[实用新型]一种用于烧结DBC半导体基板的氮气炉

权利要求书

1.一种用于烧结DBC半导体基板的氮气炉，其特征在于包括：前进气管（1）、后进气管（2）、前进气管安装装置（3）、前进气管出气口（4）、后进气管安装装置（5）、后进气管出气口（6）、进气结构安装层（7）、高温氮气炉管（8）、炉管支撑件（9）和保温层（10），高温氮气炉管（8）、炉管支撑件（9）、保温层（10），所述高温氮气炉内设置有多个炉管支撑件（9），所述高温氮气炉内设置有两根高温氮气炉管（8），所述炉管支撑件（9）与高温氮气炉管（8）相接触，所述炉管支撑件（9）设置在保温层（10）上，所述进气结构安装层（7）上设置有多个前进气管安装装置（3）和后进气管安装装置（5），所述前进气管（1）通过前进气管安装装置（3）设置在进气结构安装层（7）上，所述后进气管（2）通过后进气安装装置5设置在进气结构安装层（7）上，所述前进气管（1）上设置有多个前进气管出气口（4），所述后进气管（2）设置有多个后进气管出气口（6）。

2.根据权利要求1所述一种用于烧结DBC半导体基板的氮气炉，其特征在于：所述前进气管（1）和后进气管（2）为耐高温隔热管道。

3.根据权利要求1所述一种用于烧结DBC半导体基板的氮气炉，其特征在于：所述进气结构安装层（7）设置在高温炉的顶部。

4.根据权利要求1所述一种用于烧结DBC半导体基板的氮气炉，其特征在于：所述进气结构安装层（7）上至少设置有3个前进气管安装装置（3）和后进气管安装装置（5）。

5.根据权利要求1所述一种用于烧结DBC半导体基板的氮气炉，其特征在于：所述前进气管安装装置（3）和后进气管安装装置（5）为耐高温卡扣。

6.根据权利要求1所述一种用于烧结DBC半导体基板的氮气炉，其特征在于：所述前进气管（1）上至少设置有3个前进气管出气口（4），所述后进气管（2）上至少设置有3个后进气管出气口（6）。

7.根据权利要求1所述一种用于烧结DBC半导体基板的氮气炉，其特征在于：所述保温层（10）为刚玉莫来石层。

8.根据权利要求1所述一种用于烧结DBC半导体基板的氮气炉，其特征在于：所述高温氮气炉内至少设置有10个炉管支撑件（9），所述每根高温氮气炉管（8）至少与10个炉管支撑件（9）相连接。

9.根据权利要求1所述一种用于烧结DBC半导体基板的氮气炉，其特征在于：所述炉管支撑件（9）的间距为10-20厘米，所述两根高温氮气炉管（8）之间的间距至少为30-50厘米。