于根据所述第一测试信号生成用于对所述待测存储器进行测试的测试向量,所述测试向量用于测试存储器失效类型;

发送所述测试向量至所述内建自测控制电路,通过所述内建自测控制电路输入所述测试向量至所述未存有数据的区域;

通过所述响应分析器获取所述未存有数据的区域对所述测试向量的测试响应,根据所述测试响应获取所述第一内建自测测试的测试结果。

2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述通过所述测试控制模块输入第一测试信号至存储器内建自测电路,对所述未存有数据的区域进行第一内建自测测试,获取所述第一内建自测测试的测试结果之后,还包括:

当所述第一内建自测测试未通过时,判定所述待测存储器不合格。

3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述响应分析器包括比较器以及MISR电路。

4.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,通过所述响应分析器获取所述未存有数据的区域对所述测试向量的测试响应,根据所述测试相应获取所述第一内建自测测试的测试结果包括:

通过所述响应分析器获取所述未存有数据的区域对所述测试向量的测试响应;

对比预存的正常存储器对所述测试向量的正常响应与所述测试响应,当所述正常响应与所述测试响应相同时,判定所述第一内建自测测试通过,当所述正常响应与所述测试响应不相同时,判定测试未通过。

5.根据权利要求4所述的方法,其特征在于,所述对比预存的正常存储器对所述测试向量的正常响应与所述测试响应,当所述正常响应与所述测试响应相同时,判定所述未存有数据的区域合格,当所述正常响应与所述测试响应不相同时,判定所述未存有数据的区域不合格之后,还包括:

根据所述正常响应与所述测试响应的差异,获取存储器异常区域的地址信息,并生成与所述存储器异常区域的地址信息对应存储器测试报告。

6.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述当所述第一内建自测测试通过时,迁移所述存有数据的区域内数据至未存有数据的区域包括:

当所述第一内建自测测试通过时,根据处理器指针读取存有数据的区域内数据,将所述数据写入所述未存有数据的区域,同时将所述处理器指针跳转至所述未存有数据的区域的存储地址。

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