[实用新型]一种用于烧结DBC半导体基板的氮气炉

说明书

本实用新型公开了一种用于烧结DBC半导体基板的氮气炉，其特征在于包括：前进气管、后进气管、前进气管安装装置、前进气管出气口、后进气管安装装置、后进气管出气口、进气结构安装层、高温氮气炉管、炉管支撑件和保温层，高温氮气炉管、炉管支撑件、保温层，所述高温氮气炉内设置有多个炉管支撑件，所述高温氮气炉内设置有两根高温氮气炉管，所述炉管支撑件与高温氮气炉管相接触，所述炉管支撑件设置在保温层上，所述进气结构安装层上设置有多个前进气管安装装置和后进气管安装装置。

技术领域

本实用新型属于烧结DBC半导体热电基片生产技术领域，具体涉及一种用于烧结DBC半导体热电基片的氮气炉。

背景技术

随着功率电子器件的发展，电路板集成度与工作频率不断提高，散热问题已成为功率电子器件发展中必须要解决的关键问题。陶瓷基片是大功率电子器件、集成电路基片的封装材料，是功率电子、电子封装与多芯片模块等技术中的关键配套材料，其性能决定着模块的散热效率和可靠性。

DBC半导体热电基片是用DBC技术将铜片直接烧结到Al₂O₃或AlN陶瓷表面制成的一种复合覆铜陶瓷板，具有高导热性、高的电绝缘性、电流容量大、机械强度高、与硅芯片相匹配的温度特性等特点。Al₂O₃陶瓷片制作过程时，需要将陶瓷片基体冲压成单个陶瓷片坯片，并且将陶瓷片坯片两面的杂质去除掉，然后将陶瓷片坯体放置于推板炉中烧制，现有技术汇总烧结DBC半导体热电基片的氮气炉在使用的时候会使进气管道变形，同时氮气喷入的口不均匀，影响DBC半导体热电基片的的烧结。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种用于烧结DBC半导体热电基片的氮气炉。

本实用新型的目的是通过以下技术方案实现的：

一种用于烧结DBC半导体热电基片的氮气炉，其特征在于包括：前进气管、后进气管、前进气管安装装置、前进气管出气口、后进气管安装装置、后进气管出气口、进气结构安装层、高温氮气炉管、炉管支撑件和保温层，高温氮气炉管、炉管支撑件、保温层，所述高温氮气炉内设置有多个炉管支撑件，所述高温氮气炉内设置有两根高温氮气炉管，所述炉管支撑件与高温氮气炉管相接触，所述炉管支撑件设置在保温层上，所述进气结构安装层上设置有多个前进气管安装装置和后进气管安装装置，所述前进气管通过前进气管安装装置设置在进气结构安装层上，所述后进气管通过后进气安装装置设置在进气结构安装层上，所述前进气管上设置有多个前进气管出气口，所述后进气管设置有多个后进气管出气口。

所述前进气管和后进气管为耐高温隔热管道。

所述进气结构安装层设置在高温炉的顶部。

所述进气结构安装层上至少设置有3个前进气管安装装置和后进气管安装装置。

所述前进气管安装装置和后进气管安装装置为耐高温卡扣。

所述前进气管上至少设置有3个前进气管出气口，所述后进气管上至少设置有3个后进气管出气口。

所述保温层为刚玉莫来石层。

所述高温氮气炉内至少设置有10个炉管支撑件，所述每根高温氮气炉管至少与10个炉管支撑件相连接。

所述炉管支撑件的间距为10-20厘米，所述两根高温氮气炉管之间的间距至少为30-50厘米。

本技术方案的有益效果如下：

1.本实用新型使进气管道不会变形，同时氮气喷入的口分布均匀，增加了DBC半导体热电基片的的烧结效率。

附图说明

本实用新型的前述和下文具体描述在结合以下附图阅读时变得更清楚，附图中：

图1是本实用新型的结构示意图；